半导体封装结构的制作方法

技术特征：
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一基板中介层，位于上基板和下基板之间；电感回路，所述电感回路的至少部分位于所述第一基板中介层内；其中，所述电感回路具有多个接点，所述多个接点中的至少一个接点为连接至所述上基板或所述下基板的伪电连接件。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一基板中介层中设置有讯号连接通孔，所述讯号连接通孔与所述电感回路设置于物理间隔开的不同区域中。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一基板中介层具有长度方向，所述讯号连接通孔与所述电感回路设置于在所述长度方向上并排排列的两个不同区域中。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电感回路被布置为在所述第一基板中介层内围绕平行于所述长度方向的轴线。5.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，多个所述讯号连接通孔中的多个第一讯号连接通孔位于第一区域中，所述多个所述讯号连接通孔中的多个第二讯号连接通孔位于与所述第一区域不同的第二区域中，所述第一区域和所述第二区域由所述电感回路物理分隔开。6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域在所述第一基板中介层的宽度方向上并排布置，并且，所述电感回路被布置为在所述第一基板中介层内围绕平行于所述宽度方向的轴线。7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：第二基板中介层，位于上基板和下基板之间并与所述第一基板中介层物理间隔开。8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电感回路的第一部分位于所述第一基板中介层内，所述电感回路的第二部分位于所述第二基板中介层内，其中，所述电感回路的第三部分在所述第一基板中介层和所述第二基板中介层之间延伸并连接所述电感回路的所述第一部分和所述第二部分。9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电感回路的所述第三部分位于所述上基板和所述下基板的非置件区。10.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电感回路的所述第三部分位于所述上基板和所述下基板的线路层间的可布局区域。11.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：上基板和下基板；第一基板中介层，位于所述上基板和所述下基板之间；电感回路，位于所述上基板和所述下基板之间，所述电感回路的至少部分位于所述第一基板中介层内，并且所述电感回路被布置为围绕平行于所述第一基板和所述第二基板的轴线。12.根据权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电感回路包括多个接点，其中，所述多个接点中的至少一个接点是突出于所述第一基板中介层的表面并连接至所述上基板或所述下基板的伪电连接件。13.根据权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一基板中介层内具有
第一通孔，其中，所述第一基板中介层内的所述第一通孔被构造为所述电感回路的一部分。14.根据权利要求13所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一基板中介层内还具有用作讯号连接通孔的另外的通孔，所述另外的通孔与所述电感回路设置于在所述第一基板中介层的长度方向上物理间隔开的不同区域中。15.根据权利要求14所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电感回路被布置为在所述第一基板中介层内围绕平行于所述长度方向的轴线。16.根据权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：第二基板中介层，位于上基板和下基板之间并与所述第一基板中介层物理间隔开，所述第一基板中介层内的第一通孔构造为所述电感回路的第一部分，所述第二基板中介层内的第二通孔构造为所述电感回路的第二部分，其中，所述电感回路的第三部分在所述第一基板中介层和所述第二基板中介层之间延伸并连接所述第一通孔和所述第二通孔。17.根据权利要求16所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电感回路的所述第三部分位于所述上基板和所述下基板的非置件区，或者位于所述上基板和所述下基板的线路层间的可布局区域。

技术总结
本发明涉及一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括：第一基板中介层，位于上基板和下基板之间；电感回路，电感回路的至少部分位于第一基板中介层内。其中，电感回路具有多个接点，多个接点中的至少一个接点为连接至上基板或下基板的伪电连接件。板或下基板的伪电连接件。板或下基板的伪电连接件。


技术研发人员：陈金汉
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：2021.08.05
技术公布日：2023/2/17