半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，包括下部图案和片状图案，片状图案在第一方向上与下部图案间隔开；源/漏图案，在下部图案上，源/漏图案与片状图案接触；以及栅极结构，在源/漏图案的相对侧上，栅极结构沿第二方向彼此间隔开并且包括围绕片状图案的栅电极，其中，源/漏图案包括：第一外延区域，包括第一杂质，第一杂质包括锑和铋中的至少一种，第一外延区域具有与下部图案接触但不与片状图案接触的底部，并且底部的厚度在第二方向上远离栅极结构增大然后减小；以及第二外延区域，在第一外延区域上，第二外延区域包括第二杂质，第二杂质包括磷。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中：源/漏图案还包括沿第一外延区域的底部的上表面的第三外延区域，第三外延区域与片状图案接触，并且第三外延区域包括第三杂质，第三杂质包括砷。3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，第三外延区域包括：底部，与第一外延区域的底部接触；以及侧壁部，与片状图案接触，第三外延区域的底部不与第三外延区域的侧壁部接触。4.如权利要求3所述的半导体装置，其中：栅极结构包括在沿第一方向彼此相邻的片状图案之间的内间隔件，并且第三外延区域的侧壁部覆盖内间隔件的侧壁的一部分。5.如权利要求2所述的半导体装置，其中：栅极结构包括在沿第一方向彼此相邻的片状图案之间的内间隔件，并且第三外延区域沿第一外延区域的底部的上表面、内间隔件和片状图案是连续的。6.如权利要求2所述的半导体装置，其中，以1e20(/cm3)至2e21(/cm3)的浓度包括第三杂质。7.如权利要求1所述的半导体装置，其中：第一外延区域还包括与片状图案接触的侧壁部，并且第一外延区域的侧壁部不与第一外延区域的底部接触。8.如权利要求7所述的半导体装置，其中，第二外延区域与第一外延区域的侧壁部和底部接触。9.如权利要求7所述的半导体装置，其中：栅极结构包括在沿第一方向彼此相邻的片状图案之间的内间隔件，并且第一外延区域的侧壁部覆盖内间隔件的侧壁的一部分。10.如权利要求7所述的半导体装置，其中：第一外延区域的侧壁部包括在第一方向上彼此间隔开的第一侧壁部和第二侧壁部，源/漏图案还包括连接第一外延区域的第一侧壁部和第二侧壁部的第三外延区域，并且第三外延区域掺杂有砷。11.如权利要求1所述的半导体装置，其中：
片状图案包括最下面的片状图案，最下面的片状图案是与下部图案最接近的片状图案，栅极结构包括在最下面的片状图案与下部图案之间的内间隔件，并且第一外延区域的底部覆盖内间隔件的侧壁的一部分。12.如权利要求1所述的半导体装置，其中：第一杂质的浓度为5e19(/cm3)至3e21(/cm3)，并且第二杂质的浓度为2e21(/cm3)至6e21(/cm3)。13.一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，包括下部图案和片状图案，片状图案在第一方向上与下部图案间隔开；源/漏图案，在下部图案上，并且与片状图案接触；以及栅极结构，在源/漏图案的相对侧上，栅极结构在第二方向上彼此间隔开，并且栅极结构包括围绕片状图案的栅电极，其中，源/漏图案包括：第一外延区域，与下部图案接触，第一外延区域包括掺杂有锑和铋中的至少一种的硅；第二外延区域，与片状图案接触，第二外延区域包括掺杂有砷的硅；以及第三外延区域，在第一外延区域和第二外延区域上，第三外延区域包括掺杂有磷的硅。14.如权利要求13所述的半导体装置，其中，第二外延区域包括：底部，沿第一外延区域的上表面，以及侧壁部，与片状图案接触，第二外延区域的底部不与第二外延区域的侧壁部接触。15.如权利要求13所述的半导体装置，其中：栅极结构包括在沿第一方向彼此相邻的片状图案之间的内间隔件，并且第二外延区域沿第一外延区域的上表面、内间隔件和片状图案是连续的。16.一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，包括下部图案和片状图案，片状图案在第一方向上与下部图案间隔开，并且片状图案包括最下面的片状图案，最下面的片状图案是与下部图案最接近的片状图案；源/漏图案，在下部图案上并与片状图案接触，源/漏图案包括：第一外延区域，掺杂有锑，第一外延区域与下部图案接触；以及第二外延区域，掺杂有磷；以及栅极结构，在源/漏图案的相对侧上，栅极结构在第二方向上彼此间隔开，并且栅极结构包括：栅电极，围绕片状图案；以及最下面的内间隔件，在下部图案与最下面的片状图案之间，第一外延区域具有覆盖最下面的内间隔件的侧壁的一部分的底部。17.如权利要求16所述的半导体装置，其中，第一外延区域的底部的厚度在第二方向上远离栅极结构增大然后减小。18.如权利要求16所述的半导体装置，其中：源/漏图案还包括沿第一外延区域的底部的上表面并与片状图案接触的第三外延区域，第三外延区域包括与第一外延区域的底部接触的底部以及与片状图案接触但不与第三外延区域的底部接触的侧壁部，并且第三外延区域包括掺杂的砷。19.如权利要求16所述的半导体装置，其中：
源/漏图案还包括第三外延区域，第三外延区域覆盖第一外延区域的底部的上表面、最下面的内间隔件的侧壁和最下面的片状图案的侧壁，并且第三外延区域包括掺杂的砷。20.如权利要求19所述的半导体装置，其中：第三外延区域还包括与片状图案接触的侧壁部，并且第三外延区域的侧壁部不与第一外延区域的底部接触。

技术总结
提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，具有下部图案和在第一方向上与下部图案间隔开的片状图案；源/漏图案，在下部图案上，源/漏图案与片状图案接触；以及栅极结构，在源/漏图案的相对侧上，栅极结构沿第二方向彼此间隔开并且包括围绕片状图案的栅电极，其中，源/漏图案包括：第一外延区域，具有锑和铋中的至少一种，第一外延区域具有与下部图案接触但不与片状图案接触的底部，并且底部的厚度在第二方向上远离栅极结构增大然后减小；以及第二外延区域，在第一外延区域上，第二外延区域包括磷。区域包括磷。区域包括磷。


技术研发人员：金奇奂 柳廷昊 李峭蒑 全勇昱 曺荣大
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2022.06.06
技术公布日：2023/2/17