半导体装置的制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体装置的制造方法，在包含硅(si)的半导体层之上形成包含金属元素和氧(o)且具有第1厚度的第1膜，利用自由基氧化在所述半导体层与所述第1膜之间形成包含硅(si)和氧(o)且具有比所述第1厚度厚的第2厚度的第2膜。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述第1厚度为1nm以上且5nm以下。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述第2厚度为所述第1厚度的10倍以上。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述自由基氧化的温度为300℃以上且900℃以下。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，在所述半导体层之上形成所述第1膜之前，在所述半导体层之上形成包含硅(si)、氧(o)和氮(n)的第3膜。6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述第1膜包含选自氮(n)、碳(c)、氢(h)、氟(f)和氯(cl)中的至少一种元素。7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，在所述自由基氧化的气氛中包含氢(h)和氧(o)，氢(h)相对于氢(h)与氧(o)之和的原子比率(h/(h o))为40％以下。8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，在所述自由基氧化的气氛中包含氢(h)和氧(o)，氢(h)相对于氢(h)与氧(o)之和的原子比率(h/(h o))为2％以上且5％以下。9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述金属元素为选自铝(al)、铪(hf)、锆(zr)、镧(la)、钇(y)、钛(ti)、镍(ni)、锌(zn)、铟(in)、锡(sn)、镓(ga)和钨(w)中的至少一种金属元素。10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述半导体层为单晶硅层或多晶硅层。11.一种半导体装置的制造方法，在包含硅(si)且包含第1区域和第2区域的半导体层的至少所述第1区域之上形成包含第1金属元素和氧(o)且具有第1厚度的第1膜，利用自由基氧化在所述第1区域与所述第1膜之间以及所述第2区域之上形成包含硅(si)和氧(o)且在所述第1区域之上的第2厚度比所述第1厚度厚、在所述第2区域之上的第3厚度比所述第2厚度薄的第2膜。12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，所述第1膜选择性地形成于所述第1区域上。13.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，在形成所述第1膜之前，在所述第1区域之上形成包含硅(si)、氧(o)和氮(n)的第3膜。14.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，在形成所述第1膜之前、或者在形成所述第1膜之后且形成所述第2膜之前，在所述第2区域之上形成包含与所述第1金属元素不同的第2金属元素和氧(o)且具有第4厚度的第4膜，所述第3厚度比所述第4厚度厚。15.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，所述第1膜的在所述第2区域之上的厚度与所述第1膜的在所述第1区域之上的厚度不同。
16.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，在所述第1区域的所述第2膜的上方形成第1栅电极，在所述第2区域的所述第2膜的上方形成第2栅电极。17.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，所述第1厚度为1nm以上且5nm以下。18.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，所述第1金属元素为选自铝(al)、铪(hf)、锆(zr)、镧(la)、钇(y)、钛(ti)、镍(ni)、锌(zn)、铟(in)、锡(sn)、镓(ga)和钨(w)中的至少一种金属元素。

技术总结
本发明的实施方式提供半导体装置的制造方法，其中，将半导体层在低温下氧化从而形成厚的氧化膜。本发明的实施方式的半导体装置的制造方法，在包含硅(Si)的半导体层之上形成包含金属元素和氧(O)且具有第1厚度的第1膜，利用自由基氧化在半导体层与第1膜之间形成包含硅(Si)和氧(O)且具有比第1厚度厚的第2厚度的第2膜。第2膜。第2膜。


技术研发人员：斋藤雄太 森伸二 山下博幸
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：2022.01.25
技术公布日：2023/2/17