半导体工艺设备的制作方法

技术特征：
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：工艺腔室；基座，设置于所述工艺腔室内，所述基座用于承载晶片，且所述基座为非导磁结构件；磁悬浮装置，被配置为向所述基座施加悬浮力，以使所述基座与所述工艺腔室间隔布置；加热装置，设置于所述工艺腔室内，所述加热装置用于加热所述基座。2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述基座包括载台和支撑部，所述载台用于承载所述晶片，所述支撑部用于支撑所述载台；所述工艺腔室包括连通的反应腔室和悬浮腔室，所述载台位于所述反应腔室内，所述支撑部由所述反应腔室延伸至所述悬浮腔室内，所述磁悬浮装置被配置为向所述支撑部施加悬浮力，所述加热装置用于加热所述载台。3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述磁悬浮装置包括：第一磁悬浮组件，用于沿所述支撑部的周向对所述基座施加悬浮力；第二磁悬浮组件，用于在所述支撑部的底部对所述基座施加悬浮力。4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一磁悬浮组件包括数量相同的多个第一磁体和多个第二磁体，全部所述第一磁体设置于所述支撑部上且沿所述支撑部的周向布置，全部所述第二磁体设置于所述悬浮腔室内且沿所述基座的周向布置，所述第一磁体与所述第二磁体一一对应，且对应的所述第一磁体和所述第二磁体的相对侧磁极相异。5.根据权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，相邻的两个所述第一磁体朝向所述第二磁体的磁极相异，相邻的两个所述第二磁体朝向所述第一磁体的磁极相异。6.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第二磁悬浮组件包括第三磁体和第四磁体，所述第三磁体设置于所述支撑部的底部，所述第四磁体设置于所述悬浮腔室内，且所述第四磁体与所述第三磁体相对设置，所述第三磁体与所述第四磁体的相对侧磁极相同。7.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一磁悬浮组件为多个，全部所述第一磁悬浮组件沿所述基座的高度方向排布。8.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述悬浮腔室包括环形侧壁和底座，所述环形侧壁可环绕套设于所述支撑部，所述底座具有容置空间和开口，所述开口与所述容置空间连通，所述环形侧壁在所述开口一侧与所述底座连接，所述支撑部可依次穿过所述环形侧壁和所述开口而伸入所述容置空间；所述第一磁悬浮组件设置于所述环形侧壁和所述支撑部上，所述第二磁悬浮组件设置于所述底座和所述支撑部上。9.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述悬浮腔室为非导磁结构件。10.根据权利要求2中任一项所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述加热装置包括多个发光件，所述多个发光件设置于所述反应腔室内，且沿所述支撑部的周向均匀布置；所述基座具有相背设置的承载面和传热面，所述承载面用于承载所述晶片，所述多个发光件发出的光线投射至所述传热面。
11.根据权利要求10所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述加热装置还包括反射件，所述反射件设置于所述多个发光件和所述反应腔室之间，以阻挡所述多个发光件发出的光线投射至所述反应腔室。12.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括射频装置，所述射频装置包括射频馈入部、第一绝缘部和第二绝缘部，所述射频馈入部沿所述支撑部的周向与所述支撑部间隔布置，且所述射频馈入部被配置为通过真空电容向所述支撑部馈入射频信号；所述射频馈入部的一端通过所述第一绝缘部与所述工艺腔室密封连接，所述射频馈入部的另一端通过所述第二绝缘部与所述工艺腔室密封连接。13.根据权利要求12所述的半导体工艺设备，其特征在于，第一绝缘部密封连接于所述射频馈入部与所述反应腔室之间，所述第二绝缘部密封连接于所述射频馈入部与所述悬浮腔室之间。14.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述工艺腔室还包括柔性管状连接件，所述柔性管状连接件密封连接于所述反应腔室与所述悬浮腔室之间，以使所述反应腔室与所述悬浮腔室的间距可调；所述半导体工艺设备还包括驱动装置，所述驱动装置与所述反应腔室和/或所述悬浮腔室相连，所述驱动装置用于驱动所述反应腔室和所述悬浮腔室相向靠近或相背远离，以使所述载台在所述反应腔室内进行升降动作。

技术总结
本申请公开一种半导体工艺设备，其包括：工艺腔室；基座，设置于所述工艺腔室内，所述基座用于承载晶片，且所述基座为非导磁结构件；磁悬浮装置，被配置为向所述基座施加悬浮力，以使所述基座与所述工艺腔室间隔布置；加热装置，设置于所述工艺腔室内，所述加热装置用于加热所述基座。上述方案能够解决基座的承载面存在的温度差异性较大的问题。存在的温度差异性较大的问题。存在的温度差异性较大的问题。


技术研发人员：史全宇
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：2021.07.22
技术公布日：2023/2/3