显示基板和显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，具体地，涉及显示基板和显示装置。


背景技术：

2.柔性显示技术为智能手机等终端产品实现全面显示带来了革命性的突破，市面上出现了基于该技术的，诸如刘海屏、挖孔屏等设计的显示装置。amoled虽然拥有诸多优点，但是由于其内部的有机发光材料和有机发光器件对水氧及其敏感，少量水氧渗入显示面板后即会出现显示区域的黑斑不良，导致显示失效，无法满足用户的使用要求。
3.因此，目前的显示基板和显示装置仍有待改进。


技术实现要素：

4.本技术旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。
5.在本技术的一个方面，本技术提出了一种显示基板，包括：基板，所述基板具有显示区以及周边区，所述显示区具有有机发光器件，所述周边区包括至少一个挡墙，所述基板上进一步具有封装结构以及凸起结构，所述封装结构被配置为将所述有机发光器件密封在所述基板上，所述至少一个凸起结构位于以下区域的至少之一处：所述挡墙靠近所述显示区的一侧；相邻的两个所述挡墙之间，以及所述挡墙远离所述显示区的一侧，所述挡墙包括有机层，所述有机层包括像素界定层以及平坦化层的至少之一，所述凸起结构在所述基板上的正投影与所述有机层在所述基板上的正投影不重合，所述凸起结构为所述封装结构朝向所述基板一侧的绝缘材料。由此，通过凸起结构的设置可以减少显示区黑斑不良现象的发生，提升显示效果。
6.根据本技术的实施例，所述周边区包括一个所述挡墙和多个所述凸起结构，多个所述凸起结构位于所述挡墙与所述显示区之间。由此，可以进一步提升显示效果。
7.根据本技术的实施例，所述周边区包括多个所述挡墙和多个所述凸起结构，每个所述挡墙的两侧均具有相邻设置的所述凸起结构。由此，可以进一步提升显示效果。
8.根据本技术的实施例，所述显示区内设置有依次层叠的栅极层、层间电介质层、源漏金属层、所述平坦化层、阳极层以及所述像素界定层，所述挡墙包括第一挡墙和第二挡墙，所述第一挡墙位于所述第二挡墙远离所述显示区的一侧，所述第一挡墙的高度大于所述第二挡墙的高度。由此，可以进一步提高水汽隔绝性能。
9.根据本技术的实施例，所述第一挡墙的所述有机层包括依次层叠形成的所述平坦化层和所述像素界定层。由此，可以简化显示基板的制备流程。
10.根据本技术的实施例，所述第二挡墙的所述有机层包括所述像素界定层。由此，可以简化显示基板的制备流程。
11.根据本技术的实施例，所述凸起结构与所述层间电介质层一体形成的，所述凸起结构靠近所述基板一侧的表面与所述第一挡墙靠近所述基板一侧的表面相齐平，所述凸起结构与所述第二挡墙在垂直于所述基板的方向上间隔设置。由此，可以简化显示基板的制
备流程。
12.根据本技术的实施例，周边区内进一步包括第二层间电介质层，所述第二层间电介质层位于所述层间电介质层与所述源漏金属层之间，所述凸起结构是由所述第二层间电介质层形成的，所述凸起结构靠近所述基板一侧的表面与所述第一挡墙靠近所述基板一侧的表面相齐平，所述凸起结构与所述第二挡墙在垂直于所述基板的方向上间隔设置。由此，可以简化显示基板的制备流程。
13.根据本技术的实施例，位于所述凸起结构远离所述基板一侧的所述阳极层和所述源漏金属层均具有朝向远离所述基板一侧的凸起部。由此，可以进一步提高水氧阻隔效果。
14.根据本技术的实施例，所述凸起结构包括所述阳极层，所述凸起结构靠近所述基板一侧的表面与所述第二挡墙靠近所述基板一侧的表面相齐平。由此，可以简化显示基板的制备流程。
15.在本技术的另一个方面，本技术提出了一种显示装置，所述显示装置包括前述的显示基板。由此，该显示装置具有前述的显示基板的全部特征及优点，在此不再赘述。
附图说明
16.本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
17.图1显示了根据本技术一个实施例的显示基板的结构示意图；
18.图2显示了相关技术中的显示装置出现gds不良的示意图；
19.图3显示了相关技术中的显示基板的结构示意图；
20.图4显示了相关技术中的显示基板出现gds不良的原理图；
21.图5显示了根据本技术一个实施例的显示基板阻隔水氧的原理图；
22.图6显示了根据本技术又一个实施例的显示基板的结构示意图；
23.图7显示了根据本技术又一个实施例的显示基板阻隔水氧的原理图。
24.附图标记说明：
25.1：显示区；2：周边区：10：平坦化层；20：像素界定层；30：支撑柱层；110：基板；120：阻挡层；130：层间电介质层；131、132：凸起结构；140：源漏金属层；210：阳极层；220：阴极层；300：封装结构；310：第一水氧阻隔层；320：喷墨打印层；330：第二水氧阻隔层。
具体实施方式
26.下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
27.在本技术的一个方面，本技术提出了一种显示基板，参考图1，包括：基板110，基板110具有显示区以及周边区，显示区具有有机发光器件，周边区包括至少一个挡墙，基板110上进一步具有封装结构300以及凸起结构131，封装结构300被配置为将有机发光器件密封在基板110上，至少一个凸起结构131位于以下区域的至少之一处：挡墙靠近显示区1的一侧；相邻的两个挡墙之间，以及挡墙远离显示区1的一侧，挡墙包括有机层，有机层包括像素界定层20以及平坦化层10的至少之一，凸起结构131在基板110上的正投影与有机层(像素
界定层20以及平坦化层10的至少之一)在基板110上的正投影不重合，凸起结构131为封装结构300朝向基板110一侧的绝缘材料。通过凸起结构110的设置可以减少显示区1黑斑不良现象的发生，提升显示效果。
28.为了便于理解，下面对于本技术中的显示基板具有上述有益效果的原理进行说明：
29.参考图3，相关技术中通常会在周边区靠近显示区的一侧设置挡墙(该周边区中设置有挡墙的区域称为dam区)，以防止显示区内的喷墨打印层流屏到控制区域引发不良。dam区中有机层的成型工艺可以包括以下步骤：先整面涂覆光刻胶并加热使其固化，再对固化后的光刻胶配合掩模板进行曝光解交联，并通过清洗溶液去除多余的光刻胶实现对光刻胶的图案化处理，暴露出待去除的多余有机层；随后通过曝光显影将多余的有机层去除实现对于有机层的图案化处理。在本技术中，发明人发现，参考图4，相关技术中的显示基板在进行有机层成型工艺时，以有机层是像素界定层20’为例，当存在曝光工艺异常，如曝光量偏低造成曝光能力不足时，例如，基板110上的不平整表面会造成凹槽处的光刻胶出现残留，进而在后续的曝光显影去除多余有机层时，因待去除的有机层表面仍覆盖有固化的光刻胶，使得曝光处理无法将多余的有机层20’完全去除，仍会存在部分残留(参见图4中的虚线框a和虚线框b处)，造成第一水氧阻隔层310的封装能力不足，使得水汽沿图4中左侧箭头所指方向进入显示基板内部后，会进一步沿周边区残留的像素界定层20’进入显示区中，氧化有机发光器件中的发光材料，参考图2，形成gds(growing dark spot)黑斑不良。
30.在本技术中，参考图1、图5、图6和图7，通过在dam区域设计凸起结构，从而使得dam区域内出现锯齿状的膜层形态，从而在进行周边区的有机层成型工艺时，可以利用凸起结构131将对应位置处的光刻胶垫高，使其离曝光光源更近，从而使得待去除的光刻胶在光照后解交联效果更好，后续浸泡去除更完全，从而使得待去除的有机层20表面不会覆盖有固化的光刻胶，使得曝光处理可以将多余的有机层，尤其是凸起结构所在位置处(参见图5中的虚线框c2和虚线框d2处；图7中的虚线框e2和虚线框f2处)的有机层完全去除。即便未设置凸起结构131处仍具有有机层20的残留时，由于凸起结构131处的有机层20被完全去除，故当水汽沿图5中左侧箭头所指位置处进入显示基板内部后，其在凸起结构131处即会被阻断入侵，并且通过凸起结构131的设置也有效延长了水汽的入侵路径，增强了显示基板隔离水汽的能力，有效减少了gds黑斑不良的形成。
31.为了便于理解，下面对凸起结构的形成工艺进行简单说明，以凸起结构由层间电介质层130形成为例，首先可以在基板110的表面通过cvd工艺沉积整层的层间电介质层130；随后在层间电介质层130远离基板一侧表面覆盖光刻胶，并通过曝光掩模工艺结合显影液形成图案化的光刻胶层；随后通过干法刻蚀(如曝光处理)将多余的层间电介质层130去除；最后将剩余的光刻胶层去除即可以获得具有凸起结构131的显示基板。具体地，形成凸起结构的膜层不受特别限制，例如，参考图1，形成凸起结构131的膜层可以为层间电介质层130；参考图6，形成凸起结构132的膜层可以为第二层间电介质层；形成凸起结构的膜层还可以为阳极层。
32.根据本技术的一些实施例，为了简化制作流程，可以借助显示基板上的常规工艺形成凸起结构，例如，可以借助常规的显示区图案化工艺或弯折区图案化工艺同步进行凸起结构的成型。
33.根据本技术的一些实施例，挡墙和凸起结构的设置数量和位置不受特别限制，例如，当周边区仅包括一个挡墙时和多个凸起结构时，多个凸起结构可以位于挡墙与显示区1之间。曝光工艺中越靠近显示区，单位面积上接收的曝光量越多，当多个凸起结构均位于挡墙与显示区1之间时，在前述光刻胶层的曝光过程以多余有机层的曝光过程中，其接收的曝光量更多，凸起结构上的光刻胶更易去除，相应地，后续的有机层去除效果也更完全。
34.在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上。
35.根据本技术的一些实施例，挡墙和凸起结构的设置数量和位置不受特别限制，例如，当周边区包括多个挡墙和多个凸起结构时，参考图1和图6，每个挡墙的两侧可以均具有相邻设置的凸起结构131/132，即相邻的两个挡墙之间应至少设置一个凸起结构，从而可以有效延长水汽入侵路径以及阻断水汽入侵路径。
36.根据本技术的一些实施例，参考1和图6，显示区1内的结构不受特别限制，例如：显示区1内设置有依次层叠的栅极层(图中未示出)、层间电介质层130、源漏金属层(图中未示出)、平坦化层10、阳极层210以及像素界定层(图中未示出)。根据本技术的另一些实施例，层间电介质层130与基板110之间还可以进一步包括阻挡层120以及其它的常规膜层结构，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择。
37.根据本技术的一些实施例，挡墙的结构不受特别限制，例如，挡墙可以包括第一挡墙和第二挡墙，第一挡墙位于第二挡墙远离显示区1的一侧，第一挡墙的高度可以大于第二挡墙的高度，由于第一挡墙的高度大于第二挡墙的高度，从而可以为显示区1的喷墨打印层320的流屏提供一定的缓冲空间。根据本技术的一个实施例，挡墙可以仅包括第一挡墙。
38.在本技术的描述中，“第一特征”、“第二特征”可以包括一个或者更多个该特征。
39.根据本技术的一些实施例，第一挡墙的组成不受特别限制，例如，参考图1和图6，第一挡墙的有机层可以包括依次层叠形成的平坦化层10和像素界定层20。进一步地，第一挡墙还可以进一步包括支撑柱层30，支撑柱层30位于像素界定层20远离平坦化层10的一侧表面，从而可以有效简化显示基板的制备流程。
40.根据本技术的一些实施例，第二挡墙的组成不受特别限制，例如，参考图1和图6，第二挡墙的有机层可以包括像素界定层20，进一步地，第二挡墙还可以进一步包括支撑柱层30，支撑柱层30位于像素界定层20远离基板110的一侧表面，从而可以有效简化显示基板的制备流程。
41.为了便于理解，下面以第一挡墙包括依次层叠设置的平坦化层10和像素界定层20，第二挡墙包括像素界定层20为例进行说明：
42.根据本技术的一些实施例，凸起结构的组成不受特别限制，例如，参考图1，凸起结构131与层间电介质层130可以是一体形成的，其中，凸起结构131靠近基板110一侧的表面与第一挡墙靠近基板一侧的表面(平坦化层10靠近基板一侧的表面)相齐平，凸起结构131与第二挡墙在垂直于基板110的方向上间隔设置，例如凸起结构131与第二挡墙在垂直于基板110的方向上可以间隔源漏金属层140和阳极层210，从而凸起结构131可以通过在有机层(包括平坦化层和像素界定层)成型工艺时垫高光刻胶层从而提高未设计有机层区域的有机层去除率，实现多余有机层的完全去除。
43.根据本技术的一些实施例，凸起结构的组成不受特别限制，例如，参考图6，周边区内进一步包括第二层间电介质层，第二层间电介质层位于层间电介质层130远离所述基板
110的一侧，凸起结构132是由第二层间电介质层形成的，第二层间电介质层位于层间电介质层130与源漏金属层140之间，凸起结构132靠近基板110一侧的表面与第一挡墙靠近基板110一侧的表面(平坦化层10靠近基板一侧的表面)相齐平，凸起结构132与第二挡墙在垂直于基板110的方向上间隔设置，例如凸起结构132与第二挡墙在垂直于基板110的方向上可以间隔源漏金属层140和阳极层210，从而凸起结构132可以通过在有机层成型工艺时垫高光刻胶层从而提高未设计有机层区域的有机层去除率，实现多余有机层的完全去除，相比于通过层间电介质层130形成凸起结构131而言，通过第二层间电介质层形成凸起结构132使得有机层(包括平坦化层和像素界定层)成型工艺时光刻胶层距离曝光光源更近，光刻胶层去除效果更好，后续未设计有机层区域的有机层去除率也更高。
44.根据本技术的一些实施例，第二层间电介质层的厚度不受特别限制，例如，第二层间电介质层可以层间电介质层保持一致，从而可以利用层间电介质层成型工艺形成第二城建电介质层，随后再在周边区对于第二层间电介质层进行图案化处理形成凸起结构132即可。
45.根据本技术的一些实施例，参考图1和图6，当凸起结构靠近基板110一侧的表面与第一挡墙靠近基板110一侧的表面(平坦化层10靠近基板一侧的表面)相齐平时，周边区2中远离基板110一侧的阳极层210和源漏金属层140在设置有凸起结构的对应位置具有与凸起结构形状相类似的凸起部，该凸起部的凸起方向为远离基板一侧的方向，即位于周边区中的阳极层210和源漏金属层140为锯齿状膜层。
46.根据本技术的一些实施例，凸起结构的组成不受特别限制，例如，凸起结构可以包括阳极层，凸起结构靠近基板一侧的表面与第二挡墙靠近基板一侧的表面(像素界定层靠近基板的一侧表面)相齐平，从而凸起结构可以通过在有机层(包括像素界定层)成型工艺时垫高光刻胶层从而提高未设计有机层区域的有机层去除率，实现多余有机层的完全去除。
47.根据本技术的一些实施例，挡墙以及凸起结构的设置位置不受特别限制，只要是显示区与非显示区的相邻区域均可以进行上述挡墙以及凸起结构的设置，例如，周边区可以为控制pad区域与显示区之间的区域；周边区还可以为打孔屏显示装置的打孔区与显示区之间的区域；周边区还可以环绕显示区设置或位于显示区的某一侧边或某几个侧边。
48.根据本技术的一些实施例，参考图1和图6，阳极层210可以部分搭接在第一挡墙的平坦化层10上，从而可以增强膜层间应力，并起到一定的封装作用。
49.在本技术的另一个方面，本技术提出了一种显示装置，显示装置包括前述的显示基板。由此，该显示装置具有前述的显示基板的全部特征及优点，在此不再赘述。
50.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“高度”、“厚度”、“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
51.除非另外说明，本技术所使用的所有科技术语具有与本技术所属领域技术人员的通常理解相同的含义。本技术涉及的所有专利和公开出版物通过引用方式整体并入本技术。术语“包含”或“包括”为开放式表达，即包括本技术所指明的内容，但并不排除其他方面的内容。
52.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。另外，需要说明的是，本说明书中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
53.尽管上面已经示出和描述了本技术的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本技术的限制，本领域的普通技术人员在本技术的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。