一种虚拟图形填充方法和半导体器件版图与流程

技术特征：
1.一种虚拟图形填充方法，其特征在于，包括：获取未填充的版图布局；计算所述版图上的不可填充区域；若所述版图上的不可填充区域至少为两个，当相邻的两个不可填充区域的第一边界和/或第二边界不在同一直线上时，在所述相邻的两个不可填充区域之间添加矩形区域，所述矩形区域作为新增的不可填充区域。2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述在所述相邻的两个不可填充区域之间添加矩形区域，包括：以所述相邻的两个不可填充区域中间的区域的中线作为所述矩形区域的中线。3.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述在所述相邻的两个不可填充区域之间添加矩形区域，包括：在所述相邻的两个不可填充区域的所述第一边界均新增第一高度区域；在所述相邻的两个不可填充区域的所述第二边界均新增第二高度区域。4.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述第一高度区域的高度和所述第二高度区域的高度均为所述虚拟图形宽度与所述虚拟图形间距之和。5.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述方法还包括：比较在所述相邻的两个不可填充区域的所述第一边界新增的所述第一高度区域的边界；选择远离所述第一边界的第一高度区域；所述矩形区域的一端与所述远离所述第一边界的第一高度区域的边界平齐。6.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述方法还包括：比较在所述相邻的两个不可填充区域的所述第二边界新增的所述第二高度区域的边界；选择远离所述第二边界的第二高度区域；所述矩形区域的一端与所述远离所述第二边界的第二高度区域的边界平齐。7.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述方法还包括：移除所述第一高度区域和所述第二高度区域。8.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述方法还包括：沿所述不可填充区域的所述第一边界和所述第二边界分别布置虚拟图形，所述第一边界与所述第二边界相对；沿第一方向延伸布置位于所述第一边界与所述第二边界的所述虚拟图形至可填充区域的边界，所述第一方向平行于所述第一边界；在所述版图上的所述可填充区域的剩余空间，在第二方向上间隔地布置所述虚拟图形，所述第二方向垂直于所述第一方向；去除与所述不可填充区域交叠的所述虚拟图形。9.根据权利要求8所述方法，其特征在于，所述在所述版图上的所述可填充区域的剩余空间，在第二方向上间隔地布置所述虚拟图形包括：在所述第二方向上按照预设间距间隔地布置所述虚拟图形。
10.根据权利要求8所述方法，其特征在于，所述方法还包括：去除与所述矩形区域交叠的虚拟图形。11.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述虚拟图形的形状为带状图形。12.一种半导体器件版图，其特征在于，包括：不可填充区域和可填充区域；所述不可填充区域的第一边界和第二边界分别布置有虚拟图形，所述第一边界与所述第二边界相对；布置于所述第一边界与所述第二边界的所述虚拟图形沿第一方向延伸至所述可填充区域的边界，所述第一方向平行于所述第一边界；在版图上的所述可填充区域的剩余空间，在第二方向上间隔地布置有所述虚拟图形，所述第二方向垂直于所述第一方向；若所述版图上的不可填充区域至少为两个，当相邻的两个不可填充区域的所述第一边界和/或所述第二边界不在同一直线上时，相邻的两个所述不可填充区域之间布置有矩形区域，所述矩形区域作为新增的不可填充区域。13.根据权利要求12所述的版图，其特征在于，所述相邻的两个不可填充区域之间的区域的中线为所述矩形区域的中线。14.根据权利要求12所述的版图，其特征在于，所述不可填充区域的所述第一边界和所述第二边界分别布置有至少2条虚拟图形，沿所述第一方向延伸至所述可填充区域的边界。15.根据权利要求12所述的版图，其特征在于，在所述第一边界和所述第二边界的一端布置的所述虚拟图形与所述第一边界和所述第二边界之间保持最小间距，所述最小间距是满足工艺制造条件下的最小间距。16.根据权利要求12所述的版图，其特征在于，在所述第一边界的一端布置的所述虚拟图形贴合于所述不可填充区域；在所述第二边界的一端布置的所述虚拟图形贴合于所述不可填充区域。17.根据权利要求12所述的版图，其特征在于，在所述第二方向上间隔地布置的所述虚拟图形之间的间距为预设间距；在所述第一边界和所述第二边界分别布置的至少2条虚拟图形之间的间距为所述预设间距。

技术总结
本发明公开了一种虚拟图形填充方法，其包括：获取未填充的版图布局；计算所述版图上的不可填充区域；若所述版图上的不可填充区域至少为两个，当相邻的两个不可填充区域的第一边界和/或第二边界不在同一直线上时，在所述相邻的两个不可填充区域之间添加矩形区域，所述矩形区域作为新增的不可填充区域。矩形区域作为新增的不可填充区域。矩形区域作为新增的不可填充区域。


技术研发人员：陈鑫欣
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2021.08.13
技术公布日：2023/2/17