微型元件结构及其制备方法、LED芯片的转移方法与流程

微型元件结构及其制备方法、led芯片的转移方法
技术领域
1.本技术涉及显示领域，尤其涉及一种微型元件结构及其制备方法、led芯片的转移方法。


背景技术：

2.目前，微型发光二极管(micro light-emitting diode，micro led)显示面板作为新一代显示技术，具有亮度更高、发光效率更好以及功耗更低等优势，使得micro led显示面板被广泛使用。
3.在micro led显示面板的制备过程中，需要通过巨量转移技术将三色led芯片从各自的生长基板上转移到显示背板上。印章式转移是目前主流的巨量转移技术之一，其一般过程为：1)将生长基板上的多个led芯片粘合到带粘附层的临时基板上，然后剥离生长基板，实现芯片转移到临时基板上；2)接着利用转移基板压合led芯片，通过激光作用于临时基板上的粘附层来剥离临时基板而实现芯片转移至转移基板；3)最后该转移基板上的led芯片转移到显示背板上。然而，在上述步骤2)的转移过程中，激光通常也会作用在芯片上(特别是其两电极上)而对芯片造成一定损伤，降低芯片转移良率。


技术实现要素：

4.鉴于上述现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种微型元件结构及其制备方法、led芯片的转移方法，旨在解决芯片转移过程中激光对芯片的损伤大、芯片转移良率低的问题。
5.本技术第一方面提供一种微型元件结构，包括：衬底，间隔设置在衬底的第一表面上的多个堆叠胶层结构，对应设置在多个堆叠胶层结构上的多个led芯片，led芯片朝向堆叠胶层结构的表面具有两个引出电极；堆叠胶层结构包括层叠设置的光解胶层和热解胶层，且所述光解胶层与所述第一表面接触；所述热解胶层位于两个所述引出电极之间，且所述热解胶层的厚度大于所述引出电极的高度。
6.本技术中，通过在微型元件结构的衬底与led芯片之间设置间隔分布在衬底上的堆叠胶层结构，当需要将该微型元件结构上的led芯片转移至转移基板时，解离与led芯片连接的堆叠胶层结构中光解胶层所需的激光能量较低，对led芯片的损伤小；且由于led芯片与光解胶层之间还设置有插入在芯片两引出电极之间的热解胶层，且其厚度大于芯片引出电极高度，当采用激光解离光解胶层时，该热解胶层可在一定程度上阻挡激光照射到led芯片上，进一步减少激光对led芯片的损伤，从而显著提高芯片的转移良率。
7.可选地，所述热解胶层的热熔温度低于所述光解胶层的热熔温度，所述热解胶层与所述光解胶层的热熔温度之差大于20℃。这样，在该微型元件结构的制备过程中，通过热解胶层材料的熔化实现led芯片的两电极之间嵌有热解胶层时，光解胶层对应的光解胶材能很好地保持其构型不变。
8.可选地，所述热解胶层的厚度大于所述光解胶层的厚度。这样，所述光解胶层后续
可通过能量不是很高的激光进行解胶，且热解胶层能在光解胶层的解胶过程中阻挡激光对led芯片的照射损伤。
9.可选地，所述光解胶层的宽度大于或等于所述热解胶层的宽度。这样的光解胶层较易制备，且该光解胶层能较好地支撑热解胶层和led芯片。
10.本技术第二方面提供了一种微型元件结构的制备方法，包括：
11.在衬底的第一表面上依次制备层叠设置的光解胶材和热解胶材；
12.将生长有多个led芯片的生长基板与所述衬底进行热键合，使所述led芯片嵌入所述热解胶材中，且所述led芯片的两个引出电极朝向所述光解胶材；
13.剥离所述生长基板；
14.去除相邻两个所述led芯片之间的热解胶材，对剩下的热解胶材及所述光解胶材进行刻蚀，以在所述衬底和所述led芯片之间形成堆叠胶层结构；其中，所述堆叠胶层结构包括光解胶层和热解胶层，且所述光解胶层在所述第一表面上间隔分布；所述热解胶层位于所述led芯片的两个引出电极之间，且所述热解胶层的厚度大于所述引出电极的高度。
15.上述微型元件结构的制备方法，工艺简单、操作便捷，可控度高，所得微型元件结构上形成的堆叠胶层结构能很好地解决其上的led芯片在转移过程中激光对led芯片的损伤。此外，通过两步刻蚀形成的多个堆叠胶层结构的尺寸均一性高，便于后续对多个堆叠胶层结构中的光解胶层进行批量解胶，避免了因解胶时间不一致带来的某些芯片易损伤的问题。
16.可选地，去除相邻两个所述led芯片之间的热解胶材的方式包括：湿法刻蚀或者干法刻蚀；其中，所述湿法刻蚀采用丙酮和n-甲基吡咯烷酮中的至少一种作为刻蚀液；所述干法刻蚀采用的刻蚀气体包括氧气。由此，借助led芯片的掩膜，湿法刻蚀或者干法刻蚀均能对热解胶材实现沿其背离光解胶材的表面的垂直刻蚀。
17.可选地，对剩下的热解胶材及所述光解胶材进行的所述刻蚀为干法刻蚀，所述干法刻蚀包括先采用氧气刻蚀10-20min，再采用含氟气体刻蚀5-8min。该步采用的特定干法刻蚀工艺的可控性高，较易形成结构较精细的堆叠胶层结构，且所得堆叠胶层结构的尺寸均一度高，并不易对led芯片造成破坏。
18.本技术第三方面提供了一种led芯片的转移方法，包括：
19.提供如本技术第一方面所述的微型元件结构，将转移基板贴合至所述微型元件结构设置有所述led芯片的一侧，对所述光解胶层进行激光照射，以使所述led芯片和所述热解胶层转移到所述转移基板；
20.将所述转移基板上的所述led芯片转移至显示背板。
21.上述led芯片的转移方法，通过从带特殊堆叠胶层结构的微型元件结构上转移led芯片至转移基板时，可采用较低的激光能量解离与芯片连接的光解胶层，且较好地阻挡激光照射到led芯片上，从而大大减少芯片转移过程中激光对芯片的损伤，提高其转移良率。此外，当转移基板上的led芯片转移至显示背板时，与芯片连接的热解胶层还可在热熔化、冷却后起到提高led芯片和显示背板之间的键合力的作用。
22.可选地，所述将所述转移基板上的所述led芯片转移至显示背板，包括：将所述转移基板带有所述led芯片的一侧与所述显示背板设有多个焊盘组的一侧对向放置，经热键合，使所述引出电极与所述焊盘组对应电连接，冷却后，所述引出电极与所述焊盘组之间的
空间填充有所述热解胶层；剥离所述转移基板。由此，可提高led芯片与显示背板之间的结合力。
23.本技术第四方面提供了一种显示装置，包括显示背板和多个led芯片，多个led芯片通过本技术第三方面所述的转移方法转移至显示背板上。
附图说明
24.图1至图6示出了led芯片巨量转移至显示背板的常见流程。
25.图7至图13为本技术一实施例提供的微型元件结构的一种制备流程图。
26.图14至图18是本技术一实施例提供的led芯片的转移方法的工艺流程示意图。
27.附图标记说明：10-生长基板，20-led芯片，21-引出电极，30-临时基板，40-转移基板，50-显示背板，51-焊盘组，300-衬底，300a-第一表面，31-光解胶材，32-热解胶材，31
’‑
光解胶层，32
’‑
热解胶层。
具体实施方式
28.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施方式。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本技术的公开内容理解的更加透彻全面。
29.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。
30.一般情况下，led芯片20转移至显示背板100上时，分别将红色led芯片、蓝色led芯片和绿色led芯片进行转移，下面以一种led芯片20为例进行说明，其余两种led芯片同样的道理，本技术中不再赘述。
31.图1至图6示出了led芯片巨量转移至显示背板的常见流程。具体过程包括如下步骤s11、s12和s13。
32.步骤s11：如图1所示，提供生长基板10(wafer)，生长基板10上生长有led芯片20。然后将生长基板10带有led芯片20的一侧与临时基板30带粘附层(一般是光解胶)的一侧贴合，将led芯片20粘合到临时基板30上(如图2所示)。接着剥离led芯片20上的生长基板10。由此可以将led芯片20转移至临时基板30上，如图3所示。
33.步骤s12：利用转移基板40压合临时基板30上的led芯片，并将激光聚焦到所需拾取的led芯片20连接的光解胶处(如图4所示)，以将对应led芯片下的光解胶解离，实现选择性地将led芯片20转移到转移基板40上。图5示出了转移基板40从临时基板30上选择性地拾取led芯片20。
34.步骤s13：将转移基板40上的led芯片20转移至显示背板50上。参考图6，图6显示出显示背板50上成功转移led芯片20的示意图。
35.由上述图3可知，临时基板30上的光解胶粘附层一般是整面覆盖在临时基板30上，当像图4中激光照射该光解胶粘附层以实现led芯片20的拾取时，解离与led芯片20对应的光解胶粘附层所需要的激光能量一般较高，且激光将不可避免地打到led芯片20的引出电
极21上，可能损伤led芯片20，导致其电性异常，自然也会降低led芯片20的转移良率。
36.基于此，本技术希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
37.参考图7至图13，图13为本技术一实施例提供的led芯片的转移方法中所用的微型元件结构的一种结构示意图。图7至图13为本技术一实施例提供的微型元件结构的一种制备流程图。其中，该微型元件结构的制备方法包括以下步骤s110-s150。
38.s110：提供衬底300，参见图7，在衬底300的第一表面300a上依次制备层叠设置的光解胶材31和热解胶材32。
39.衬底300具有相对设置的两表面，这里的第一表面300a是指其上待设置光解胶材31和热解胶材32的表面。如图7所示，光解胶材31在衬底300的第一表面300a上连续分布，其可以完全覆盖衬底300的第一表面300a。相应地，热解胶材32也可以在光解胶材31上连续分布，其可以完全覆盖光解胶材31远离衬底300的表面。其中，光解胶材31可以在预设波长的激光照射下因粘度降低而解胶，冷却后热解胶材可以恢复粘性。热解胶材32可以在被加热至预设温度时，因粘度降低而解胶。热解胶材32不与激光反应。
40.光解胶材31和热解胶材32可以通过涂覆法制备，具体可以独立地选自旋涂、刷涂、喷涂等中的任意一种。在涂覆光解胶材31后，需待其固化后，再在其上涂覆热解胶材32，并固化。可选地，光解胶材31的厚度可以在2μm-3μm的范围。合适厚度的光解胶材31，既可后续对led芯片起良好支撑作用(如图13)外，又便于后续通过能量不高的激光进行解胶。
41.本技术实施方式中，热解胶材32的热熔温度低于光解胶材31的热熔温度。这样，当后续通过热解胶材32实现衬底100与生长有led芯片的生长基板的连接时，光解胶材31仍能保持形貌不变。在一些实施方式中，热解胶材32与光解胶材31的热熔温度之差可以大于或等于20℃。此时，两种胶材的热熔温度的差值较合适，在热解胶材32发生熔化时，光解胶材31能很好地保持其构型。
42.s120：如图8所示，将生长有多个led芯片20的生长基板10与衬底300进行热键合，使led芯片20嵌入热解胶材32中，且led芯片20的两个引出电极21朝向光解胶材31(如图9所示)，然后剥离生长基板10(如图10所示)，得到如图11所示的结构。
43.步骤s120中，在进行热键合时，可以通过键合设备将生长基板10带有led芯片20的一侧与衬底300带有热解胶材32的一侧相贴合，在加热加压下实现led芯片20嵌入热解胶材32中。其中，热键合的温度应大于或等于热解胶材32的热熔温度，这样热解胶材32可受热熔化，实现生长基板10与带光解胶材31的连接。当然，热键合的温度应低于光解胶材31的热熔温度，以免热键合时光解胶材31发生熔化变形。
44.其中，为实现led芯片20嵌入热解胶材32中，上述热解胶材32的厚度应大于或等于led芯片20的高度。在一些实施方式中，热解胶材32背离光解胶材31的表面可以与led芯片20背离光解胶材31的表面齐平。
45.一般地，多个led芯片20在生长基板10上阵列排布，且任意相邻的两个led芯片20之间均具有间隔。每个led芯片20一般具有两个电极21，这两个电极一般是正电极和负电极，以便后续与显示背板上的正、负焊盘对应连接。生长基板10一般是含镓的蓝宝石。上述生长基板10的剥离可以通过激光剥离(llo，laser lift off)技术进行。可选地，并在剥离完成后，采用稀释的盐酸清洗掉led芯片20上的残留金属镓。
46.s130：去除相邻两个led芯片20之间的热解胶材32，得到如图12所示的结构，再对剩下的热解胶材32及光解胶材31进行刻蚀，以在衬底300和每个led芯片20之间形成堆叠胶层结构，得到如图13所示的微型元件结构。其中，堆叠胶层结构包括光解胶层31’和热解胶层32’，且光解胶层31’与在衬底300的第一表面上间隔分布；热解胶层32’位于led芯片20的两个引出电极21之间，且热解胶层32’的厚度大于引出电极21的高度。
47.步骤s130中，去除相邻两个led芯片20之间的热解胶材32的方式，可以包括湿法刻蚀或者干法刻蚀。其中，所述湿法刻蚀可以采用丙酮、n-甲基吡咯烷酮(nmp)、或者丙酮和nmp作为刻蚀液。具体可以将该蚀刻液涂覆在图11中热解胶材32背离光解胶材31的表面，此时倒置的led芯片20可充当湿法蚀刻的掩膜板，无需再额外引入掩膜板，就能实现对相邻两个led芯片20之间的热解胶材32的选择性刻蚀，即，沿垂直于热解胶材32背离光解胶材31的表面进行刻蚀(简称为垂直刻蚀)，也即沿热解胶材32的厚度方向进行刻蚀。可选地，在湿法刻蚀后，应采用乙醇、水等冲洗图12所示的结构，以免残留的刻蚀液影响下一步的刻蚀。
48.所述干法刻蚀可以采用刻蚀气体对位于相邻两个led芯片20之间的热解胶材32进行垂直刻蚀。倒置的led芯片20仍可充当干法蚀刻的掩膜板，无需再额外引入掩膜板。该刻蚀气体可正对着朝图11中热解胶材32背离光解胶材31的表面朝向通入。该刻蚀气体可以是氧气(o2)。
49.步骤s130中，对剩下的热解胶材32及光解胶材31进行的刻蚀为干法刻蚀。干法刻蚀相较于湿法刻蚀的可控性高，较易形成较精细的微结构，且不易对led芯片造成破坏，且所得堆叠胶层结构的尺寸均一度高。在一些实施方式中，该干法刻蚀包括先采用氧气刻蚀10-20min，再采用含氟气体刻蚀5-8min。其中，含氟气体可以是cf4和sf6等中的至少一种，例如可以是cf4、或者sf6、或者为cf4和sf6的混合。因含氟气体的刻蚀速率一般高于氧气，故而采用含氟气体的刻蚀时间短于采用氧气的刻蚀时间，可保证得到与所需微结构匹配度更高的产品。可选地，氧气与含氟气体的通入流量比可以为(5-40):1，例如10:1、15:1、20:1、25:1、30:1或40:1等。可以理解的，步骤s130的刻蚀过程中，基材所处的腔室温度低于热解胶材32的热熔温度，以便热解胶材32和光解胶材31在刻蚀过程中不发生熔化，经刻蚀后得到所需微结构。
50.图13示出的微型元件结构，包括衬底300、多个堆叠胶层结构和多个led芯片20，其中，多个堆叠胶层结构间隔分布在衬底300的第一表面300a上，led芯片20位于堆叠胶层结构上，多个led芯片20与多个堆叠胶层结构一一对应，每个led芯片20朝向堆叠胶层结构的表面具有两个引出电极21。其中，堆叠胶层结构包括层叠设置的光解胶层31’和热解胶层32’，且光解胶层31’与第一表面300a接触；热解胶层32’位于led芯片20的两个引出电极21之间，且热解胶层32’的厚度大于引出电极21的高度。这里的“一一对应”的含义是：每个堆叠胶层结构上都连接有一个led芯片20，堆叠胶层结构的数目与led芯片20的数目一致。
51.由图13可知，光解胶层31’不是在第一表面300a连续分布，而是间隔分布，其数目与led芯片20的数目一致。与整面覆盖有光解胶层的衬底相比，本技术中光解胶层31’在衬底300上的总覆盖率低，当需要将图13所示微型元件结构上的led芯片转移至转移基板时(参见图14)，解离与led芯片20连接的堆叠胶层结构中光解胶层31’所需的激光能量较低，相应地对led芯片20的损伤小；另外，由于led芯片20与光解胶层31’之间还设置有插入在芯片两引出电极21之间的热解胶层32’，且其厚度大于芯片引出电极21高度，当采用激光解离
光解胶层31’时，热解胶层32’可阻挡激光照射到led芯片20上，进一步减少激光对led芯片20的损伤，从而显著提高芯片的转移良率。
52.本技术实施方式中，热解胶层32’的厚度大于光解胶层31’的厚度。这样，光解胶层31’后续可通过能量不是很高的激光进行解胶，且在光解胶层31’的解胶过程中，热解胶层32’能阻挡激光对led芯片20的照射。在一些实施方式中，光解胶层31’的厚度在2μm-3μm的范围内，例如为2.2μm、2.5μm或2.8μm等。此时，光解胶层31’可对热解胶层32’、led芯片20起到良好支撑作用，且能便于后续解胶。在一些实施方式中，热解胶层32’的厚度在4μm-6μm的范围内，例如为4.5μm、5μm或5.5μm等。
53.可以理解的是，由于热解胶层32’位于led芯片20的两个引出电极21之间，热解胶层32’的宽度d2应小于或者等于led芯片20的两个引出电极21之间的间距。在一些实施方式中，热解胶层32’的宽度d2可以在2μm-6μm的范围内，例如为2.5μm、3μm、4μm或5μm等。本技术一些实施方式中，光解胶层31’的宽度d1大于或者等于热解胶层32’的宽度d2(图13中所示的是d1＞d2)。换句话说，光解胶层31’在衬底300上的投影覆盖热解胶层32’在衬底300上的投影。这样可有助于光解胶层31’较好地支撑热解胶层32’和led芯片20，且这样的光解胶层31’较易通过上述刻蚀工艺实现。其中，光解胶层31’的宽度d1可以在4μm-9μm的范围内。进一步地，光解胶层31’的宽度d1也可以小于或者等于led芯片20的两个引出电极21之间的间距。以便在激光解离光解胶层31’时减少激光照射到芯片电极上。可选地，相邻的两个光解胶层31’之间的间距是30-40μm。此时光解胶层31’在衬底300上的总覆盖率低，便于后续激光解胶。
54.当然，本技术另一些实施方式中，光解胶层31’的宽度d1还可以小于热解胶层32’的宽度d2。此时，当后续对光解胶层31’进行激光解胶时，位于其上的宽度较大的热解胶层32’能可好地阻挡激光照射到led芯片20上而大大减少激光对led芯片20的损伤。
55.本技术提供的上述微型元件结构的制备方法，工艺简单、操作便捷，可控度高，所得微型元件结构上形成的堆叠胶层结构能很好地解决其上的led芯片在转移过程中激光对led芯片的损伤。此外，其中上述步骤s130中通过两步刻蚀形成的多个堆叠胶层结构的均一性高，即，与每颗芯片相连的堆叠胶层结构的尺寸差异较小，便于后续对多个堆叠胶层结构中的光解胶层31’采用同样的激光能量进行批量解胶，且解胶时间相近，避免了因解胶时间不一致带来的某些芯片易损伤的问题。
56.本技术实施例还提供了一种led芯片的转移方法(也可称为巨量转移方法)，包括以下步骤s140和s150。
57.s140：提供本技术如上所述的微型元件结构(如图13所示)及提供一转移基板40，参见图14，将该转移基板40贴合至微型元件结构设置有led芯片20的一侧，对光解胶层31’进行激光照射，以使led芯片20和热解胶层32’转移到转移基板40(如图15所示)。
58.步骤s140中对led芯片20的转移，可以是将微型元件结构上的led芯片20全部转移到转移基板40上，也可以是选择性地将一部分led芯片20转移到转移基板40上(也可以称为对芯片的选择性拾取)。在转移led芯片20的过程中，通过定位将激光聚焦到微型元件结构上与待拾取的led芯片(可以是所有芯片，也可以是部分芯片)相连接的堆叠胶层结构中的光解胶层31’处，对该光解胶层31’进行激光照射以使其粘性降低而解胶，led芯片20与衬底300分离，从而实现将led芯片20转移到转移基板40上，由于在对光解胶层31’解胶的过程
中，热解胶层32’的粘性几乎不会发生变化，因此，与led芯片20相连的热解胶层32’也相应转移到转移基板50。
59.可以理解的是，当对微型元件结构上的led芯片20进行选择性拾取时，为保证不需拾取的led芯片20不被转移基板40带走，转移基板40应与led芯片20之间有一定粘合力，且该粘合力应小于微型元件结构的衬底300与光解胶层31’之间的粘合力。在本技术一些实施方式中，与上述微型元件结构进行贴合的转移基板40上可以带有粘附层，可借助该粘附层选择性地将led芯片20粘合到转移基板40上。在本技术另一些实施方式中，转移基板40的材质可以是聚二甲基硅氧烷(pdms)、聚胺脂(pua)、乙烯-醋酸乙烯共聚物(eva)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)等中的一种或多种。此时，转移基板40有一定粘性，可不必在转移基板40设置粘附层，且其满足上述粘合力特征。一般地，转移基板40以pdms最为常见。
60.s150：将转移基板40上的led芯片20转移至显示背板50。
61.在一些实施方式中，步骤s150具体包括：
62.s151：如图16所示，将转移基板40带有led芯片20的一侧与显示背板50设有多个焊盘组51的一侧对向放置，经热键合，使led芯片20的引出电极21与焊盘组51对应电连接，冷却后，引出电极21与焊盘组51之间的空间填充有热解胶层32’，如图17所示；
63.s152：剥离转移基板40，得到如图18所示的产品。
64.步骤s151中，在将转移基板40与显示背板50进行对向放置时，可将转移基板40悬空设置于显示背板50的上方，使多个led芯片20与显示背板50上的多个焊盘组51一一对应。其中，显示背板50可以为薄膜晶体管(thin film transistor，tft)电路板。显示背板50具有相对设置的两表面，其中一个表面上带有多个焊盘组51。由于该焊盘组51是用于后续与led芯片20的两个引出电极21(即，正引出电极、负引出电极)进行对应的电连接，因此，每个焊盘组51包括两个焊盘，可称为正焊盘、负焊盘。在上述对向放置时，使每个led芯片20的正引出电极对应一个正焊盘，负引出电极对应一个负焊盘。
65.在s151中进行热键合时，可以通过对转移基板40和显示背板50进行加压加热的方式进行。在热键合完成时，led芯片20的引出电极21与显示背板50的焊盘组51完成了固定连接，二者的电连接稳定性得到保障，也可称为led芯片20完成了巨量焊接。
66.在一些实施方式中，可以在转移基板40背离led芯片20的表面施加压力(如图17所示)，以使转移基板40与显示背板50相贴合，并对显示背板50进行加热或者将二者贴合后的结构置于加热环境中。由于上述转移基板40可以采用pdms等软质材料，具有一定变形能力，在对其施加压力时，可防止压伤led芯片20。且由于热解胶层32’的厚度大于芯片电极的高度，热解胶层32’也可插入到显示背板50的一对焊盘之间，且其可受热熔化，并在冷却后填充在引出电极21与焊盘组51之间的空间，进一步加固了led芯片20和显示背板50之间的键合力，且不必像一些现有技术还在显示背板50上额外涂覆粘合材料来加固其与芯片的结合力。类似地，步骤s151中热键合的温度应大于或等于热解胶层32’的热熔温度。
67.当然，在本技术另一些实施方式中，还可以在转移基板40背离led芯片20的表面及显示背板50未设置焊盘组51的表面同时施加压力，以使二者贴合，并将二者贴合后的结构置于加热环境中。
68.本技术一些实施方式中，步骤s152中剥离转移基板40，可以通过机械剥离的方式进行。这主要是基于led芯片20与显示背板50之间的结合力强于转移基板40与led芯片20之
间的粘合力。此种剥离转移基板40的方式较简便。当然，若如上述步骤s140中所示，转移基板40上带有粘附层，则此时剥离转移基板40可通过对转移基板40与led芯片20之间的粘附层进行解胶实现。
69.由以上描述可知，本技术实施例提供的led芯片的转移方法，通过借助具有特殊堆叠胶层结构的微型元件结构，可在从该微型元件结构上转移led芯片20至转移基板40时，通过较低能量的激光就可实现对与芯片连接的光解胶层31’的解胶，且热解胶层32’还能阻挡激光照射到led芯片20上，从而大大减少采用激光转移led芯片20的过程中对芯片的损伤，显著提高芯片的转移良率。此外，当转移基板40上的led芯片20再次转移至显示背板50时，热解胶层32’还可在热熔化、冷却后较好地填充芯片的引出电极和显示背板上的焊盘组之间的空隙，进一步提高led芯片20和显示背板50之间的键合力。因此，本技术实施例提供的led芯片的转移方法工艺简单，操作便捷，对led芯片的转移良率高，且led芯片与显示背板之间的结合力强。
70.基于上述任意实施例提供的led芯片的转移方法，参考图18，本技术实施例还提供一种显示装置，该显示装置具体包括显示背板50和多个led芯片20，其中led芯片20采用上述任意实施例提供的转移方法转移至显示背板50上。该显示装置可以为led显示面板，以及使用该led显示面板的电视、电脑和工业计算机等设备。
71.应当理解的是，本技术的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本技术所附权利要求的保护范围。