一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

化合物的制作方法

2023-02-18 11:58:44 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种化合物,其包含具有式(x)所示的局部结构的阴离子,式(x)中,环w1表示具有至少一个取代基的环结构。2.根据权利要求1所述的化合物,其中,具有式(x)所示的局部结构的阴离子为式(i)所示的阴离子~式(viii)所示的阴离子中的任一种,
式中,环w1表示与上文相同的含义,环w2、环w3、环w4、环w5、环w6、环w7、环w8、环w9、环w
10
、环w
11
、环w
12
、环w
13
和环w
14
各自独立地表示环结构,该环结构任选具有取代基,r1、r2、r4、r5、r
12
、r
14
、r
15
、r
22
、r
24
、r
25
、r
32
、r
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、r
35
、r
42
、r
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、r
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、r
52
、r
54
、r
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、r
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、r
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、r
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、r
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、r
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、r
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、r
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、r
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、r
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、r
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、r
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、r
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、r
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、r
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、r
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、r
101
、r
102
、r
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、r
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、r
111
、r
112
、r
114
、r
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、r
121
、r
122
、r
124
、r
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、r
131
、r
132
、r
134
和r
135
各自独立地表示吸电子性基团,r3表示1价的取代基,r
13
、r
23
、r
33
、r
43
、r
53
、r
63
和r
133
表示1价的取代基,
r1与r2任选相互连接而形成环,r2与r3任选相互连接而形成环,r3与r4任选相互连接而形成环,r4与r5任选相互连接而形成环,r
12
与r
13
任选相互连接而形成环,r
13
与r
14
任选相互连接而形成环,r
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与r
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任选相互连接而形成环,r
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与r
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任选相互连接而形成环,r
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任选相互连接而形成环,r
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任选相互连接而形成环,r
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任选相互连接而形成环,r
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与r
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任选相互连接而形成环,r
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与r
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任选相互连接而形成环,r
53
与r
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任选相互连接而形成环,r
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任选相互连接而形成环,r
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任选相互连接而形成环,r
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任选相互连接而形成环,r
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任选相互连接而形成环,r
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任选相互连接而形成环,r
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任选相互连接而形成环,r
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任选相互连接而形成环,r
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任选相互连接而形成环,r
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任选相互连接而形成环,r
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与r
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任选相互连接而形成环,r
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与r
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任选相互连接而形成环,r
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与r
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任选相互连接而形成环,r
x1
、r
x4
和r
x7
各自独立地表示单键或2价的连接基团,
r
x2
和r
x5
各自独立地表示3价的连接基团,r
x3
和r
x6
各自独立地表示4价的连接基团。3.根据权利要求2所述的化合物,其中,r3为吸电子性基团。4.根据权利要求2或3所述的化合物,其中,选自r1、r2、r3、r4和r5中的至少一个为氰基、硝基、卤代烷基、卤代芳基、-co-r1、-co-o-r2、-co-nr3r
3k
、-co-s-r4、-cs-r5、-cs-o-r6、-cs-s-r7、-so-r8、-so
2-r9、-ocf3、-scf3、-sf5、-sf3、-so2h或-so3h,其中,r1、r2、r3、r
3k
、r4、r5、r6、r7、r8和r9各自独立地表示任选具有取代基的烃基或卤素原子。5.根据权利要求2~4中任一项所述的化合物,其中,选自r1、r2、r3、r4和r5中的至少一个为氰基、硝基、-co-r1、-co-o-r2、-so
2-r9、-sf5、-sf3、-so3h、-so2h、-ocf3或-scf3,其中,r1、r2和r9各自独立地表示任选具有取代基的烃基或卤素原子。6.根据权利要求2~5中任一项所述的化合物,其中,选自r1、r2、r3、r4和r5中的至少一个为氰基或硝基。7.根据权利要求1~6中任一项所述的化合物,其在波长400nm~波长550nm之间显示出极大吸收。8.根据权利要求1~7中任一项所述的化合物,其在极大吸收波长处的克分子吸光系数为0.5以上。9.根据权利要求1~8中任一项所述的化合物,其满足下述式(a),ε(λ
max
)/ε(λ
max
30nm)≥5
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(a)式中,ε(λmax)表示极大吸收波长λ
max
处的克分子吸光系数,ε(λ
max
30nm)表示极大吸收波长λ
max
30nm的波长处的克分子吸光系数,需要说明的是,克分子吸光系数的单位为l/(g
·
cm)。10.一种组合物,其包含权利要求1~9中任一项所述的化合物。11.一种成形物,其是将权利要求10所述的组合物成形而成的。12.根据权利要求11所述的成形物,其在波长440nm处的透射率为50%以下。

技术总结
本发明提供一种充分吸收波长440nm附近的光且耐候性高的新型化合物。一种化合物,其包含具有式(X)所示的局部结构的阴离子。[式(X)中,环W1表示具有至少一个取代基的环结构。环W1优选为碳原子数5~7的环。]。]。]。


技术研发人员:浅津悠司 久门浩司 西上由纪
受保护的技术使用者:东友精细化工有限公司
技术研发日:2021.03.29
技术公布日:2022/12/5
再多了解一些

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