一种铌酸锂偏振调制器的制作方法

技术特征：
1.一种铌酸锂偏振调制器，其特征在于，包括：光场承载基底，所述光场承载基底上设置有脊波导、第一调谐电极和第二调谐电极，所述第一调谐电极和第二调谐电极分布于所述脊波导的两侧；第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层设置于所述脊波导、第一调谐电极、第二调谐电极以及部分所述光场承载基底的上表面；所述第二缓冲层设置于所述光场承载基底的下表面；第一控制电极和第二控制电极，所述第一控制电极设置在所述第一缓冲层的上表面，所述第二控制电极设置在所述第二缓冲层的下表面；衬底，所述衬底设置在所述第二缓冲层的下表面。2.根据权利要求1所述的铌酸锂偏振调制器，其特征在于，所述光场承载基底为铌酸锂薄膜波导。3.根据权利要求1所述的铌酸锂偏振调制器，其特征在于，所述第一控制电极为控制电极火线，位于正对所述脊波导上方。4.根据权利要求2所述的铌酸锂偏振调制器，其特征在于，所述第二控制电极为控制电极地线，位于正对所述脊波导下方。5.根据权利要求1或3所述的铌酸锂偏振调制器，其特征在于，所述第一控制电极和第二控制电极形成行波电极结构，所述第一控制电极和第二控制电极之间的间距为1um-20um。6.根据权利要求5所述的铌酸锂偏振调制器，其特征在于，所述偏振调制器还包括：终端负载，所述终端负载设置在所述第一缓冲层的上表面，所述终端负载一端连接所述第一控制电极。7.根据权利要求6所述的铌酸锂偏振调制器，其特征在于，所述终端负载相邻于所述第一调谐电极布置，且所述终端负载与所述第一调谐电极间隔设定距离。8.根据权利要求7所述的铌酸锂偏振调制器，其特征在于，所述终端负载为长方体负载块。9.根据权利要求1所述的铌酸锂偏振调制器，其特征在于，所述第一调谐电极和第二调谐电极形成集总电极结构，所述第一调谐电极和第二调谐电极之间的间距为1um-20um。10.根据权利要求1所述的铌酸锂偏振调制器，其特征在于，所述第一缓冲层和第二缓冲层均采用氧化硅材料。

技术总结
本实用新型涉及一种铌酸锂偏振调制器，包括光场承载基底，所述光场承载基底上设置有脊波导、第一和第二调谐电极，第一和第二调谐电极分布于脊波导的两侧；第一和第二缓冲层，设置于所述脊波导、第一调谐电极、第二调谐电极以及部分光场承载基底的上表面；第二缓冲层设置于光场承载基底的下表面；第一控制电极和第二控制电极，设置在第一缓冲层的上表面，第二控制电极设置在第二缓冲层的下表面；衬底，设置在第二缓冲层的下表面。本实用新型能够使得偏振调制器工作时的光场既能够分布于调谐电场中心，也能够分布于控制电场中心，大大增加了光场、电场的重叠程度，可以有效降低调制器的工作电压，提高偏振调制器的调制效率。提高偏振调制器的调制效率。提高偏振调制器的调制效率。


技术研发人员：张洪涛 逄博 刘磊 李鑫 林伟丽 郑名扬 谢秀平
受保护的技术使用者：济南量子技术研究院
技术研发日：2022.11.25
技术公布日：2023/2/13