半导体装置及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体装置，包括：半导体元件(12、22)，其包括第一电极(12b、22b)；密封构件(50)，其配置成密封所述半导体元件；和第一导电板(14、24)，其包括在所述密封构件内部面向所述第一电极的第一表面(14a、24a)，其中，所述第一导电板的所述第一表面包括：安装区域(r1)，所述第一电极接合到所述安装区域(r1)；位于所述安装区域周围的粗糙化区域(r2)；和位于所述粗糙化区域与所述第一表面的外周边缘之间的非粗糙化区域(r3)，以及其中，所述粗糙化区域的表面粗糙度大于所述非粗糙化区域的表面粗糙度。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述粗糙化区域沿着所述安装区域的外周边缘连续或断续地延伸。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述粗糙化区域沿着所述安装区域的外周边缘连续地延伸并且围绕所述安装区域。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一导电板的所述第一表面覆盖有金属的涂覆膜(52)，并且所述第一表面的所述粗糙化区域进一步覆盖有所述金属的氧化膜(54)。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一导电板还包括第二表面(14b、24b)，所述第二表面(14b、24b)位于与所述第一表面相反的一侧并且在所述密封构件的第一表面(50b)处暴露。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，还包括：第二导电板(16、26)，其面向所述第一导电板，所述半导体元件介于所述第一导电板与所述第二导电板之间，其中，所述半导体元件还包括位于与所述第一电极相反的一侧的第二电极(12a、22a)，以及其中，所述第二导电板包括第三表面(16b、26b)，所述第三表面(16b、26b)在所述密封构件的内部接合到所述第二电极。7.根据权利要求6所述的半导体装置，还包括：导电间隔件(18)，其中，所述第二导电板的所述第三表面通过所述导电间隔件接合到所述半导体元件的所述第二电极。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第二导电板还包括第四表面(16a、26a)，所述第四表面(16a、26a)位于与所述第三表面相反的一侧并且在所述密封构件的第二表面(50a)处暴露。9.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：对第一导电板的第一表面的一部分进行粗糙化，以在所述第一表面的所述部分处形成粗糙化区域；将至少一个具有半导体元件的构件接合到安装区域，其中，所述安装区域不同于所述第一导电板的所述第一表面处的所述粗糙化区域；和
通过密封构件密封被接合到所述第一导电板的所述半导体元件，其中，所述粗糙化区域位于所述安装区域的周围，并且远离所述第一表面的外周边缘，并且其中，在接合中，所述第一表面的位于所述粗糙化区域与所述外周边缘之间的非粗糙化区域由夹具(100)支撑。10.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述粗糙化区域的形成中，通过将激光(l)照射在所述第一导电板的所述第一表面上来形成所述粗糙化区域。

技术总结
一种半导体装置，包括半导体元件、密封构件和第一导电板。半导体元件包括第一电极。密封构件密封半导体元件。第一导电板包括在密封构件内部面向第一电极的第一表面。第一导电板的第一表面包括安装区域、粗糙化区域和非粗糙化区域。第一电极接合到安装区域。粗糙化区域位于安装区域周围。非粗糙化区域位于粗糙化区域与第一表面的外周边缘之间。粗糙化区域的表面粗糙度大于非粗糙化区域的表面粗糙度。面粗糙度大于非粗糙化区域的表面粗糙度。面粗糙度大于非粗糙化区域的表面粗糙度。


技术研发人员：儿玉幸雄 吉泽洋明 大岛正范 平野敬洋
受保护的技术使用者：株式会社电装
技术研发日：2022.06.01
技术公布日：2022/12/5