半导体装置及其制造方法以及电力变换装置与流程

技术特征：
1.一种半导体装置，具有：半导体基板，形成有半导体元件；键合区域，规定于所述半导体基板；第一构造体，具有第一凹凸部，形成于所述键合区域；第二构造体，具有第二凹凸部，该第二构造体以覆盖所述第一构造体的方式形成；以及金属布线，被接合于所述第二构造体中的所述第二凹凸部，所述第二凹凸部中的凹陷的深度比所述第一凹凸部中的凹陷的深度浅。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一构造体包括以凸部彼此分离的方式断续地形成的所述第一凹凸部。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一构造体包括形成为连续的膜状的所述第一凹凸部。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其中，具备规定所述键合区域的绝缘性构件，所述绝缘性构件以与所述半导体基板相接的方式且以包围所述第一构造体和所述第二构造体的方式形成。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体装置，其中，所述键合区域被划分为具有第一面积的第一区域以及具有小于所述第一面积的第二面积的第二区域。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一构造体和所述第二构造体至少被配置于所述第二区域。7.根据权利要求1～6中的任一项所述的半导体装置，其中，所述第二构造体由维氏硬度为300以上的金属形成。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述金属包括镍(ni)、钴(co)以及铬(cr)。9.根据权利要求1～8中的任一项所述的半导体装置，其中，所述第一构造体包括氧化物。10.根据权利要求1～9中的任一项所述的半导体装置，其中，使中间构造体介于所述第一构造体与所述第二构造体之间。11.根据权利要求1～10中的任一项所述的半导体装置，其中，所述金属布线包括铜布线。12.一种半导体装置的制造方法，具备以下工序：在半导体基板的主表面形成半导体元件；在所述半导体基板的所述主表面形成具有第一凹凸部的第一构造体；以覆盖所述第一构造体的方式形成具有第二凹凸部的第二构造体；以至少包围所述第一构造体和所述第二构造体的方式形成绝缘性构件，由此规定键合区域；以及将金属布线接合到所述键合区域中的所述第二构造体，在形成所述第一构造体的工序和形成所述第二构造体的工序中，所述第一构造体和所述第二构造体被形成为所述第二凹凸部中的凹陷的深度比所述第一凹凸部中的凹陷的深
度浅。13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，形成所述第一构造体的工序包括以下工序：在所述半导体基板的所述主表面上形成第一层，对所述第一层实施使所述半导体基板的所述主表面局部地露出的加工，由此形成凸部被分离的断续的所述第一凹凸部。14.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，形成所述第一构造体的工序包括以下工序：在所述半导体基板的所述主表面上形成第一层，对所述第一层实施加工至到达所述半导体基板的所述主表面的中途，由此形成连续的膜状的所述第一凹凸部。15.根据权利要求12～14中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，规定所述键合区域的工序包括以到达所述半导体基板的所述主表面的方式形成所述绝缘性构件的工序。16.根据权利要求12～15中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，将所述金属布线接合到所述第二构造体的工序包括将铜布线作为所述金属布线进行接合的工序。17.一种电力变换装置，具备：主变换电路，具有权利要求1～11中的任一项所述的半导体装置，该主变换电路将所输入的电力进行变换后输出；以及控制电路，将控制所述主变换电路的控制信号输出到所述主变换电路。

技术总结
在半导体装置(1)中，在规定于半导体基板(3)的键合区域(20)中形成有具有第一凹凸部(6)的第一构造体(5)和覆盖第一构造体(5)的具有第二凹凸部(8)的第二构造体(7)。金属布线(13)被接合于第二构造体(7)中的第二凹凸部(8)。第二凹凸部(8)中的凹陷的深度比第一凹凸部(6)中的凹陷的深度浅。规定键合区域(20)的绝缘性构件(11)以到达半导体基板(3)的方式形成。成。成。


技术研发人员：佐藤祐司
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：2020.05.28
技术公布日：2023/2/3