通过组合来自多个收集通道的信息的设计与晶片图像相关性的制作方法

通过组合来自多个收集通道的信息的设计与晶片图像相关性
1.相关申请案的交叉参考
2.本技术案主张2020年6月19日申请且转让给第202041025897号申请案的印度专利申请案及2020年8月5日申请且转让给第63/061,278号美国申请案的临时专利申请案的优先权，所述申请案的全文以引用的方式并入本文中。
技术领域
3.本公开涉及半导体检验。


背景技术：

4.半导体制造行业的演化正对良率管理且尤其对计量及检验系统提出更高要求。临界尺寸继续缩小，但所述行业需减少实现高良率、高价值生产的时间。最小化从检测良率问题到解决所述问题的总时间最大化半导体制造商的投资回报率。
5.制造半导体装置(例如逻辑及存储器装置)通常包含使用大量制造工艺处理半导体晶片以形成所述半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻是半导体制造工艺，其涉及将图案从光罩转印到布置在半导体晶片上的光致抗蚀剂。半导体制造工艺的额外实例包含但不限于化学机械抛光(cmp)、蚀刻、沉积及离子植入。可将在单个半导体晶片上制造的多个半导体装置的布置分离成个别半导体装置。
6.在半导体制造期间的各个步骤使用检验工艺来检测晶片上的缺陷以在制造工艺中促进更高良率及因此更高利润。检验始终是制造例如集成电路(ic)的半导体装置的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检验对于可接受半导体装置的成功制造变得更加重要，这是因为较小缺陷能够引起装置失效。例如，随着半导体装置的尺寸减小，检测减小尺寸的缺陷变得必要，这是因为即使相对较小缺陷也可在半导体装置中引起不必要像差。
7.然而，随着设计规则收紧，半导体制造工艺可更接近于工艺的性能能力的限制而操作。另外，随着设计规则收紧，较小缺陷能够影响装置的电参数，这驱使更灵敏的检验。随着设计规则收紧，通过检验检测到的潜在良率相关缺陷的群体显著增长，且通过检验检测到的扰乱点缺陷的群体也显著增加。因此，可在晶片上检测到更多缺陷，且校正工艺以消除所有缺陷可为困难且昂贵的。确定哪些缺陷实际上影响装置的电参数及良率可容许工艺控制方法专注于所述缺陷，同时大体上忽略其它缺陷。此外，在较小设计规则下，工艺引发的故障在些情况中倾向于是系统性的。即，工艺引发的故障倾向于在通常在设计内重复许多次的预定设计图案下发生故障。空间系统性、电相关缺陷的消除能够对良率具有影响。
8.晶片图像可需要与用于检验及缺陷检测的晶片的设计文件对准。使用来自一个收集通道的晶片图像执行设计对准。特定信息仅能够使用一个通道收集。如果设计信息在这些条件下被视为与晶片图像对准，那么在晶片图像与设计文件的对准期间可能存在不准确性。这将导致在随后检验步骤中的关照区域的不正确放置。
9.因此，需要用于晶片检验的新技术。


技术实现要素：

10.在第一实施例中提供一种方法。所述方法包括使用光学检验系统产生半导体晶片上的特征的至少三个暗场图像。所述至少三个暗场图像中的每一者来自所述光学检验系统的不同通道。用于所述光学检验系统中的所述通道中的每一者的孔隙在产生期间完全敞开。使用处理器融合所述至少三个暗场图像以形成伪晶片图像。使用所述处理器将所述伪晶片图像与对应设计对准。
11.所述不同通道能够包含至少一个侧通道及至少一个顶部通道。
12.所述方法能够包含使用所述处理器将用于检验的关照区域汇入到所述伪晶片图像。还能够使用所述处理器确定所述关照区域的放置准确性。
13.在第二实施例中提供一种光学系统。所述光学系统包括：载物台，其经配置以固持半导体晶片；光源，其产生经引导到所述载物台的光；光学器件，其接收来自所述载物台上的所述半导体晶片的光且提供三个通道；三个孔隙，其接收来自所述载物台上的所述半导体晶片的光；三个检测器，其接收来自所述载物台上的所述半导体晶片的光；及处理器，其与所述三个检测器电子通信。所述三个检测器中的每一者接收来自所述三个通道中的不同一者的光。所述三个孔隙中的每一者接收来自所述三个通道中的不同一者的光。所述处理器经配置以：产生所述半导体晶片上的特征的至少三个暗场图像；融合所述至少三个暗场图像以形成伪晶片图像；及将所述伪晶片图像与对应设计对准。所述三个暗场图像中的每一者来自所述三个通道中的不同一者。
14.所述光源能够包含激光器。
15.所述孔隙能够在所述产生期间完全敞开。
16.所述三个通道能够包含至少一个侧通道及至少一个顶部通道。
17.所述处理器能够进一步经配置以将用于检验的关照区域汇入到所述伪晶片图像且确定所述关照区域的放置准确性。
18.在第三实施例中提供一种非暂时性计算机可读存储媒体。所述非暂时性计算机可读存储媒体包括用于在一或多个计算装置上执行以下步骤的一或多个程序。融合至少三个暗场图像以形成伪晶片图像。所述三个暗场图像包含使用光学检验系统形成的半导体晶片上的特征。所述至少三个暗场图像中的每一者来自所述光学检验系统的不同通道。用于所述光学检验系统中的所述通道中的每一者的孔隙针对所述至少三个暗场图像完全敞开。所述伪晶片图像与对应设计对准。
19.所述不同通道能够包含至少一个侧通道及至少一个顶部通道。
20.所述步骤能够进一步包含使用关照区域确定放置准确性。
21.所述步骤能够进一步包含将用于检验的关照区域汇入到所述伪晶片图像。
22.所述步骤能够进一步包含确定所述关照区域的放置准确性。
附图说明
23.为更全面地了解本公开的性质及目的，应结合附图参考以下详细描述，其中：
24.图1是根据本公开的方法的流程图；
25.图2是使用图1的方法的实例；
26.图3及4是改变图1的方法的一些参数的实例；及
27.图5是根据本公开的光学检验系统的图。
具体实施方式
28.尽管根据特定实施例描述所主张的标的物，但其它实施例(包含不提供本文中阐述的所有益处及特征的实施例)也在本公开的范围内。可在不偏离本公开的范围的情况下进行各种结构、逻辑、工艺步骤、及电子改变。因此，本公开的范围仅通过参考所附权利要求书来定义。
29.在晶片检验期间使用设计文件。设计文件能够实现关照区域的精准放置及晶片上的缺陷的基于设计的分组(dbg)。在这个程序期间，设计文件与检验工具相机图像之间的经改进对准能够改进关照区域放置。在灰场及暗场系统(模式)中，归因于捕获图像的方式，这可具有挑战性。有时，所述挑战是归因于分段收集架构(即，多于一个收集通道)，这可仅捕获每个给定通道中的特定信息。收集通道的孔隙设置也可影响设计对准。本文中公开的实施例通过增加相关性来证实准确设计放置。
30.如本文中所公开，来自多个收集路径的信息可用于产生用于设计相关性的新伪晶片图像。这改进准确性。图1展示方法100的流程图。方法100中的全部步骤的一些步骤能够使用或涉及处理器。
31.在101，使用光学检验系统产生半导体晶片上的特征的至少三个暗场图像。至少三个暗场图像中的每一者来自光学检验系统的不同通道。暗场图像排除来自图像的未经散射光束且使用并非图像的部分的光照明晶片，这表示晶片周围的场通常是暗色的且图像呈现为具有亮色物体的暗色背景。在例子中，不同通道可包含至少一个侧通道及至少一个顶部通道。例如，这可包含两个侧通道及一个顶部通道。光学检验系统中的至少一个孔隙(例如，所有孔隙)在产生期间完全敞开。
32.在例子中，在使用激光检验技术的光学检验系统中存在两个侧通道及一个顶部通道。这些能够产生三个暗场图像。使用来自至少一个侧通道及顶部通道的信息能够表示整体图像。添加来自第二侧通道的信息能够改进整体图像质量。
33.通常，光学检验系统中的孔隙在检验期间经部分遮挡以滤除背景中的重复结构。这通常有助于检测缺陷。然而，部分遮挡孔隙可导致在获取用于设计对准的晶片图像时丢失信息。当孔隙经部分遮挡时，一些或大部分信息可能丢失。因此，完全敞开孔隙使用本文中公开的实施例提供来自晶片图像的更完整信息。
34.在102，融合至少三个暗场图像以形成伪晶片图像。可通过来自多个通道的晶片图像的重叠堆叠实现融合。在使用激光扫描系统的实施例中，融合技术涉及应用来自不同通道的强度值的几何平均值。
35.在103，将伪晶片图像与对应设计对准。首先，扫描晶片的部分且能够识别少量目标剪辑。这些设计剪辑能够与晶片图像重叠且使其看起来像晶片图像。基于所选择目标的用户对准来确定所呈现图像与晶片图像之间的偏移。可将偏移应用于所有经收集晶片图像。
36.用于检验的关照区域可被汇入到伪晶片图像。能够使用所述处理器来确定关照区域的放置准确性。例如，能够通过收集作业转储(其模拟小区域上的实际晶片检验)且确认晶片图像上的关照区域放置来验证放置准确性。接着，可将光学设置设置为通常的检验条
件。能够使用方法100来实现经改进晶片图像与设计相关性，这增加了关照区域放置的准确性。
37.关照区域的放置可结合晶片检验使用。也在晶片检验期间使用设计导引检验。对于任一检验技术，与设计的晶片图像对准应尽可能准确。如果用于设计相关性的晶片图像本身不包含用于对准的所有信息，那么可能难以自信地放置关照区域。通过合并来自多个收集路径的信息且使用敞开孔隙形成的所公开伪晶片图像能够防止信息丢失。如果设计与晶片图像更准确地对准，那么关照区域放置也将是准确的。
38.研究收集通道中的不同孔隙设置的效果。图2是使用方法100的实例。图3及4是改变方法100的一些参数的实例。在图2中，在左侧说明设计剪辑。设计剪辑表示半导体晶片的实际设计。在图2中说明两个晶片图像。在孔隙完全敞开的情况下产生晶片图像。一个晶片图像从收集路径a获取，其主要包含(或仅包含)水平分量。另一晶片图像从收集路径b获取，其主要包含(或仅包含)垂直分量。单独来说，两个晶片图像具有与设计剪辑的不良相关性。然而，如果两个晶片图像经合并以形成包含垂直及水平信息的伪晶片图像，那么伪晶片图像与设计剪辑的相关性是100％。图2展示完全敞开孔隙设置下的相关性，其证实使用完全敞开孔隙设置且合并来自多个收集路径的图像信息能够实现较高晶片图像到设计相关性。
39.在例子中，使用激光技术的光学检验系统具有两个收集路径a及一个收集路径b。这能够针对许多不同晶片结构提供经改进伪晶片图像，这将导致经改进检验结果。
40.相比之下，孔隙在图3中未完全敞开。代替地，使用用于一般检验的共同孔隙设置。如图3中所见，孔隙设置消除用于检验目的的水平模式信息(路径a)。与图2相比，检验孔隙条件可不提供可接受设计相关性。此外，不能完全敞开孔隙，背景在所得图像中可能不清晰，这可表示在检验期间错失重复缺陷。
41.如图3中所展示，未完全敞开的通用孔隙设置移除收集路径a上的晶片图像信息。在缺陷检测阶段期间移除这个信息是有用的，这是因为其增强缺陷的信噪比。然而，在设计对准期间，具有完全敞开孔隙的完整晶片图像信息能够确保更准确的关照区域放置。
42.在图4中说明仅一个收集通道的使用。当对准设计信息与晶片图像时，在未完全敞开的孔隙设置下使用收集通道中的一者导致与设计的低相关性。
43.在图5中展示系统200的一个实施例。系统200包含基于光学的子系统201。一般来说，基于光学的子系统201经配置以通过将光引导到(或使光扫描遍及)试样202且检测来自试样202的光而针对试样202产生基于光学的输出。在一个实施例中，试样202包含晶片。晶片可包含此项技术中已知的任何晶片。在另一实施例中，试样202包含光罩。光罩可包含此项技术中已知的任何光罩。
44.在图5中展示系统200的实施例。基于光学的子系统201包含经配置以将光引导到试样202的照明子系统。照明子系统包含至少一个光源。例如，如图5中展示，照明子系统包含光源203。在一个实施例中，照明子系统经配置以按一或多个入射角(其可包含一或多个倾斜角及/或一或多个法线角)将光引导到试样202。在例子中，系统200具有一个法线入射角。例如，如图5中展示，来自光源203的光以倾斜入射角引导通过光学元件204且接着透镜205而到试样202。倾斜入射角可包含任何合适的倾斜入射角，其可取决于例如试样202的特性而变化。
45.基于光学的子系统201可经配置以在不同时间按不同入射角将光引导到试样202。
例如，基于光学的子系统201可经配置以更改照明子系统的一或多个元件的一或多个特性，使得光能够按与图5中展示的入射角不同的入射角引导到试样202。在一个此实例中，基于光学的子系统201可经配置以移动光源203、光学元件204及透镜201，使得光按不同倾斜入射角或法线(或近法线)入射角引导到试样202。
46.在一些例子中，基于光学的子系统201可经配置以在相同时间或不同时间按多于一个入射角将光引导到试样202。例如，照明子系统可包含多于一个照明通道，所述照明通道中的一者可包含如图5中展示的光源203、光学元件204及透镜205且所述照明通道中的另一者(未展示)可包含可不同地或相同地配置的类似元件，或可包含至少一光源及可能例如本文中进一步描述的一或多个其它组件。如果此光与另一光同时引导到试样，那么按不同入射角引导到试样202的光的一或多个特性(例如，波长、偏光等)可不同，使得源自按不同入射角照明试样202的光能够在检测器处彼此区分。
47.在另一例子中，照明子系统可包含仅一个光源(例如，图5中展示的光源203)且来自光源的光可通过照明子系统的一或多个光学元件(未展示)分离成不同光学路径(例如，基于波长、偏光等)。不同光学路径中的每一者中的光可接着经引导到试样202。多个照明通道可经配置以在相同时间或不同时间将光引导到试样202(例如，当使用不同照明通道循序照明试样时)。在另一例子中，相同照明通道可经配置以在不同时间使用不同特性将光引导到试样202。例如，在一些例子中，光学元件204可经配置为光谱滤波器且光谱滤波器的性质能够以多种不同方式改变(例如，通过置换出光谱滤波器)，使得光的不同波长能够在不同时间引导到试样202。照明子系统可具有此项技术中已知的任何其它合适配置以用于将具有不同或相同特性的光按不同或相同入射角循序或同时引导到试样202。在另一例子中，每个通道使用光的相同波长。
48.在一个实施例中，光源203可包含激光器。然而，光源可包含例如宽带等离子(bbp)源的任何其它合适光源。激光器可包含此项技术中已知的任何合适激光器且可经配置以产生此项技术中已知的任何合适波长的光。此外，激光器经配置以产生单色或近单色的光。以此方式，激光器可为窄频激光器。光源203还可包含多色光源，其产生多个离散波长或波段的光。
49.来自光学元件204的光可由透镜205聚焦到试样202上。尽管透镜205在图5中展示为单折射光学元件，但应了解，实际上，透镜205可包含若干折射及/或反射光学元件，其组合地将来自光学元件的光聚焦到试样。图5中展示及本文中描述的照明子系统可包含任何其它合适的光学元件(未展示)。这些光学元件的实例包含但不限于偏光组件、光谱滤波器、空间滤波器、反射光学元件、变迹器、分束器(例如分束器213)、孔隙及类似物，其可包含此项技术中已知的任何这种合适光学元件。此外，基于光学的子系统201可经配置以基于照明类型来更改照明子系统的一或多个元件以用于产生基于光学的输出。
50.每一通道能够具有其自身的孔隙。孔隙是元件208、元件211及元件218的实例。系统200中的孔隙能够完全敞开以获得暗场图像。
51.基于光学的子系统201还可包含扫描子系统，其经配置以使光扫描遍及试样202。例如，基于光学的子系统201可包含载物台206，试样202在基于光学的输出产生期间被安置在载物台上。扫描子系统可包含任何合适机械及/或机器人组合件(其包含载物台206)，其能够经配置以移动试样202，使得光能够扫描遍及试样202。此外或替代地，基于光学的子系
统201可经配置使得基于光学的子系统201的一或多个光学元件执行光遍及试样202的某种扫描。光可以任何合适方式(例如以蛇形路径或以螺旋形路径)扫描遍及试样202。
52.基于光学的子系统201进一步包含一或多个检测通道。一或多个检测通道中的至少一者包含检测器，所述检测器经配置以检测归因于子系统对试样202的照明而来自试样202的光且响应于检测到的光而产生输出。例如，图5中展示的基于光学的子系统201包含三个检测通道，一个检测通道由收集器207、元件208及检测器209形成，另一检测通道由收集器210、元件211及检测器212形成，且一个检测通道由收集器216、元件217及检测器218形成。如图5中展示，三个检测通道经配置以按不同收集角度收集及检测光。在一些例子中，一或多个检测通道经配置以检测散射光，且检测通道经配置以检测按不同角度从试样202散射的光。然而，一或多个检测通道可经配置以检测来自试样202的另一类型的光(例如，反射光)。
53.在图5中，具有检测器212及检测器218的侧通道可为收集路径a的实例。使用检测器209的顶部通道可为收集路径b的实例。
54.如图5中进一步展示，检测通道经展示为定位于纸平面中，且照明子系统也经展示为定位于纸平面中。因此，在这个实施例中，两个检测通道经定位(例如，居中)于入射平面中。然而，一或多个检测通道可经定位于入射平面外。例如，由收集器210、元件211及检测器212形成的检测通道可经配置以收集及检测从入射平面散射的光。因此，此检测通道通常可被称为“侧”通道，且此侧通道可在大体上垂直于入射平面的平面中居中。
55.尽管图5展示包含三个检测通道的基于光学的子系统201的实施例，但基于光学的子系统201可包含不同数量的检测通道(例如，一个检测通道、两个检测通道或多于三个检测通道)。在一个此例子中，由收集器210、元件211及检测器212形成的检测通道可形成如上文描述的一个侧通道，且基于光学的子系统201可包含形成为定位于入射平面的相对侧上的另一侧通道的额外检测通道(未展示)。因此，基于光学的子系统201可包含检测通道，其包含收集器207、元件208及检测器209且在入射平面中居中且经配置以按处于或近法向于试样202表面的散射角收集及检测光。因此，此检测通道通常可被称为“顶部”通道，且基于光学的子系统201还可包含如上文描述般配置的两个或更多个侧通道。因而，基于光学的子系统201可包含至少三个通道(即，一个顶部通道及两个侧通道)，且至少三个通道中的每一者具有其自身的收集器，其中的每一者经配置以按不同于其它收集器中的每一者的散射角来收集光。
56.如上文进一步描述，包含在基于光学的子系统201中的检测通道中的每一者可经配置以检测散射光。因此，图5中展示的基于光学的子系统201可经配置用于针对试样202的暗场(df)输出产生。然而，基于光学的子系统201也可或替代性地包含经配置用于针对试样202的明场(bf)输出产生的检测通道。换句话来说，基于光学的子系统201可包含经配置以检测从试样202镜面反射的光的至少一个检测通道。因此，本文中描述的基于光学的子系统201可经配置用于仅df、仅bf或df及bf两者的成像。尽管收集器中的每一者在图5中被展示为单折射光学元件，但应了解，收集器中的每一者可包含一或多个折射光学裸片及/或一或多个折射光学元件。
57.一或多个检测通道可包含此项技术中已知的任何合适检测器。例如，检测器可包含光电倍增管(pmt)、电荷耦合装置(ccd)、延时积分(tdi)相机及此项技术中已知的任何合
适检测器。检测器还可包含非成像检测器或成像检测器。以此方式，如果检测器是非成像检测器，那么检测器中的每一者可经配置以检测散射光的特定特性(例如强度)，但可不经配置以依据成像平面内的位置检测这些特性。因而，由包含在基于光学的子系统的检测通道中的每一者中的检测器中的每一者产生的输出可为信号或数据，而不是图像信号或图像数据。在这些例子中，处理器(例如处理器214)可经配置以从检测器的非成像输出产生试样202的图像。然而，在其它例子中，检测器可经配置为成像检测器，其经配置以产生图像信号或图像数据。因此，基于光学的子系统可经配置以按若干方式产生本文中描述的光学图像或其它基于光学的输出。
58.应注意，本文中提供图5以大体上说明可包含在本文中描述的系统实施例中或可产生由本文中描述的系统实施例使用的基于光学的输出的基于光学的子系统201的配置。本文中描述的基于光学的子系统201配置可经更改以优化基于光学的子系统201的性能，如在设计商业输出获取系统时通常所执行。此外，本文中描述的系统可使用现有系统来实施(例如，通过将本文中描述的功能性添加到现有系统)。对于一些这种系统，本文中描述的方法可提供为系统的任选功能性(例如，除系统的其它功能性之外)。替代性地，本文中描述的系统可被设计为全新系统。
59.处理器214可以任何合适方式耦合到系统200的组件(例如，经由一或多个传输媒体，其可包含有线及/或无线传输媒体)，使得处理器214能够接收输出。处理器214可经配置以使用所述输出执行若干功能。系统200能够从处理器214接收指令或其它信息。处理器214及/或电子数据存储单元215任选地可与晶片检验工具、晶片计量工具或晶片重检工具(未说明)电子通信以接收额外信息或发送指令。例如，处理器214及/或电子数据存储单元215可与扫描电子显微镜电子通信。
60.本文中描述的处理器214、其它系统或其它子系统可为各种系统的部分，包含个人计算机系统、图像计算机、大型计算机系统、工作站、网络设备、因特网设备或其它装置。子系统或系统还可包含此项技术中已知的任何合适处理器，例如平行处理器。此外，子系统或系统可包含具有高速处理的平台及软件(作为独立或联网工具)。
61.处理器214及电子数据存储单元215可安置于系统200或另一装置中或可为系统200或另一装置的部分。在实例中，处理器214及电子数据存储单元215可为独立控制单元的部分或可在集中质量控制单元中。可使用多个处理器214或电子数据存储单元215。
62.处理器214实际上可由硬件、软件及固件的任何组合实施。又，如本文中描述的其功能可由一个单元执行，或在不同组件当中划分，其中的每一者又可由硬件、软件及固件的任何组合来实施。使处理器214实施各种方法及功能的程序代码或指令可存储在可读存储媒体中，例如电子数据存储单元215中的存储器或其它存储器。
63.如果系统200包含多于一个处理器214，那么不同子系统可彼此耦合，使得能够在子系统之间发送图像、数据、信息、指令等。例如，一个子系统可由任何合适传输媒体耦合到额外子系统，所述传输媒体可包含此项技术中已知的任何合适有线及/或无线传输媒体。这些子系统中的两者或更多者也可由共用计算机可读存储媒体(未展示)有效地耦合。
64.处理器214可经配置以使用系统200的输出或其它输出执行若干功能。例如，处理器214可经配置以将输出发送到电子数据存储单元215或另一存储媒体。可如本文中描述般进一步配置处理器214。
65.处理器214可根据本文中描述的任何实施例来配置。处理器214还可经配置以使用系统200的输出或使用来自其它来源的图像或数据执行其它功能或额外步骤。
66.系统200及本文中公开的方法的各种步骤、功能及/或操作通过以下一或多者来实行：电子电路、逻辑门、多路复用器、可编程逻辑装置、asic、模拟或数字控制件/开关、微控制器或计算系统。实施例如本文中描述的方法的程序指令可经由载体媒体传输或存储在载体媒体上。载体媒体可包含例如只读存储器、随机存取存储器、磁盘或光盘、非易失性存储器、固态存储器、磁带及类似物的存储媒体。载体媒体可包含例如电线、电缆或无线传输链路的传输媒体。例如，可由单个处理器214或替代地多个处理器214实行贯穿本公开描述的各种步骤。此外，系统200的不同子系统可包含一或多个计算或逻辑系统。因此，上述描述不应被解释为对本公开的限制，而仅是说明。
67.在例子中，处理器214与系统200通信。处理器214经配置以：产生半导体晶片上的特征的至少三个暗场图像；融合至少三个暗场图像以形成伪晶片图像；及对准伪晶片图像与对应设计。处理器214能够进一步经配置以将用于检验的关照区域汇入到伪晶片图像且确定关照区域的放置准确性。
68.额外实施例涉及一种非暂时性计算机可读存储媒体，其存储可在控制器上执行以执行用于产生伪晶片图像且将伪晶片图像对准到设计的计算机实施方法的程序指令，如本文中所公开。具体来说，如图5中展示，电子数据存储单元215或其它存储媒体可含有非暂时性计算机可读媒体，其包含可在处理器214上执行的程序指令。计算机实施方法可包含本文中描述的任何方法(包含方法100)的任何步骤。具体来说，所述步骤能够包含融合至少三个暗场图像以形成伪晶片图像且对准伪晶片图像与对应设计。至少三个暗场图像能够包含使用光学检验系统的半导体晶片上的特征。
69.程序指令可以各种方式中的任一者实施，包含基于程序的技术、基于组件的技术及/或面向对象的技术等。例如，程序指令可视需要使用activex控件、c 对象、javabeans、微软基础类(mfc)、流式simd扩展(sse)或其它技术或方法来实施。
70.尽管已关于一或多个特定实施例来描述本公开，但应了解，可在不偏离本公开的范围的情况下进行本公开的其它实施例。因此，本公开被视为仅受限于所附权利要求书及其合理解释。