用于检测晶片探针器中的力发生器不对准的系统和方法与流程

技术特征：
1.一种用于监测用于半导体晶片的电测试的晶片探针器的系统，所述系统包括：光学传感器系统，所述光学传感器系统被配置为监测所述晶片探针器的力发生器的对准，所述光学传感器系统包括：发射器和接收器，所述发射器和所述接收器两者均附连到(a)所述力发生器或(b)参照结构中的一者；和反射器，所述反射器附连到(a)所述力发生器或(b)所述参照结构中的另一者；其中所述发射器被配置为向所述反射器发射辐射；并且其中所述接收器被配置为：接收来自所述反射器的反射辐射，所述反射辐射包括由所述发射器发射并且由所述反射器反射的所述辐射的至少一部分；以及生成随着在所述接收器处接收的所述反射辐射而变化的输出信号；对准监测电路，所述对准监测电路被配置为：基于由所述光学传感器系统的所述接收器生成的所述输出信号标识所述力发生器相对于所述参照结构的不对准；以及响应于标识所述晶片探针力发生器的所述不对准而输出警报信号。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述对准监测电路被进一步配置为响应于由所述对准监测电路输出的所述警报信号，控制显示装置以显示警报通知。3.根据权利要求1至2中任一项所述的系统，其中所述对准监测电路被进一步配置为响应于由所述对准监测电路输出的所述警报信号，暂停所述晶片探针器的操作。4.根据权利要求1至3中任一项所述的系统，其中：所述晶片探针器包括被配置为保持所述半导体晶片的卡盘组件；并且所述对准监测电路被进一步配置为响应于由所述对准监测电路输出的所述警报信号，暂停所述晶片探针器的卡盘操作的竖直移动。5.根据权利要求1至4中任一项所述的系统，其中：所述力发生器被配置为在所述晶片探针器的正常操作期间相对于所述参照结构移动；所述光学传感器系统的所述反射器被附连到所述力发生器；并且所述光学传感器系统的所述发射器和所述接收器被附连到所述参照结构。6.根据权利要求5所述的系统，其中所述参照结构包括所述晶片探针器的台板。7.根据权利要求1至6中任一项所述的系统，其中：所述力发生器被配置为在所述晶片探针器的正常操作期间相对于所述参照结构移动；所述光学传感器系统的所述反射器被附连到所述参照结构；并且所述光学传感器系统的所述发射器和所述接收器被附连到所述力发生器。8.根据权利要求1至7中任一项所述的系统，其中：所述力发生器承载支承所述半导体晶片的卡盘组件；所述力发生器被配置为在所述晶片探针器的正常操作期间相对于所述参照结构沿至少一个轴线线性平移；并且所述对准监测电路被配置为标识由于所述力发生器相对于所述参照结构的旋转移动而导致的所述晶片探针力发生器的不对准。9.根据权利要求1至8中任一项所述的系统，其中：
所述力发生器承载支承所述半导体晶片的卡盘组件；并且所述对准监测电路包括继电器，所述继电器被配置为根据(a)由所述光学传感器系统的所述接收器生成的所述输出信号和(b)指示所述力发生器或所述卡盘组件的受控移动的控制信号来生成所述警报信号。10.根据权利要求1至9中任一项所述的系统，其中所述光学传感器系统的所述发射器被配置为发射红外光束。11.根据权利要求1至10中任一项所述的系统，其中所述光学传感器系统的所述发射器包括被配置为发射激光辐射的激光二极管。12.根据权利要求1至11中任一项所述的系统，其中所述光学传感器系统的所述发射器和所述接收器中的每一者被设置在相应的光纤的端部处。13.根据权利要求1至12中任一项所述的系统，其中：由所述接收器生成的所述输出信号指示在所述接收器处接收的反射辐射的量度；并且所述对准监测电路被配置为：将在所述接收器处接收的反射辐射的所述量度与阈值进行比较；以及基于所述比较来标识接收到的辐射异常；以及响应于检测到(a)所接收到的辐射异常和(b)所述力发生器或由所述力发生器支承的卡盘的限定的控制移动，标识所述晶片探针力发生器相对于所述参照结构的不对准。14.根据权利要求1至12中任一项所述的系统，其中：由所述接收器生成的所述输出信号指示在所述接收器处接收的反射辐射的量度；并且所述对准监测电路被配置为：将在所述接收器处接收的反射辐射的所述量度与阈值进行比较；以及基于在所述接收器处接收的反射辐射的所述量度与所述阈值的所述比较，标识所述晶片探针力发生器相对于所述参照结构的不对准。15.根据权利要求1至13中任一项所述的系统，其中所述反射器包括平面反射镜或其他平面反射器。16.一种用于监测用于半导体晶片的电测试的晶片探针器的方法，所述方法包括：操作所述晶片探针器以用于所述半导体晶片的电测试，其中操作所述晶片探针器包括相对于参照结构移动支承所述半导体晶片的力发生器，以相对于用于在所述半导体晶片上执行电测试的测试装置定位所述半导体晶片；其中光学传感器系统的发射器和接收器被附连到所述力发生器和所述参照结构中的一者，并且反射器被附连到所述力发生器和所述参照结构中的另一者；在所述晶片探针器的操作期间，从所述发射器向所述反射器发射辐射；在所述接收器处接收反射辐射，所述反射辐射包括由所述发射器发射并且由所述反射器反射的所述辐射的至少一部分；由所述光学传感器系统的所述接收器生成随着在所述接收器处接收的所述反射辐射而变化的输出信号；基于由所述光学传感器系统的所述接收器生成的所述输出信号监测所述力发生器相对于所述参照结构的对准；基于由所述光学传感器系统的所述接收器生成的所述输出信号标识所述力发生器相
对于所述参照结构的不对准；以及响应于标识所述晶片探针力发生器的所述不对准而输出警报信号。17.根据权利要求16所述的方法，还包括响应于由所述对准监测电路输出的所述警报信号，控制显示装置以显示警报通知。18.根据权利要求16至17中任一项所述的方法，还包括响应于由所述对准监测电路输出的所述警报信号，自动暂停所述晶片探针器的操作。19.根据权利要求16至18中任一项所述的方法，其中所述力发生器承载支承所述半导体晶片的卡盘组件。20.根据权利要求19所述的方法，其中所述方法包括响应于由所述对准监测电路输出的所述警报信号，自动暂停所述晶片探针器的卡盘操作的竖直移动。21.根据权利要求16至20中任一项所述的方法，其中：在所述晶片探针器的正常操作期间，所述力发生器相对于所述参照结构沿至少一个轴线线性平移；并且所标识的所述力发生器相对于所述参照结构的不对准由所述力发生器相对于所述参照结构的旋转移动引起。

技术总结
本发明提供了一种用于在用于半导体晶片的电测试的晶片探针器中检测力发生器不对准(例如，由于力发生器失准(FLR))的系统。该系统包括光学传感器系统，该光学传感器系统包括附连到该力发生器或参照结构(例如，探针器台板)的发射器和接收器，以及附连到该力发生器或参照结构中的另一者的反射器。该发射器向该反射器发射辐射，该反射器向该接收器反射该辐射。该接收器检测所反射的辐射，并且生成指示所接收到的辐射的量的输出信号。对准监测电路被配置为基于由该接收器生成的该输出信号来标识该力发生器相对于该参照结构(例如，台板)的不对准，并且作为响应，输出警报信号，例如，以暂停该探针器的操作以及/或者向操作者显示错误通知。通知。通知。


技术研发人员：S
受保护的技术使用者：微芯片技术股份有限公司
技术研发日：2021.02.04
技术公布日：2023/1/31