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太阳能电池及光伏组件的制作方法

2023-01-17 17:22:51 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:基底,所述基底的表面具有间隔排布的第一区以及第二区,至少一个所述第一区包括:第一部以及第二部;掺杂层,所述掺杂层位于所述第一部邻近所述基底的表面的基底内,所述掺杂层的掺杂浓度大于所述基底的掺杂浓度;导电层,所述导电层位于所述第一区的表面;钝化层,所述钝化层位于所述导电层与所述第二区的表面;多个沿第一方向间隔排布的电极,所述电极沿第二方向延伸,每一所述电极与所述第二部正对,所述电极设置于所述导电层远离所述基底的一侧,并与所述导电层电连接。2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述导电层的导电类型与所述基底的导电类型相同;所述太阳能电池还包括:隧穿介质层,所述隧穿介质层位于所述基底与所述导电层之间,且位于所述掺杂层与所述导电层之间。3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述隧穿介质层内具有重掺杂部,所述重掺杂部与所述第一部正对。4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述重掺杂部的掺杂浓度小于或等于所述掺杂层的掺杂浓度。5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述基底内掺杂n型掺杂元素或者p型掺杂元素的一者,所述导电层内掺杂n型掺杂元素或者p型掺杂元素的另一者。6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,所述导电层的材料与所述基底的材料相同。7.根据权利要求1至6任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述导电层掺杂浓度小于所述掺杂层的掺杂浓度。8.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述掺杂层的掺杂浓度为1e
20
~5e
21
cm-3
。9.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一区包括两个所述第一部,所述第二部位于相邻的所述第一部之间。10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其特征在于,沿所述第一方向,两个所述第一部的宽度相等。11.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,沿所述第一方向,所述掺杂层朝向所述电极的侧面和相邻的所述电极朝向所述掺杂层的侧面之间的第一间距大小,与所述电极和所述导电层接触面的宽度大小成正比。12.根据权利要求11所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一间距小于或等于所述电极与所述导电层接触面的宽度的1/10。13.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,沿所述第一方向,所述导电层的宽度与所述导电层和所述电极接触面的宽度的差值为预设值;所述第一部的宽度与所述预设值的比值范围为0.1~0.9。14.根据权利要求13所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一部的宽度范围为20μm~500μm。15.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述基底包括正对的第一表面以
及第二表面,所述掺杂层位于所述第一表面内和/或第二表面内。16.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,沿垂直于所述基底表面的方向,所述第二区远离所述基底的顶面低于所述第一区的顶面。17.根据权利要求16所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一区的顶面与所述第二区的顶面的高度差范围为1~20μm。18.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一区具有第一纹理结构,所述第一纹理结构至少包括一个第一凸起结构;所述第二区具有第二纹理结构,所述第二纹理结构至少包括一个第二凸起结构;所述第一凸起结构的顶面一维尺寸小于所述第二凸起结构的顶面一维尺寸;或者,单位面积内,所述第一凸起结构的数量大于等于所述第二凸起结构的数量。19.一种光伏组件,其特征在于,包括:电池串,所述电池串由多个如权利要求1~18任一项所述太阳能电池连接而成;封装层,所述封装层用于覆盖所述电池串的表面;盖板,所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。

技术总结
本申请实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池及光伏组件,太阳能电池包括:基底,所述基底的表面具有间隔排布的第一区以及第二区,至少一个所述第一区包括:第一部以及第二部;掺杂层,所述掺杂层位于所述第一部邻近所述基底的表面的基底内,所述掺杂层的掺杂浓度大于所述基底的掺杂浓度;导电层,所述导电层位于所述第一区的表面;钝化层,所述钝化层位于所述导电层与所述第二区的表面;多个沿第一方向间隔排布的电极,所述电极沿第二方向延伸,每一所述电极与所述第二部正对,所述电极设置于所述导电层远离所述基底的一侧,并与所述导电层电连接。本申请实施例提供的太阳能电池及光伏组件至少可以提升光电转换效率。伏组件至少可以提升光电转换效率。伏组件至少可以提升光电转换效率。


技术研发人员:金井升 张彼克 张昕宇
受保护的技术使用者:浙江晶科能源有限公司
技术研发日:2022.11.04
技术公布日:2022/12/9
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