显示装置及其驱动方法与流程

1.本案是关于一种显示装置，特别是关于一种能够调整发光元件的峰值波长的显示装置。


背景技术：

2.现今的显示器随着发光元件的晶粒尺寸变小，检测发光元件变异的难度大幅提升，会造成显示器色差或色彩真实度降低等问题。因此，如何降低显示器的色差并提升色彩真实度是本领域重要的议题。


技术实现要素：

3.本揭示文件提供一种显示装置。显示装置包含多个子像素。这些子像素包含第一子像素以及第二子像素。第一子像素包含第一发光元件以及第一控制电路。第一控制电路用以提供第一驱动电流予第一发光元件。第二子像素包含第二发光元件以及第二控制电路。第二控制电路用以提供第二驱动电流予第二发光元件。第一控制电路与第二控制电路用以差异化控制第一驱动电流的脉冲幅度以及第二驱动电流的脉冲幅度，借以使第一发光元件与第二发光元件两者都在目标波长在或色点范围内发光。
4.在一些实施例中，当第一驱动电流的脉冲幅度相同于第二驱动电流的脉冲幅度时，第一发光元件的峰值波长相异于与第二发光元件的峰值波长，其中控制电路差异化控制第一驱动电流的脉冲幅度以及第二驱动电流的脉冲幅度包含下列步骤。设置第一驱动电流的脉冲幅度，使第一发光元件具有目标波长或色点范围；设置第二驱动电流的脉冲幅度，使第二发光元件具有目标波长或色点范围，其中第二脉冲幅度相异于第一脉冲幅度。
5.在一些实施例中，当第一驱动电流的脉冲幅度在以及第二驱动电流的脉冲幅度在测试数值时，第一发光元件的峰值波长以及第二发光元件的峰值波长与目标波长之间的差异小于或等于15nm。
6.在一些实施例中，控制电路更用以依据第一驱动电流的脉冲幅度，控制第一驱动电流的脉冲宽度以调整第一发光元件的灰阶；并且依据第二驱动电流的脉冲幅度，控制第二驱动电流的脉冲宽度以调整第二发光元件的灰阶。
7.在一些实施例中，显示装置还包含多条数据线、多条栅极线、数据驱动器以及栅极驱动器。这些数据线每一者电性耦接位于同一列中的这些子像素。这些栅极线每一者电性耦接位于同一行中的这些子像素。数据驱动器电性耦接这些数据线。栅极驱动器电性耦接这些栅极线。
8.在一些实施例中，这些子像素各自的发光元件是由微型发光二极管晶圆转移。
9.本揭示文件提供另一种显示装置。显示装置包含多个像素。这些像素中的一者包含第一控制电路以及具有一第一发光元件的第一子像素。这些像素中的另一者包含第二控制电路以及具有第二发光元件的第二子像素。第一控制电路用以提供第一驱动电流予第一发光元件，第二控制电路用以提供第二驱动电流予第二发光元件，并且第一控制电路与第
二控制电路用以差异化控制第一驱动电流的脉冲幅度以及第二驱动电流的脉冲幅度，借以使第一发光元件与第二发光元件两者都在目标波长或在色点范围内发光。
10.本揭示文件提供一种驱动方法。驱动方法用于操作显示装置。显示装置包含多个子像素，这些子像素包含具有第一发光元件的第一子像素以及具有第二发光元件的第二子像素。驱动方法包含下列步骤。提供第一驱动电流予第一子像素；提供第二驱动电流予第二子像素；并且差异化控制第一驱动电流的脉冲幅度以及第二驱动电流的脉冲幅度，借以使第一发光元件与第二发光元件两者都在目标波长或在色点范围内发光。
11.在一些实施例中，前述差异化控制该第一驱动电流的脉冲幅度以及该第二驱动电流的脉冲幅度包含下列步骤。设置第一驱动电流的脉冲幅度，使第一发光元件具有目标波长或色点范围；并且设置第二驱动电流的脉冲幅度，使第二发光元件在目标波长或在色点范围内发光，其中第二脉冲幅度相异于第一脉冲幅度。
12.在一些实施例中，本揭示的驱动方法还包含下列步骤。依据第一驱动电流的脉冲幅度，控制第一驱动电流的脉冲宽度以调整第一发光元件的灰阶；依据第二驱动电流的脉冲幅度，控制第二驱动电流的脉冲宽度以调整该发光元件的灰阶。
13.综上所述，本揭示文件利用调整提供予发光元件的驱动电流的脉冲幅度使发光元件在目标波长或在色点范围内发光，从而增进显示器的色彩真实度、降低显示器的色差。
附图说明
14.为使本揭露的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：
15.图1为依据本揭示一实施例的显示装置的示意图；
16.图2为依据一实施例图1中的多个子像素其中一者的发光二极管封装结构的剖面图；
17.图3为依据一实施例图1中的多个子像素其中一者的发光二极管封装结构的剖面图；
18.图4为图1中的显示装置中的子像素其中一者的功能方块的示意图；
19.图5a为图1中的显示装置中相邻子像素的示意图；
20.图5b为图5a中的子像素的功能方块的示意图；
21.图6为图5b中的发光元件的发光面的示意图；
22.图7为图5b中的子像素的发光元件的峰值波长对驱动电流的波形的示意图；
23.图8a为依据本揭示一实施例的驱动方法的流程图；
24.图8b为依据本揭示一实施例的图8a的驱动方法其中两步骤的流程图；
25.图9a至图9c为依据图7的实施例，子像素的驱动电流的波形图；
26.图10为依据本揭示另一实施例的显示装置的示意图；
27.图11为图10中的显示装置中的像素其中一者的功能方块的示意图；
28.图12a为图10中的显示装置中相邻子像素的示意图；
29.图12b为图12a中的像素的功能方块的示意图；
30.图13为图12b中的像素中的相同颜色子像素的发光元件峰值波长对驱动电流的波形的示意图。
31.【符号说明】
32.为使本揭露的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附符号的说明如下：
33.100,200:显示装置
34.110m,110n:发光二极管封装结构
35.110,110a,110b,110c,210a,210b,210c:子像素
36.120,220:数据驱动器
37.130,230:栅极驱动器
38.112,212:控制电路
39.112a,212a:第一控制电路
40.112b,212b:第二控制电路
41.112c,212c:第三控制电路
42.114,214_r,214_g,214_b:发光元件
43.114a,214a_r,214a_g,214a_b:第一发光元件
44.114b,214b_r,214b_g,214b_b:第二发光元件
45.114c,214c_r,214c_g,214c_b:第三发光元件
46.210,210a,210b,210c:像素
47.117:黑色材料层
48.118:透光材料层
49.dl:数据线
50.gl:扫描线
51.tp:发光阶段
52.s100:驱动方法
53.s110,s120,s122,s124,s130,s132,s134:步骤
具体实施方式
54.下列是举实施例配合所附图示做详细说明，但所提供的实施例并非用以限制本揭露所涵盖的范围，而结构运作的描述非用以限制其执行顺序，任何由元件重新组合的结构，所产生具有均等功效的装置，皆为本揭露所涵盖的范围。另外，图示仅以说明为目的，并未依照原尺寸作图。为使便于理解，下述说明中相同元件或相似元件将以相同的符号标示来说明。
55.在全篇说明书与权利要求书所使用的用词(terms)，除有特别注明除外，通常具有每个用词使用在此领域中、在此揭露的内容中与特殊内容中的平常意义。
56.此外，在本文中所使用的用词“包含”、“包括”、“具有”、“含有”等等，均为开放性的用语，即意指“包含但不限于”。此外，本文中所使用的“及/或”，包含相关列举项目中一或多个项目的任意一个以及其所有组合。
57.于本文中，当一元件被称为“耦接”或“连接”时，可指“电性耦接”或“电性连接”。“耦接”或“连接”亦可用以表示二或多个元件间相互搭配操作或互动。此外，虽然本文中使用“第一”、“第二”、
…
等用语描述不同元件，该用语仅是用以区别以相同技术用语描述的元
件或操作。
58.请一并参阅图1至图4，图1为依据本揭示一实施例的显示装置100的示意图。图2为依据一实施例图1中的多个子像素110其中一者的发光二极管封装结构110m的剖面图。图3为依据一实施例图1中的多个子像素110其中一者的发光二极管封装结构110n的剖面图。图4为图1中的显示装置中的子像素110其中一者的功能方块的示意图。
59.如图1所示，显示装置100包含栅极驱动器130、数据驱动器120、多个子像素110、多条数据线dl以及多条扫描线gl。栅极驱动器130电性耦接多条扫描线gl；数据驱动器120电性耦接多条数据线dl。位于同一列的多个子像素110分别经由多条数据线dl中的一者电性耦接数据驱动器120；位于同一行的多个子像素110分别经由多条扫描线gl中的一者电性耦接栅极驱动器130。
60.多个子像素110可以是交错排列的红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素。举例而言，第一列至第三列的子像素110依序是红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素。
61.请参阅图1及图2，多个子像素110可以由多个发光二极管子像素实现。在一些实施例中，多个子像素110中的相邻的红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素可以由单一个发光二极管封装结构110m实施。发光二极管封装结构110m包含基板116、透光材料层118、至少一发光元件114、黑色材料层117。发光元件114电性连接至基板116的上表面。发光元件114可以由微型发光二极管芯片实现。并且前述微型发光二极管芯片可以是不同颜色的发光二极管芯片，例如红色、绿色以及蓝色发光二极管芯片。
62.需要注意的是，图2仅绘示一个发光元件114作为示例。在一个发光二极管封装结构110m之中可以包含更多的发光元件114。举例而言，可以设置三个发光元件114在一个发光二极管封装结构110n，所述三个发光元件114可以分别是红色、绿色以及蓝色发光二极管芯片，借此实现多个子像素110中的相邻的红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素各自的发光元件114。
63.在一些实施例中，发光二极管封装结构110m还包含多个控制电路(未绘示于图2)用以分别控制多个子像素110中的相邻的红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素各自的发光元件114。在另一些实施例中，用以分别控制多个子像素110中的相邻的红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素各自的发光元件114的多个控制电路设置于发光二极管封装结构110m之外。
64.在一些实施例中，发光元件114的宽度w2为1微米至100微米，例如1至5微米、5至10微米、10至25微米或25至50微米，且其厚度t2小于10微米。在一些实施例中，发光元件116发光以使发光二极管封装结构110m能够实现侧面出光se5与顶部出光te5的0.4％的比率。
65.在一些实施例中，基板116的宽度w3为100微米至1000微米。基板116用于封装宽度为1微米至100微米且厚度小于10微米的发光元件114。黑色材料117用以覆盖基板116的顶表面并且暴露发光元件114的发光表面。黑色材料层117优选具有小于10微米的厚度。在本实施例中，发光元件114的厚度实质上等于黑色材料层117的厚度，但不限于此。
66.在一些实施例中，透光材料层118覆盖发光元件114与黑色材料层117。透光材料层118的厚度t3可以是50微米。基板116的宽度与透光材料层118的厚度的比值大于或等于4。基板116可以是pcb,蓝宝石基板,玻璃基板。
67.请参阅图1及图3。在另一个实施例中，多个子像素110中的相邻的红色子像素、绿
色子像素以及蓝色子像素的发光元件及控制电路可以由发光二极管封装结构110n实施。发光二极管封装结构110n包含基板116、导电孔ch、第一导电垫cp1、第二导电垫cp2、控制电路112、第一平坦层fl1、第一重布线路层rel1、发光元件114以及封装层pal。具体的说，基板116具有相对的第一表面s1及第二表面s2。在多个实施例中，基板116可以为硬式印刷电路板、高热导系数铝基板、软式印刷电路板、可挠式基板、玻璃基板、金属复合材料板、陶瓷基板或具有诸如晶体管或集成电路(ics)的功能元件的半导体基板。
68.需要注意的是，图3仅绘示两个发光元件114及一个控制电路112作为示例。在一个发光二极管封装结构110n之中可以包含更多的发光元件114及相应的控制电路112。举例而言，可以设置三个发光元件114以及三个控制电路112在一个发光二极管封装结构110n。三个控制电路112分别用于控制三个发光元件114以执行预定功能，三个发光元件114可以分别是红色、绿色以及蓝色发光二极管芯片，但不限于此。例如，也可以将6、9个或更多r、g、b组发光二极管芯片及相应的控制电路包装在一起。在一些实施例中，控制电路112设置于基板116的第一表面s1上，如图3所示。控制电路112可以是微型驱动晶片，其尺寸介于约1微米至300微米之间。进一步的说，微型驱动晶片(控制电路112)的尺寸例如可以为10微米、30微米、50微米、70微米、100微米、120微米、150微米、200微米或250微米。
69.请参阅图4，图4为图1中的显示装置100中的子像素110其中一者的功能方块的示意图。如图4所示，子像素110包含控制电路112以及发光元件114其中控制电路112耦接发光元件114，并用以驱动发光元件114。在一些实施例中，上述多个子像素110中至少一者包含控制电路112以及发光元件114。在其他实施例中，上述多个子像素110中每一者皆包含控制电路112以及发光元件114。
70.在一些实施例中，发光元件114可以由微型发光二极管、发光二极管或其他发光元件所实现。若发光元件114是微型发光二极管，可以由微型发光二极管晶圆转移。在一些实施例中，控制电路112可以由控制电路、特别应用集成电路(asic)或其他电路所实现。
71.控制电路112用以提供驱动电流以驱动发光元件114发光。也就是说，发光元件114的发光亮度是依据控制电路112所提供的驱动电流的幅值及宽度而决定。为了更佳地理解本揭示的实施例，后续实施例中将会详细说明如何利用驱动电流的幅值及宽度而决定发光亮度。
72.请参阅图5a，图5a为图1中的显示装置100中相邻子像素的示意图。如图5a所示，子像素110a、110b及110c耦接于同一数据线dl，且可由图4中的子像素110实施。在一些实施例中，子像素110a、110b及110c可以是显示装置100中任何相邻位置且相同颜色的子像素，不以上述为限。
73.请一并参阅图5b，图5b为图5a中的子像素的功能方块的示意图。如图5b所示，子像素110a包含第一控制电路112a以及第一发光元件114a，子像素110b包含第二控制电路112b以及第二发光元件114b，子像素110c包含第三控制电路112c以及第三发光元件114c。
74.在一些实施例中，第一发光元件114a、第二发光元件114b以及第三发光元件114c可以由微型发光二极管实现。所述微型发光二极管具有宽度介于1微米至100微米。
75.请一并参阅图6，图6为图5b中的发光元件的发光面的示意图。前述微型发光二极管可以为10微米、30微米、50微米、70微米、100微米。所述微型发光二极管未配备成长基板，例如蓝宝石基板或图案化的蓝宝石基板。微型发光二极管的发光面是通过对蓝宝石基板或
图案化的蓝宝石基板进行激光剥离工艺，而微型发光二极管的发光面具有粗纹的形状，如图6所示。
76.相较于发光二极管，微型发光二极管的晶粒尺寸非常小。因而在微型发光二极管制程当中，很难个别判断整片晶圆上每一颗微型发光二极管的波长变异，从而挑选及排除不良的微型发光二极管。所谓波长变异是指在相同驱动电流下发光二极管的峰值波长与目标波长(期望波长)的差异，一般而言，即使发光二极管的波长变异只要3纳米(例如，具有530纳米的绿光及具有527纳米的绿光)，人类视觉即可察觉。因此，由于在晶圆上很难挑选及排除不良的微型发光二极管，为了增进显示器的色彩真实度，将晶圆的微型发光二极管装设至电路基板(阵列)后，可以利用其他光学设备(例如，积分球)检测电路基板(阵列)上各个微型发光二极管的峰值波长。
77.在一些实施例中，在制造微型发光二极管芯片(例如，发光于件114)在它们各自的承载基板(例如蓝宝石基板)之后且在进行转移之前，微型发光二极管芯片包含半导体叠层和支撑断点。当通过破坏支撑断点移除载体基板时，半导体叠层可以与承载基板分离。
78.在一些实施例中，支撑断点位于半导体叠层的发光面与承载基板之间。发光二极管芯片可以透过发光面发射出光线。在另一些实施例中，支撑断点位于与半导体叠层的发光面相对的表面与承载基板之间。在再一些实施例中，支撑断点位于与半导体叠层的发光面相邻的表面。
79.请一并参阅图7，图7为图5b中的子像素110a、110b及110c的发光元件的峰值波长对驱动电流的波形的示意图。如图7所示，当施加予各个子像素110a、110b及110c的发光元件的驱动电流的大小(脉冲幅值)在相同的一测试数值(例如，0.25毫安培)时，子像素110a、110b及110c的发光元件分别具有相异的峰值波长，例如，519纳米、516纳米以及513纳米，如图7中的a点、b点及c’点所示。
80.为了减少相邻且相同颜色的发光元件的峰值波长差异，在接续实施例中，会将各个子像素110a、110b及110c的发光元件调整至目标波长，并且将目标波长(期望波长)设定在513纳米作为示例。亦即，假设子像素110c的发光元件已具备目标波长。因此，为了让相邻且相同颜色的子像素在相同的目标波长发光，须要将子像素110a及110b各自的发光元件的峰值波长从519纳米以及516纳米调整至513纳米。
81.接着，请一并参阅图8a以及图8b。图8a为依据本揭示一实施例的驱动方法s100的流程图。驱动方法s100包含步骤s110、s120以及s130。图8b为依据本揭示一实施例的图8a的驱动方法s100其中两步骤s120及s130的流程图。
82.在步骤s110中，提供第一驱动电流予第一发光元件并且提供第二驱动电流予第二发光元件。举例而言，通过子像素110a之中的第一控制电路112a提供第一驱动电流予子像素110a的第一发光元件114a，通过子像素110b之中的控制电路112b提供第二驱动电流予子像素110b的第二发光元件114b。进一步而言，通过子像素110c之中的控制电路112c提供第三驱动电流予子像素110c的第三发光元件114c。
83.在步骤s120中，差异化控制第一驱动电流的脉冲幅度以及第二驱动电流的脉冲幅度，借以使第一发光元件与第二发光元件两者都具有目标波长。
84.为了更佳的理解差异化控制第一驱动电流的脉冲幅度以及第二驱动电流的脉冲幅度，请一并参阅图9a至图9c。图9a至图9c为依据图7的实施例，子像素110a、110b及110c的
驱动电流的波形图。
85.在步骤s122中，设置第一驱动电流的脉冲幅度，使第一发光元件具有目标波长。举例而言，将子像素110a的第一驱动电流由0.25毫安培调整至1毫安培，使子像素110a的第一发光元件114a自519纳米的峰值波长(a点)调整为513纳米的目标波长(a’点)。
86.在步骤s124，设置第二驱动电流的脉冲幅度，使第二发光元件具有目标波长。举例而言，将子像素110b的第二驱动电流由0.25毫安培调整至0.5毫安培，使子像素110b的第二发光元件114b自516纳米的峰值波长(b点)调整为513纳米的目标波长(b’点)。
87.由于子像素110c的峰值波长即为目标波长(513纳米)，因此不调整提供予子像素110c的第三驱动电流。
88.接着，由于在步骤s120中调整驱动电流的脉冲幅度会改变子像素的灰阶。因此，于接续步骤中s130为了使相邻子像素110a、110b及110c具有相同目标波长并能够控制子像素的灰阶，于步骤s130中会利用调整各个子像素110a、110b及110c的发光元件于发光阶段tp的占空比(duty ratio)，从而利用人类视觉暂留的现象，控制子像素110a、110b及110c的灰阶。并且，由于发光元件于发光阶段tp的占空比是依据驱动电流的脉冲宽度而决定，发光元件的波长并不会因为调整驱动电流的脉冲宽度改变。也就是说，即使调整驱动电流的脉冲宽度，发光元件的波长也可维持在定值。
89.在接续实施例中，为了示例，会将子像素110a、110b及110c调整至相同灰阶。并且，由于子像素110c的发光元件是以相对最小的驱动电流(0.25毫安培)驱动，因此将子像素110c的第三发光元件114c于发光阶段tp的占空比设定在100％。亦即，子像素110a、110b及110c的最大亮度的参考数值是子像素110c的第三驱动电流的脉冲幅度乘以其脉冲宽度(也就是0.25毫安培乘以占空比100％)，如图9c所示。
90.在步骤s120之后，接着进行步骤s130。在步骤s130中，调整第一发光元件114a以及第二发光元件114b的灰阶。在一些实施例中，步骤s130包含步骤s132以及步骤s134，如图8b所示。
91.在步骤s132中，依据第一脉冲幅度，控制第一驱动电流的第一脉冲宽度以调整第一发光元件的灰阶。举例而言，由于第一驱动电流具有1毫安培的脉冲幅度ampmax，因此，将第一驱动电流的脉冲宽度设定为具有25％的占空比。如此，可将第一发光元件114a的灰阶调整为与第三发光元件114c的灰阶一致，如图9a所示。
92.步骤s134，依据第二脉冲幅度，控制第二驱动电流的第二脉冲宽度以调整第二发光元件的灰阶。举例而言，由于第二驱动电流具有0.5毫安培的脉冲幅度，因此，将第二驱动电流的脉冲宽度设定为具有50％的占空比。如此，可将第二发光元件114b的灰阶调整为与第三发光元件114c的灰阶一致，如图9b所示。
93.在一些实施例中，经由上述步骤s110～s130亦可使第一发光元件114a及第二发光元件114b在一色点范围(例如: /-1.5～2nm)内发光。步骤s110～s130的操作方式如同前述实施例，在此不再赘述。在所述色点范围内的波长变化为人眼所不易察觉的颜色差异，故将第一发光元件114a及第二发光元件114b的发光颜色调整至前述色点范围内亦可降低发光元件的颜色差异，借此增进显示画面品质。
94.在一些实施例中，当第一驱动电流的脉冲幅度在以及第二驱动电流的脉冲幅度在测试数值时，若第一发光元件的峰值波长以及第二发光元件的峰值波长与目标波长之间的
差异小于或等于15纳米，经由上述步骤s110～s130亦可使第一发光元件114a及第二发光元件114b在目标波长或在前述色点范围内发光。
95.值得注意的是，为了使子像素110a、110b及110c具有相同的目标波长，各个子像素110a、110b及110c中的发光元件的驱动电流的脉冲幅度经调整后可维持不变，并利用控制各个子像素110a、110b及110c的驱动电流的脉冲宽度达到显示不同灰阶的效果。
96.在一些实施例中，可在显示面板出厂前设定各个子像素110的驱动电流的脉冲幅度，使其维持定值并降低色差而增进色彩真实度。再依据查找表控制提供给各个子像素110的驱动电流的脉冲宽度，以显示在相应的灰阶。
97.在本揭示的另一个实施例中，请参阅图10。图10为依据本揭示另一实施例的显示装置200的示意图。显示装置200包含栅极驱动器230、数据驱动器220、多个像素210、多条数据线dl以及多条扫描线gl。栅极驱动器230电性耦接多条扫描线gl；数据驱动器220电性耦接多条数据线dl。位于同一列的多个像素210分别经由多条数据线dl中的一者电性耦接数据驱动器220；位于同一行的多个像素210分别经由多条扫描线gl中的一者电性耦接栅极驱动器230。多个像素210可以由多个发光二极管像素实现。
98.请参阅图2及图10，在一些实施例中，多个像素210可以由发光二极管封装结构110m实施。虽然图2仅绘示一个发光元件114作为示例。在一个发光二极管封装结构110m之中可以包含更多的发光元件114。举例而言，可以设置三个发光元件114在一个发光二极管封装结构110n，三个发光元件114分别是红色、绿色以及蓝色发光二极管芯片，借此实现多个子像素210中的相邻的红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素各自的发光元件。
99.在一些实施例中，发光二极管封装结构110m还包含单一个控制电路(未绘示于图2)用以分别控制多个子像素210中的相邻的红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素各自的发光元件114。在另一些实施例中，用以控制多个子像素210中的相邻的红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素各自的发光元件114的单一个控制电路设置于发光二极管封装结构110m之外。
100.请参阅图3及图10，在另一个实施例中，多个像素210中的发光元件及控制电路可以由发光二极管封装结构110n实施。虽然图3中仅绘示两个发光元件114，然而，发光二极管封装结构110n可以包含更多的发光元件114。举例而言，可以设置一个控制电路112以及三个发光元件114在一个发光二极管封装结构110n，三个发光元件114分别是红色、绿色以及蓝色发光二极管芯片，但不限于此。例如，也可以将6、9个或更多r、g、b组发光二极管芯片包装在一起。
101.请参阅图11，图11为图10中的显示装置200中的像素210其中一者的功能方块的示意图。如图11所示，像素210包含控制电路212以及发光元件214其中控制电路212耦接发光元件214，并用以驱动发光元件214。在一些实施例中，上述多个像素210中至少一者包含控制电路212以及发光元件214。在其他实施例中，显示装置200中多个像素210中每一者皆包含控制电路212以及发光元件214r、214g及214b。与图4相较，图11的像素210中的发光元件214r、214g及214b是由单一个控制电路212控制及驱动。控制电路212可以由微型驱动晶片实施，其尺寸介于约1微米至300微米之间。进一步的说，微型驱动晶片(控制电路112)的尺寸例如可以为10微米、30微米、50微米、70微米、100微米、120微米、150微米、200微米或250微米。图11中发光元件214类似于图4中的发光元件114，在此不再赘述。
102.发光元件214_r、214_g及214_b分别代表红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素中各自的发光元件。控制电路212用以提供相应的驱动电流至发光元件214_r、214_g及214_b，以驱动发光元件214_r、214_g及214_b发光。
103.图12a为图10中的显示装置200中相邻子像素的示意图。其中像素210a、210b及210c可由图11中的子像素210实施，并且子像素210a、210b及210c可以是显示装置200中任何相邻位置的像素。
104.请一并参阅图12b，图12b为图12a中的像素的功能方块的示意图。如图12b所示，像素210a包含第一控制电路212a以及第一发光元件214a_r、214a_g及214a_b。第一控制电路212a用以提供相应的驱动电流予第一发光元件214a_r、214a_g及214a_b。
105.像素210b包含第二控制电路212b以及第二发光元件214b_r、214b_g及214b_b。第二控制电路212b用以提供相应的驱动电流予第二发光元件214b_r、214b_g及214b_b。
106.像素210c包含第三控制电路212c以及第三发光元件214c_r、214c_g及214c_b。第三控制电路212c用以提供相应的驱动电流予第三发光元件214c_r、214c_g及214c_b。
107.第一发光元件214a_r、第二发光元件214b_r及第三发光元件214c_r分别代表像素210a、210b及210c中的红色子像素的发光元件。第一发光元件214a_g、第二发光元件214b_g及第三发光元件214c_g分别代表像素210a、210b及210c中的绿色子像素的发光元件。第一发光元件214a_b、第二发光元件214b_b及第三发光元件214c_b分别代表像素210a、210b及210c中的蓝色子像素的发光元件。
108.请一并参阅图13，图13为图12b中的像素210a、210b及210c中的相同颜色子像素的的发光元件的峰值波长对驱动电流的波形的示意图。举例而言，在像素210a、210b及210c中各自的绿色子像素的发光元件(例如，第一发光元件214a_g、第二发光元件214b_g及第三发光元件214c_g)在施加0.25毫安培的驱动电流时的峰值波长分别是519纳米、516纳米及513纳米。
109.将像素210a、210b及210c中各自的绿色子像素的发光元件的峰值波长调整为一致目标波长的方法类似于上述图7的实施例以及步骤s110～s130。在此不再赘述。
110.综上所述，本揭示文件利用调整提供予发光元件的驱动电流的脉冲幅度使发光元件具有目标波长，再利用控制提供予发光元件的驱动电流的脉冲宽度以改变发光元件的灰阶，从而提升发光元件的利用率以减少制造成本，并增进显示器的色彩真实度、降低显示器的色差。
111.虽然本揭露已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本揭露，任何本领域通具通常知识者，在不脱离本揭露的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本揭露的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。