半导体器件及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件，包括：鳍，从衬底突出；第一栅极结构和第二栅极结构，位于所述鳍上方；介电切割图案，夹在所述第一栅极结构和第二栅极结构之间，其中，所述介电切割图案与所述鳍间隔开，并且其中，所述介电切割图案距所述衬底比所述第一栅极结构的第一栅电极和所述第二栅极结构的第二栅电极延伸地更远；衬垫层，在俯视图中围绕所述介电切割图案；以及导电部件，夹在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间，其中，所述导电部件由所述介电切割图案划分为第一段和第二段，并且其中，所述导电部件的所述第一段位于所述鳍的源极/漏极区域之上。2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：介电层，位于所述第一栅电极和所述第二栅电极上方并且与所述第一栅电极和所述第二栅电极接触，其中，所述介电层的顶表面与所述介电切割图案的顶表面齐平。3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一栅极接触插塞和第二栅极接触插塞，分别位于所述第一栅电极和所述第二栅电极上方并且分别与所述第一栅电极和所述第二栅电极接触，其中，所述第一栅极接触插塞和所述第二栅极接触插塞的顶部部分分别与所述衬垫层的相对侧壁接触。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬垫层是第一衬垫层，还包括：第二衬垫层，在所述俯视图中围绕所述导电部件的所述第一段和所述第二段中的每个。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一衬垫层比所述第二内衬层厚。6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一衬垫层与所述第二衬垫层接触。7.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：残余氧化物层，夹在所述第一衬垫层和所述第二衬垫层的底部部分之间。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬垫层的部分位于所述介电切割图案正下方，并且将所述介电切割图案与所述衬底分离而不接触。9.一种半导体器件，包括：金属栅极，位于所述半导体器件的沟道区域上方；栅极间隔件，位于所述金属栅极的侧壁上；第一衬垫层，位于所述栅极间隔件的侧壁上；介电部件，在俯视图中由所述第一衬垫层围绕，其中，所述介电部件的顶表面位于所述金属栅极的栅电极之上；以及导电部件，由所述介电部件划分为位于所述半导体器件的第一源极/漏极区域上方的第一段和位于所述半导体器件的第二源极/漏极区域上方的第二段。10.一种形成半导体器件的方法，包括：形成从衬底突出的鳍；在所述鳍上方形成第一伪栅极和第二伪栅极；在所述第一伪栅极和所述第二伪栅极上方沉积层间介电(ild)层；
分别用第一金属栅极和第二金属栅极替换所述第一伪栅极和所述第二伪栅极；图案化所述层间介电层，从而在所述第一伪栅极和所述第二伪栅极之间形成开口；在所述开口中沉积第一衬垫层；形成由所述第一衬垫层围绕的介电切割图案；去除所述层间介电层，从而形成接触沟槽；以及在所述接触沟槽中沉积导电材料，从而形成夹在所述第一金属栅极和所述第二金属栅极之间的接触件，其中，所述接触件由所述介电切割图案划分为第一段和第二段。

技术总结
半导体器件包括位于鳍上方的第一栅极结构和第二栅极结构、夹在第一栅极结构和第二栅极结构之间的介电切割图案以及围绕介电切割图案的衬垫层。介电切割图案与鳍间隔开，并且距衬底比第一栅极结构的第一栅电极和第二栅极结构的第二栅电极延伸地更远。该半导体器件还包括夹在第一栅极结构和第二栅极结构之间的导电部件。导电部件由介电切割图案划分为第一段和第二段。导电部件的第一段位于鳍的源极/漏极区域之上。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。半导体器件的方法。半导体器件的方法。


技术研发人员：黄麟淯 游力蓁 苏焕杰 庄正吉 王志豪
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.07.11
技术公布日：2022/12/12