一种具有宽漂移区的双结单光子雪崩二极管及其制备方法

1.本发明属于半导体光电探测技术领域，具体涉及一种具有宽漂移区的双结单光子雪崩二极管及其制备方法。


背景技术：

2.单光子雪崩光电二极管(single photon avalanche diode，spad)可实现对单个光子信号的快速探测，并且具有增益高、速度快、功耗低等优点，逐渐成为了单光子探测器件的主流。单光子雪崩二极管在军用、民用、商用等众多领域都有广泛应用，尤其是近红外(near infrared，nir)微弱光探测领域，如激光雷达、光通信、天文测距、荧光成像等。
3.在众多材料的单光子雪崩二极管中，硅基单光子雪崩二极管具有制作成本低、探测性能好、集成工艺成熟等特点，成为理想单光子信号探测方案的首选。但由于硅材料的光吸收截止波长约为1100nm，导致硅基单光子雪崩二极管在近红外波段的探测性能较差，这极大地限制了其在微弱光探测领域中的发展。
4.国内外研究人员对提升单光子雪崩二极管的探测性能做了巨大努力，也出现了许多有效的方法来提升其在近红外波段的探测效率，但都存在一些问题。例如，有研究者通过增加吸收层厚度来提升吸收效率，但该方法会导致过高的击穿电压和噪声，还会使得器件的响应时间增大；还有研究者通过改变材料(如ge、ingaas)来解决硅材料在近红外波段吸收效率差的问题，但由于晶格失配问题，导致器件的暗计数率非常高，且新材料的集成工艺复杂且昂贵，无法实现大规模应用。还有许多其他改善单光子雪崩二极管的性能方案，但多多少少都存在缺陷，至今仍在探寻一个接近完美的解决方案。
5.因此，如何提高硅基单光子雪崩二极管的近红外探测效率，成为微弱光信号探测领域亟需解决的关键问题之一。


技术实现要素：

6.本发明针对硅基单光子雪崩二极管探测器在近红外波段探测性能差的问题，提供了一种具有宽漂移区的双结单光子雪崩二极管及其制备方法，能够实现宽光谱范围的高探测效率，近红外波段的性能提升尤为明显。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：本发明的一个方面提供了一种具有宽漂移区的双结单光子雪崩二极管，包括p型衬底、p型外延层、p埋层、深n阱、深p阱、第一p阱、n阱、第二p阱、第一p 区、n 区、第二p 区、沟槽隔离区、第一阳极、阴极、第二阳极和衬底电极，其中，所述p型外延层位于所述p型衬底上，所述p埋层位于所述p型外延层内部，所述深n阱位于所述p埋层上方且与所述p埋层接触；所述第一p阱位于所述深n阱上方且与所述深n阱接触；所述n阱为围绕所述深n阱上表面最外侧的环状结构，且所述n阱与所述第一p阱间隔设置，所述深p阱为围绕所述p埋层上表面最外侧的环状结构，且所述深p阱与所述深n阱
间隔设置，所述第二p阱为位于所述深p阱的上表面的环状结构；所述第一p 区形成在所述第一p阱的表层中，所述n 区形成在所述n阱的表层中，所述第二p 区形成在所述第二p阱的表层中，在所述n 区的内侧和外侧分别间隔设置有一个环状的所述沟槽隔离区；所述第一阳极位于所述第一p 区上表面，所述阴极位于所述n 区上表面，所述第二阳极位于所述第二p 区上表面，所述衬底电极位于所述p型衬底下表面。
7.在本发明的一个实施例中，所述深n阱与所述p埋层的接触界面形成第一pn结，所述第一p阱与所述深n阱的接触界面形成第二pn结。
8.在本发明的一个实施例中，所述p埋层、所述深n阱和所述第一p阱均为圆柱体形状，且所述p埋层的直径大于所述深n阱的直径，所述深n阱的直径大于所述第一p阱的直径。
9.在本发明的一个实施例中，所述n阱的外径与所述n阱的直径相等，所述深p阱的外径与所述p埋层的直径相等。
10.在本发明的一个实施例中，所述第二p阱为与所述深p阱具有相同内径和相同外径的环状结构，所述第二p阱位于所述n阱的外侧且与所述n阱的外表面通过所述p型外延层间隔。
11.在本发明的一个实施例中，所述深n阱和所述深p阱具有相同的高度，所述第一p阱、所述n阱和所述第二p阱具有相同的高度。
12.在本发明的一个实施例中，位于所述n 区内侧的沟槽隔离区设置在n阱的内表面与内侧的p型外延层的界面上，位于所述n 区外侧的沟槽隔离区设置在n阱的外表面与外侧的p型外延层的界面上。
13.在本发明的一个实施例中，所述沟槽隔离区的深度小于所述n阱的深度，大于所述n 区的深度。
14.在本发明的一个实施例中，所述第一阳极、所述阴极和所述第二阳极均呈环状，所述衬底电极呈圆柱状。
15.本发明的另一方面提供了一种具有宽漂移区的双结单光子雪崩二极管的制备方法，用于制备上述实施例中任一项所述的具有宽漂移区的双结单光子雪崩二极管，所述制备方法包括：获取p型衬底，并在所述p型衬底的上表面生长p型外延层；在所述p型外延层的内部制备p埋层，在所述p埋层的上方制备深n阱，其中，所述深n阱的制备深度为2-3μm；在所述p型外延层中制备深p阱，所述深p阱位于所述p埋层上方两侧且与所述p埋层的上表面接触，其中，所述深p阱的制备深度为2-3μm；在所述深n阱的正上方制备第一p阱，在所述深n阱上方两侧制备n阱，在所述深p阱的正上方制备第二p阱；在所述第一p阱的表层中制备第一p 区，在所述n阱的表层中制备n 区，在所述第二p阱的表层中制备第二p 区；在所述n阱的两侧分别制备一个沟槽隔离区，使得所述沟槽隔离区嵌入在所述n阱与所述p型外延层之间的界面上；在所述第一p 区的上表面制备第一阳极，在所述n 区的上表面制备阴极，在所述
第二p 区的上表面制备第二阳极，在所述p型衬底的下表面制备衬底电极。
16.与现有技术相比，本发明的有益效果在于：1、探测效率高。本发明的双结单光子雪崩二极管采用双pn结结构，双雪崩区同时工作，分别吸收不同波段的光并使光生载流子发生倍增，相比传统的单雪崩区结构，额外增加了一个可以发生雪崩倍增效应的区域，可以极大地提升探测效率；本发明在衬底处额外设置一个电极，借助电荷聚焦电场效应，形成了一个低电场强度的宽漂移区，可将内部的光生载流子漂移至雪崩区内，进一步发生雪崩，这样的设置也极大地提升了探测效率，尤其是近红外波段。
17.2、光谱范围宽。本发明在提升近红外波段探测效率的同时，并未牺牲短波、长波段的探测效率，而是在原先探测效率基础上进行累加。靠近器件表面的雪崩区主要负责保持短波、长波段的探测效率，远离器件表面的雪崩区和宽漂移区主要负责提升近红外波段的探测效率。双雪崩区的共同作用及宽漂移区的辅助作用，使得该双结单光子雪崩二极管具有宽光谱探测范围的特点。
18.3、易于调制。本发明依据电荷聚焦电场效应形成宽漂移区，即设置电势差以形成漂移电场，漂移区的电场强度可通过改变第二阳极与衬底电极之间的电压进行调制，十分方便。相较掺杂形成漂移区的方式，该双结单光子雪崩二极管还具有击穿电压低、工艺简单的优点。
19.以下将结合附图及实施例对本发明做进一步详细说明。
附图说明
20.图1为本发明实施例提出的一种宽漂移区的双结单光子雪崩二极管的结构示意图；图2为本发明实施例提供的一种宽漂移区的双结单光子雪崩二极管的俯视图；图3为本发明实施例提供的一种宽漂移区的双结单光子雪崩二极管在工作模式下的光生载流子输运图；图4为本发明实施例提供的一种宽漂移区的双结单光子雪崩二极管制备方法的流程示意图；图5为本发明实施例提供的一种宽漂移区的双结单光子雪崩二极管在工作模式下的电场仿真图；图6为本发明实施例提供的一种宽漂移区的双结单光子雪崩二极管在不同过偏压下的探测效率曲线图。
21.附图标记说明：1-p型衬底；2-p型外延层；3-p埋层；4-深n阱；5-第一pn结；6-深p阱；7-第一p阱；8-n阱；9-第二p阱；10-第二pn结；11-第一p 区；12-n 区；13-第二p 区；14-沟槽隔离区；15-第一阳极；16-阴极；17-第二阳极；18-衬底电极。
具体实施方式
22.为了进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，下面结合附图及具体实施方式，对依据本发明提出的一种具有宽漂移区的双结单光子雪崩二极管及
其制备方法进行详细说明。
23.有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效，在以下配合附图的具体实施方式详细说明中即可清楚地呈现，然而所附附图仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明的技术方案加以限制。
24.应当说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。
25.实施例一请参见图1和图2，图1为本发明实施例提供的一种宽漂移区的双结单光子雪崩二极管的结构示意图，图2为本发明实施例提供的一种宽漂移区的双结单光子雪崩二极管的俯视图。该双结单光子雪崩二极管包括p型衬底1、p型外延层2、p埋层3、深n阱4、深p阱6、第一p阱7、n阱8、第二p阱9、第一p 区11、n 区12、第二p 区13、沟槽隔离区14、第一阳极15、阴极16、第二阳极17和衬底电极18。
26.p型外延层2位于p型衬底1的上方，且p型外延层2的掺杂浓度远小于p型衬底1。p埋层3、深n阱4、深p阱6、第一p阱7、n阱8、第二p阱9均位于p型外延层2中。
27.具体地，p埋层3位于p型外延层2内部，深n阱4位于p埋层3的上方且与p埋层3接触；第一p阱7位于深n阱4上方且与深n阱4接触。p埋层3、深n阱4和第一p阱7均为圆柱体形状，且p埋层3的直径大于深n阱4的直径，深n阱4的直径大于第一p阱7的直径。
28.n阱8为围绕深n阱4上表面最外侧的环状结构，n阱8位于第一p阱7的外侧，且n阱8与第一p阱7之间通过p型外延层2间隔。深p阱6为围绕p埋层3上表面最外侧的环状结构，深p阱6位于深n阱4的外侧且深n阱4之间通过p型外延层2间隔。n阱8的外径与n阱4的直径相等，深p阱6的外径与p埋层3的直径相等。
29.第二p阱9为位于深p阱6的上表面的环状结构。在本实施例中，第二p阱9为与深p阱6具有相同内径和相同外径的环状结构，且第二p阱9位于n阱8的外侧且与n阱8的外表面通过p型外延层2间隔。
30.进一步地，深n阱4与深p阱6具有相同的高度，第一p阱7、n阱8与第二p阱9具有相同的高度。换句话说，第一p阱7、n阱8和第二p阱9的上下表面分别水平对齐；深n阱4和深p阱6的上下表面分别水平对齐。其中，深n阱4是掺杂较深的n阱区，制备深度约为2-3μm，即，深n阱4下表面距离p型外延层2上表面的深度约为2-3μm；深p阱6是掺杂较深的p阱区，制备深度约为2-3μm，即，深p阱6下表面距离p型外延层2上表面的深度约为2-3μm。
31.需要说明的是，以下所说深度均为相对于p型外延层2上表面的深度。第一p 区11形成在第一p阱7的表层中间且第一p 区11的深度小于第一p阱7的深度，即第一p 区11的上表面与第一p阱7的上表面平齐，第一p 区11的下表面延伸至第一p阱7内部。在本实施例中，第一p阱7和第一p 区11均为圆柱形且第一p 区11的直径小于第一p阱7的直径。
32.n 区12形成在n阱8的表层中且n 区12的深度小于n阱8的深度，即n 区12的上表面与n阱8的上表面平齐，n 区12的下表面延伸至n阱8内部。在本实施例中，n阱8和n 区12均为
环状，且n 区12的内径大于n阱8的内径，n 区12的外径小于n阱8的外径。
33.第二p 区13形成在第二p阱9的表层中且第二p 区13的深度小于第二p阱9的深度，即第二p 区13的上表面与第二p阱9的上表面平齐，第二p 区13的下表面延伸至第二p阱9内部。在本实施例中，n阱8和第二p 区13均为环状，且第二p 区13的内径大于第二p阱9的内径，第二p 区13的外径小于第二p阱9的外径。
34.进一步地，在n 区12的内侧和外侧分别设置间隔有一个环状的沟槽隔离区14，n 区12内侧的沟槽隔离区14设置在n阱8的内表面与内侧的p型外延层2的界面上且与n 区12之间通过n阱8间隔，n 区12外侧的沟槽隔离区14设置在n阱8的外表面与外侧的p型外延层2的界面上且与n 区12之间通过n阱8间隔。
35.在本实施例中，沟槽隔离区14的深度小于n阱8的深度，但是略大于n 区12的深度。
36.继续参见图1，第一阳极15位于第一p 区11上，阴极16位于n 区12上，第二阳极17位于第二p 区13上，衬底电极18位于p型衬底1下。本实施例的第一阳极15、阴极16和第二阳极17为同心的环状结构。衬底电极18呈圆柱状。
37.在一个具体的实施例中，第一p 区11、第一p阱7、深n阱4、p埋层3、p型外延层2、n 区12、n阱8、第二p 区13、第二p阱9、深p阱6、p型衬底1的材料均包括硅；沟槽隔离区14的材料包括二氧化硅；衬底电极18、第一阳极15、阴极16、第二阳极17的材料均包括金属。
38.请参见图3，图3为本发明实施例提供的一种宽漂移区的双结单光子雪崩二极管在工作模式下的光生载流子输运图。具体地，第一p阱7与深n阱4接触形成第二pn结10，用作雪崩区(一)，负责将第二pn结10内部的光生载流子倍增，并将电子输运至阴极，将空穴输运至第一阳极；深n阱4与p埋层3接触形成第一pn结5，用作雪崩区(二)，负责将第一pn结5内部的光生载流子倍增，并将电子输运至阴极，将空穴输运至第二阳极。上下两个雪崩区分别用于探测不同波段的光子，位置较浅的雪崩区(一)主要用于探测短波长光信号，位置较深的雪崩区(二)主要用于探测长波长光信号。
39.进一步地，在第一阳极15与阴极16之间加负偏压，在第二阳极17与阴极16之间加负偏压，分别实现第二pn结10和第一pn结5的反向偏置；在第二阳极17与衬底电极18之间加正偏压，即令衬底电极18电势小于第二阳极17电势，形成电势差，进而在p型外延层2之中形成一个宽漂移区。宽漂移区借助其低强度的漂移电场，将漂移区内部产生的光生载流子漂移至雪崩区(二)中，进一步发生雪崩倍增效应。若无该漂移区作用，该区域的光生载流子只能通过扩散运动到达雪崩区(二)，该方式探测效率低，且会影响器件的响应速度；增加漂移区作用后，量子效率大幅增加，探测效率也将极大提升。
40.具体地，第一p阱7和n阱8之间覆盖有p型外延层2，深n阱4和深p阱6之间覆盖有p型外延层2。低浓度的p型外延层2一方面可将p阱区、n阱区横向隔离，另一方面可作为第二pn结10和第一pn结5的虚拟保护环，降低两个pn结的边缘电场强度，抑制边缘击穿效应，增加器件可靠性。沟槽隔离区14嵌入在n阱8与p型外延层2之间，防止器件的横向击穿，且设置于远离pn结的一侧，避免因加入沟槽隔离区14而增大噪声系数。
41.本实施例的双结单光子雪崩二极管额外增加了一个衬底电极，其与第二阳极形成电势差，在p型外延层中形成低强度漂移电场，最终形成一个很宽的漂移区。宽漂移区负责将内部吸收并产生的光生载流子漂移至雪崩区，并发生雪崩效应，极大地提升了探测效率和响应速度，且漂移电场强度十分易于调制。此外，本实施例的双结单光子雪崩二极管共包
含两个pn结，且两个pn结都作为雪崩区，分别吸收不同波段的光并使光生载流子发生倍增。相比传统的单雪崩区器件，本发明提出的双雪崩区器件的探测性能更好，具有宽光谱范围下高探测效率的优点。
42.实施例二在实施例一的基础上，本实施例提供了一种宽漂移区的双结单光子雪崩二极管的制备方法。请参见图4，该制备方法包括以下步骤：s1：获取p型衬底1，并在p型衬底1的上表面生长p型外延层2。
43.具体地，在硅片上掺入p型杂质(如硼)形成p型衬底1，并在p型衬底1的上表面生长p型外延层2。
44.s2：在p型外延层2的内部制备p埋层3，在p埋层3的上方制备深n阱4，使得p埋层3的上表面与深n阱4的下表面接触。
45.具体地，在步骤s1形成的p型外延层2表面涂敷、曝光光刻胶，待光刻胶成型后，刻蚀p埋层3对应位置的光刻胶，之后注入适当浓度的p型杂质，形成p埋层3，之后将光刻胶氧化为气体完成去胶，最后高温退火，修复si表面晶体损伤并推动杂质进一步扩散；随后利用相同的步骤，注入适当浓度的n型杂质(如磷)形成深n阱4，并使p埋层3的上表面与深n阱4的下表面接触，形成第一pn结5，作为雪崩区(二)。优选的，深n阱4是掺杂较深的n阱区，制备深度约为2-3μm。
46.s3：在p型外延层2中制备深p阱6，深p阱6位于p埋层3上方两侧且与p埋层3接触。
47.具体地，类似于步骤s2所示方法，依次完成涂胶、刻蚀、注入、去胶、高温退火等步骤，从p型外延层2的上表面两侧注入适当浓度的p型杂质，形成深p阱6，并使深p阱6的下表面与p埋层3的上表面接触，用于载流子导出到阴极；深n阱4和深p阱6相隔一定距离，之间覆盖低浓度的p型外延层2，用作第一pn结5的虚拟保护环。优选的，深p阱6是掺杂较深的p阱区，制备深度约为2-3μm。
48.s4：在深n阱4的正上方制备第一p阱7，在深n阱4两侧上方制备n阱8，在深p阱6的正上方制备第二p阱9。
49.具体地，类似于步骤s2所示方法，依次完成涂胶、刻蚀、注入、去胶、高温退火等步骤，在所述深n阱4的正上方和所述深p阱6的正上方分别注入适当浓度的p型杂质，形成第一p阱7和第二p阱9，在所述深n阱4上方两侧注入适当浓度的n型杂质，形成n阱8。第一p阱7和n阱8相隔一定距离，之间覆盖低浓度的p型外延层2，用作第二pn结10的虚拟保护环。
50.s5：在第一p阱7的表层中制备第一p 区11，在n阱8的表层中制备n 区12，在第二p阱9的表层中制备第二p 区13。
51.具体地，类似于步骤s2所示方法，依次完成涂胶、刻蚀、注入、去胶、高温退火等步骤，在第一p阱7的表层中和第二p阱9的表层中注入高浓度的p型杂质，分别形成第一p 区11和第二p 区13，在n阱8的表层中注入高浓度的n型杂质，形成n 区12。
52.s6：在n阱8的两侧分别制备一个沟槽隔离区14，使得沟槽隔离区14嵌入在n阱8与p型外延层2之间的界面上。
53.具体地，在步骤s5形成的器件表面涂光刻胶，采用干法刻蚀对n阱8和p型外延层2的交界处刻蚀形成隔离槽；随后在隔离槽中热生长一层sio2，淀积sio2填满隔离槽，形成沟槽隔离区14，最后去除所有光刻胶。
54.s7：在第一p 区11的表层上制备第一阳极15，在n 区12的表层中制备阴极16，在第二p 区13的表层中制备第二阳极17，在p型衬底1的下方制备衬底电极18。
55.具体地，在步骤s6形成的器件表面涂光刻胶并刻蚀电极位置处的光刻胶，淀积金属，分别形成第一阳极15、阴极16、第二阳极17及衬底电极18，最后去胶并高温退火；其中，第一阳极15、阴极16、第二阳极17在器件上表面生成，衬底电极18在器件下表面生成。
56.实施例三在上述实施例的基础上，本实施例主要对该双结单光子雪崩二极管的仿真结果和性能参数作详细说明。本实施例基于bi cmos工艺，根据bi cmos工艺参数进行仿真分析。
57.在本实施例中，该双结单光子雪崩二极管的结构尺寸为：器件整体为圆柱形或方形，半径约为10μm，厚度约为10μm；优选地，选取器件形状为圆柱形，以更好地抑制边缘击穿效应。第一p阱7的半径设置为4μm，深n阱4的半径设置为7μm，p埋层3的半径设置为9μm，因此雪崩区(一)和雪崩区(二)的有源区半径分别为4μm和9μm，探测面积较大。第一p阱7的深度设置为1μm，深n阱4上、下表面的深度分别设置为1μm、3μm，p埋层3上、下表面的深度分别设置为3μm、4μm，使得本发明实施例的器件在靠近器件表面处和远离器件表面处都有很好的探测性能，探测效率显著提升。p型外延层2的深度设置为8μm，使得漂移区宽度可达4μm，在该宽漂移区内的光生载流子都可漂移至雪崩区(二)，进一步发生雪崩倍增效应，从而提升了近红外波段的探测效率。
58.请参见图5，图5为本发明实施例提供的一种宽漂移区的双结单光子雪崩二极管在工作模式下的电场仿真图，其中，横坐标表示器件宽度方向的坐标，横坐标0点表示器件宽度方向的中心点；纵坐标表示器件深度方向的坐标，纵坐标0点表示器件表面，即p型外延层的上表面。在仿真设置中，将两个pn结的过偏压均设置为2v，宽漂移区的电势差决定了漂移电场强度，且电势差越大，漂移区电场强度越高。为满足载流子漂移运动所需的电场强度(一般需大于 )，并且尽可能地降低功耗，设置宽漂移区的电势差为15v。如图5所示，本发明的电场含两处峰值，分别为雪崩区(一)和雪崩区(二)，器件偏下方位置覆盖低浓度电场区域，即为宽漂移区。由图5可见，两个pn结的电场均匀性都较为优异，电场覆盖范围也十分广泛，成功实现了“双雪崩区工作、宽漂移区辅助”的工作方式，探测性能明显提升。另外，两个pn结的电压设置为并联方式，因此器件整体击穿电压仅为两pn结击穿电压的最大值，很好地满足了大规模集成电路的低电压要求。
59.请参见图6，图6为本发明实施例提供的一种宽漂移区的双结单光子雪崩二极管在不同过偏压下的探测效率曲线图。由图6可知，探测效率随着过偏压的增加而增大，而过大的过偏压会增大器件噪声以致器件失效。本发明实施例的器件击穿电压约为23v，且所需的过偏压较小，在过偏压为2v时探测效率就达到较高水平，保证了器件的低噪声特性和低功耗特性。在2v过偏压下，本发明实施例的双结单光子雪崩二极管的峰值探测效率为56%，对应的峰值波长为630nm，而780nm处的探测效率为40%，850nm处的探测效率为26%；本发明实施例的双结单光子雪崩二极管在4v过偏压下的峰值探测效率为68%，对应的峰值波长为620nm，而780nm处的探测效率为46%，850nm处的探测效率为30%。
60.本发明实施例的双结单光子雪崩二极管采用双pn结结构，双雪崩区同时工作，相比传统的单雪崩区结构，额外增加了一个可以发生雪崩倍增效应的区域，可以极大地提升探测效率；本发明通过设置电极形成电势差，进而形成了一个低电场强度的宽漂移区，可将
内部的光生载流子漂移至雪崩区内，进一步发生雪崩，该设置也极大地提升了探测效率，尤其是近红外波段。本发明实施例在提升近红外波段探测效率的同时，并未牺牲短波长波段的探测效率，而是在原先探测效率基础上进行累加。靠近表面的雪崩区主要负责保持短波长波段的探测效率，远离表面的雪崩区主要负责提升近红外波段的探测效率，最终使得该双结单光子雪崩二极管具有宽光谱探测范围的特点。本发明实施例依据电荷聚焦电场效应来形成宽漂移区，即通过设置电势差来形成漂移电场，漂移区的电场强度可通过改变第二阳极和衬底电极的电压进行调制，十分方便。
61.综上，本发明实施例所提的双结单光子雪崩二极管在短波、长波段和近红外波段都保持较高的探测效率水平，具有探测效率高、探测光谱范围宽、漂移电场易调制、工艺简单等优点。
62.以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。