一种3D系统级封装器件的缺陷定位方法及系统

技术特征：
1.一种3d系统级封装器件的缺陷定位方法，其特征在于，包括：获取待检测封装器件的结构参数、类型参数和性能参数；依据获取的结构参数、类型参数和性能参数，建立待检测封装器件的几何模型；依据热传导算法，建立所述几何模型中任意位置处的热传导模型；依据热传导模型，获取激励信号下，热信号传导至几何模型表面时产生的相位偏差；利用热红外测试法，得到待检测封装器件内部缺陷在x轴和y轴构成平面上的位置信息，以及缺陷位置处热信号传导至待检测封装器件表面时产生的相位偏差；通过比较热红外测试对应的相位偏差和热传导模型对应的相位偏差，确定缺陷在z轴上的位置。2.如权利要求1所述的一种3d系统级封装器件的缺陷定位方法，其特征在于，所述结构参数包括结构组成和尺寸参数；所述类型参数为材料类型参数；所述性能参数为材料的性能参数。3.如权利要求1所述的一种3d系统级封装器件的缺陷定位方法，其特征在于，基于建立的几何模型，建立三维笛卡尔坐标系；在三维笛卡尔坐标系中，通过x轴和y轴确定平面，通过z轴方向上最小增量的累加确定z轴上的不同位置；依据热传导算法，对不同平面和z轴上的深度位置处激励信号的热传导路径进行解析，建立几何模型中任意位置处的热传导模型，得到激励信号和封装体表面热响应信号的相位偏差。4.如权利要求3所述的一种3d系统级封装器件的缺陷定位方法，其特征在于，几何模型在x轴和y轴构成平面上，z轴上不同位置处的相位偏差θ为：式中，i为编号；m为i的取值上限；α
i
为材料热扩散率；h
i
为高度值；f为激励信号的频率。5.如权利要求4所述的一种3d系统级封装器件的缺陷定位方法，其特征在于，材料热扩散率为材料热导率与材料密度和材料比热容乘积的比值。6.如权利要求1所述的一种3d系统级封装器件的缺陷定位方法，其特征在于，基于锁相热红外技术探测激励信号与封装体表面热响应的相位偏移，确定待检测封装器件内部缺陷在x轴和y轴构成平面上的位置信息。7.如权利要求1所述的一种3d系统级封装器件的缺陷定位方法，其特征在于，在同一x轴和y轴构成平面上，确定热传导模型计算的不同z轴位置对应相位偏差和利用热红外测试法得到的相位偏差；两个相位偏差相等时，热传导模型中相位偏差对应的z轴上的位置为缺陷位置。8.一种3d系统级封装器件的缺陷定位系统，其特征在于，包括：数据获取模块，被配置为：获取待检测封装器件的结构参数、类型参数和性能参数；几何模型建立模块，被配置为：依据获取的结构参数、类型参数和性能参数，建立待检测封装器件的几何模型；热传导计算模块，被配置为：依据热传导算法，建立所述几何模型中任意位置处的热传导模型；依据热传导模型，获取激励信号下，热信号传导至几何模型表面时产生的相位偏
差；热成像测试模块，被配置为：利用热红外测试法，得到待检测封装器件内部缺陷在x轴和y轴构成平面上的位置信息，以及缺陷位置处热信号传导至待检测封装器件表面时产生的相位偏差；缺陷定位模块，被配置为：通过比较热红外测试对应的相位偏差和热传导模型对应的相位偏差，确定缺陷在z轴上的位置。9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现了如权利要求1-7任一项所述的3d系统级封装器件的缺陷定位方法的步骤。10.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现了如权利要求1-7任一项所述的3d系统级封装器件的缺陷定位方法的步骤。

技术总结
本发明属于缺陷检测技术领域，提供了一种3D系统级封装器件的缺陷定位方法及系统，本发明中在构建的封装器件几何模型中，通过热传导算法得到激励信号下，在Z轴上不同位置处的相位偏差；然后通过锁相热成像技术确定X轴和Y轴构成平面上的缺陷位置，以及平面上缺陷对应的相位偏差；最后寻找几何模型中与通过锁相热成像技术确定的相位偏差对应的相位偏差，以及相位偏差在几何模型中对应的Z轴位置即为缺陷在Z轴上的位置；本发明中通过在几何模型中确实缺陷在Z轴上的位置，较现有技术相比，避免了受芯片中RDL、TSV以及uBump等微互连结构的无序分布影响，保证了测试结果的精确度。保证了测试结果的精确度。保证了测试结果的精确度。


技术研发人员：杨家跃 付志伟 杨超 王健 马德志
受保护的技术使用者：山东大学
技术研发日：2022.12.02
技术公布日：2022/12/30