包覆半导体纳米颗粒及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其包括将金属氧化物包覆在半导体纳米颗粒的表面的工序，其特征在于，通过对金属氧化物前驱体进行微波照射处理，将所述金属氧化物包覆在所述半导体纳米颗粒的表面。2.根据权利要求1所述的包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，所述包覆工序中，在所述半导体纳米颗粒与所述金属氧化物前驱体的共存下，通过对该共存下的所述金属氧化物前驱体进行所述微波照射处理，将所述金属氧化物包覆在所述半导体纳米颗粒的表面。3.根据权利要求1或2所述的包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，所述包覆工序中所使用的所述半导体纳米颗粒为包含半导体纳米颗粒芯与覆盖该半导体纳米颗粒芯的单独一种或多种半导体纳米颗粒壳的半导体纳米颗粒。4.根据权利要求3所述的包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，所述包覆工序中所使用的半导体纳米颗粒芯为选自zns、znse、znte、cds、cdse、cdte、aln、alp、alas、alsb、gan、gap、gaas、gasb、inn、inp、inas、insb、aggas2、agins2、aggase2、aginse2、cugas2、cugase2、cuins2、cuins2、znsip2、zngep2、cdsip2、cdgep2中的单独一种、多种、合金或混晶。5.根据权利要求3或4所述的包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，所述包覆工序中所使用的半导体纳米颗粒壳为选自zns、znse、znte、cds、cdse、cdte、aln、alp、alas、alsb、gan、gap、gaas、gasb、inn、inp、inas、insb中的单独一种、多种、合金或混晶。6.根据权利要求1～5中任一项所述的包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，在极性溶剂、非极性溶剂、离子液体中的任一种以上的溶剂中实施所述包覆工序。7.根据权利要求6所述的包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，所述包覆工序中所使用的所述溶剂为包含以体积比计为90％以上的所述非极性溶剂的溶剂。8.根据权利要求6或7所述的包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，所述包覆工序中所使用的所述非极性溶剂为甲苯、己烷、环己烷、苯、二乙基醚中的任一种以上的溶剂。9.根据权利要求1～8中任一项所述的包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，所述包覆工序中所使用的所述金属氧化物前驱体为选自金属醇盐、金属卤化物、金属络合物中的单独一种或多种。10.根据权利要求1～9中任一项所述的包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，在碱性水溶液的存在下实施所述包覆工序。11.根据权利要求1～10中任一项所述的包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，在表面活性剂的存在下实施所述包覆工序。12.根据权利要求1～11中任一项所述的包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，在醇的存在下实施所述包覆工序。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，所述包覆工序中的微波照射处理的处理时间在3～30分钟的范围内。14.根据权利要求1～13中任一项所述的包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，所述包覆工序中的微波照射处理的加热温度在40～100℃的范围内。15.根据权利要求1～14中任一项所述的包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，在所述包覆工序之前，包括利用表面改性剂修饰所述半导体纳米颗粒的表面的工序。16.根据权利要求15所述的包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其特征在于，所述表面改性剂为选自(3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、(3-氨基丙基)三乙氧基硅烷、(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷、(3-巯基丙基)三乙氧基硅烷、6-巯基-1-己醇、巯基乙酸、3-巯基丙酸、4-巯基苯甲酸中的单独一种或多种。17.一种包覆半导体纳米颗粒，其为在半导体纳米颗粒的表面包覆有金属氧化物的包覆半导体纳米颗粒，其特征在于，所述金属氧化物通过微波照射处理而包覆在所述半导体纳米颗粒的表面。18.一种树脂组合物，其特征在于，其为使权利要求17所述的包覆半导体纳米颗粒分散于树脂中而成的树脂组合物。19.一种波长转换材料，其特征在于，其使用有权利要求18所述的树脂组合物的固化物。20.一种发光元件，其特征在于，其使用有权利要求19所述的波长转换材料。

技术总结
本发明为一种包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其包括将金属氧化物包覆在半导体纳米颗粒的表面的工序，其特征在于，通过对金属氧化物前驱体进行微波照射处理，将所述金属氧化物包覆在所述半导体纳米颗粒的表面。由此，提供一种高效制造荧光发光效率的劣化得以抑制的包覆半导体纳米颗粒的方法。包覆半导体纳米颗粒的方法。


技术研发人员：鸢岛一也 青木伸司 野岛义弘
受保护的技术使用者：信越化学工业株式会社
技术研发日：2021.04.19
技术公布日：2023/1/13