金属氧化物半导体器件的制备方法及器件与流程

技术特征：
1.一种金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供具有漂移区的衬底，所述漂移区具有第一导电类型；在所述衬底上的第一选定位置形成浅沟道隔离结构，以及在所述衬底上的第二选定位置形成局部氧化隔离结构；其中，所述第二选定位置位于所述漂移区的上方；在所述衬底的整个上表面上进行离子注入；其中，在所述第一选定位置处，所述浅沟道隔离结构阻挡注入的离子进入所述衬底；在所述第二选定位置处，注入的离子穿过所述局部氧化隔离结构，以在所述局部氧化隔离结构下方的所述漂移区内形成具有第二导电类型的顶层；所述第二导电类型与所述第一导电类型电性相反。2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，所述局部氧化隔离结构的深度为和/或，所述浅沟道隔离结构的深度为3.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一导电类型为n型，所述第二导电类型为p型。4.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的整个上表面上进行离子注入前，所述方法还包括：在所述衬底内形成具有第二导电类型的阱区；在所述衬底上形成栅极结构；其中，沿所述衬底的厚度方向上，所述栅极结构与所述阱区至少部分重叠；所述栅极结构覆盖所述衬底的位于所述阱区和所述漂移区之间的区域。5.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体器件为n型横向扩散金属氧化物半导体器件。6.一种金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：具有漂移区的衬底，所述漂移区具有第一导电类型；位于所述衬底上的第一选定位置的浅沟道隔离结构，以及位于所述衬底上的第二选定位置的局部氧化隔离结构；其中，所述第二选定位置位于所述漂移区的上方；位于所述局部氧化隔离结构下方的所述漂移区内的顶层，所述顶层具有第二导电类型；所述第二导电类型与所述第一导电类型电性相反。7.根据权利要求6所述的金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述局部氧化隔离结构的深度为和/或，所述浅沟道隔离结构的深度为8.根据权利要求6所述的金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型为n型，所述第二导电类型为p型。9.根据权利要求6所述的金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括：位于所述衬底内的阱区，所述阱区具有第二导电类型；位于所述衬底上的栅极结构；其中，沿所述衬底的厚度方向上，所述栅极结构与所述阱区至少部分重叠；所述栅极结构覆盖所述衬底的位于所述阱区和所述漂移区之间的区域。10.根据权利要求6所述的金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述金属氧化物半导体器件为n型横向扩散金属氧化物半导体器件。

技术总结
本申请实施例涉及一种金属氧化物半导体器件的制备方法及器件，通过提供具有漂移区的衬底，漂移区具有第一导电类型；在衬底上的第一选定位置形成浅沟道隔离结构，以及在衬底上的第二选定位置形成局部氧化隔离结构；其中，第二选定位置位于漂移区的上方；在衬底的整个上表面上进行离子注入；其中，在第一选定位置处，浅沟道隔离结构阻挡注入的离子进入衬底；在第二选定位置处，注入的离子穿过局部氧化隔离结构，以在局部氧化隔离结构下方的漂移区内形成具有第二导电类型的顶层；第二导电类型与第一导电类型电性相反；不仅降低了表面电场，而且降低了器件的导通电阻，节省了工艺时间，降低了工艺成本。降低了工艺成本。降低了工艺成本。


技术研发人员：李雄伟 刘琪 陈宗高
受保护的技术使用者：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.10.24
技术公布日：2022/12/30