技术特征：
1.一种半导体结构的制造方法，包括：在基板的上方形成第一鳍片及第二鳍片；在所述第一鳍片及所述第二鳍片的上方形成一或多个功函数层；在所述一或多个功函数层的上方形成氮化物基金属膜；以可图案化层覆盖所述第一鳍片；以及将所述氮化物基金属膜的第二部分从所述第二鳍片移除，并在所述第一鳍片的上方留下实质上完整的所述氮化物基金属膜的第一部分。
技术总结
一种半导体结构的制造方法，包含在基板的上方形成第一鳍片及第二鳍片。半导体结构的制造方法包含在第一鳍片及第二鳍片的上方形成一或多个功函数层。半导体结构的制造方法包含在一或多个功函数层的上方形成氮化物基金属膜。半导体结构的制造方法包含以可图案化层覆盖第一鳍片。半导体结构的制造方法包含将氮化物基金属膜的第二部分从第二鳍片移除，并在第一鳍片的上方留下实质上完整的氮化物基金属膜的第一部分。膜的第一部分。膜的第一部分。
技术研发人员：许耀文 庄英良
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.07.15
技术公布日：2022/12/12
再多了解一些
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