晶圆治具结构及引起高温潜变变形的处理设备的制作方法

技术特征：
1.一种晶圆治具结构，其特征在于，包括：第一治具，具有第一斜面；以及第二治具，具有第二斜面，其中所述第一治具及所述第二治具相互靠合而使所述第一斜面朝向所述第二斜面且所述第一斜面与所述第二斜面之间形成夹置空间，所述第一治具的外围部分及所述第二治具的外围部分围绕所述夹置空间，且所述第一治具的所述外围部分及所述第二治具的所述外围部分之间具有间隙。2.根据权利要求1所述的晶圆治具结构，其特征在于，当所述第一治具及所述第二治具相互靠合时，所述第一治具及所述第二治具共同构成圆柱状结构。3.根据权利要求1所述的晶圆治具结构，其特征在于，还包括至少一定位件，其中所述第一治具的外周面具有至少一第一沟槽，所述第二治具的外周面具有至少一第二沟槽，所述至少一定位件适于部分地嵌设于所述至少一第一沟槽且部分地嵌设于所述至少一第二沟槽。4.根据权利要求1所述的晶圆治具结构，其特征在于，还包括施力组件，其中所述施力组件适于连接于所述第一治具及所述第二治具，并施加外力于所述第一治具及所述第二治具。5.根据权利要求1所述的晶圆治具结构，其特征在于，还包括两牺牲层，所述两牺牲层适于分别配置于所述第一斜面及所述第二斜面上以接触所述晶圆。6.根据权利要求5所述的晶圆治具结构，其特征在于，各所述牺牲层为碳化硅挡片，或碳化硅cvd镀膜。7.根据权利要求1所述的晶圆治具结构，其特征在于，所述第一治具具有相对于所述第一斜面的底面，所述第二治具具有相对于所述第二斜面的顶面，所述底面及所述顶面皆为水平表面。8.一种晶圆治具结构，其特征在于，包括：第一治具，具有第一斜面；以及第二治具，具有第二斜面，其中当所述第一治具及所述第二治具相互靠合而将晶圆夹置于所述第一斜面与所述第二斜面之间时，所述第一斜面及所述第二斜面相互平行并倾斜于施压方向，且所述第一治具及所述第二治具适于通过沿所述施压方向施加的外力而对所述晶圆施压。9.一种晶圆处理设备，其特征在于，包括：如权利要求8所述的晶圆治具结构；以及热源，适于加热被夹置于所述第一斜面与所述第二斜面之间的所述晶圆。

技术总结
本发明提供一种晶圆治具结构及引起高温潜变变形的处理设备，所述晶圆治具结构主要包括了两个可分离的治具。第一治具有一个第一斜面，第二治具含有另一个第二斜面。第一斜面及第二斜面相互平行，并同时倾斜于一个外力施压的方向。当第一治具及第二治具相互靠合，而将晶圆夹置于第一斜面与第二斜面之间时，通过施压外力，此芯片将受到一个沿着芯片表面的剪应力分量。若外力在高温下操作，此晶圆将会出现高温潜变。这个晶圆治具的倾斜结构，及辅助的处理设备，正是说明了利用夹具的倾斜设计，晶圆可以容易激活并发展高温潜变变形，从而改进晶圆的几何形状。晶圆的几何形状。晶圆的几何形状。


技术研发人员：邱锦桢 吕建兴 翁敬闳
受保护的技术使用者：环球晶圆股份有限公司
技术研发日：2022.04.15
技术公布日：2022/12/8