LED反射电极及倒装LED芯片的制作方法

技术特征：
1.一种led反射电极，其特征在于，电极结构，至少包括ti/ag反射层、阻挡层、包裹层、保护层，ti层厚度为5
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20
å
，ag层厚度为500
å‑
5000
å
，包裹层为al复合层，al复合层包括第一al子层、第二al子层、以及设置于第一al子层和第二al子层之间的ti子层，所述ti子层与所述第一al子层和第二al子层之间分别设置有第一隔离层和第二隔离层，第一、第二隔离层的厚度小于第一al子层和第二al子层的厚度；第一、第二隔离层为ni或者pt，第一al子层和第一隔离层之间设置有第三隔离层，第二al子层和第二隔离层之间设置有第四隔离层，第三、第四隔离层为cr。2.如权利要求1所述的led反射电极，其特征在于，第一al子层和第二al子层厚度为1000
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—10000
å
；第一、第二隔离层厚度为 100
å‑
2000
å
；ti子层厚度为 100
å‑
2000
å
；第三、第四隔离层厚度为5
åꢀ‑
50
å
。3.如权利要求1所述的led反射电极，其特征在于，阻挡层包括cr层、ni层、ti层、pt层中任意一种或者多种的组合。4.如权利要求1所述的led反射电极，其特征在于，包裹层为au或cu。5.如权利要求4所述的led反射电极，其特征在于，阻挡层为ni/pt或ni/pt/ni/pt或ti/pt或ti/pt/ti/pt或ni/ti/ni/ti或ni/ti。6.如权利要求1所述的led反射电极，其特征在于，保护层为cr、ni、ti、pt任意一种。7.一种倒装led芯片，包括衬底；外延层，形成在衬底上，该外延层依次包括n型半导体层、发光层、p型半导体层；第一电极，包括与n型半导体层电极连接的多个第一n电极和与p型半导体层电性连接的多个第一p电极；第一n电极和第一p电极分散设置于外延层上；第二电极，包括电性连接第一n电极的第二n电极，和电性连接多个第一p电极的第二p电极，第二n电极与第二p电极之间设置有间隙结构；焊盘电极，包括电性连接第二n电极的n焊盘，和电性连接第二p电极的p焊盘，其特征在于，第二电极为如权利要求1-6中任一项所述的led反射电极。

技术总结
本实用新型公开了一种LED反射电极，电极结构至少包括Ti/Ag反射层、阻挡层、包裹层、保护层，Ti层厚度为5A-20


技术研发人员：李明 李冬梅 王思博 廖汉忠 芦玲
受保护的技术使用者：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
技术研发日：2022.08.04
技术公布日：2023/1/3