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一种基体表面镀层的制备方法与流程

2023-01-04 16:55:36 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种基体表面镀层的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:(1)将二氧化硅、金属氧化物和溶剂混合配制成浆料,再将浆料涂覆在基体表面,形成浆料层;(2)将步骤(1)涂覆浆料层的基体进行固化处理,得到含有表面镀层的基体。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述二氧化硅和金属氧化物均为粉末状颗粒,其粒径独立地为0.01~50μm;所述金属氧化物包括氧化铝、氧化锆、氧化钇、氧化钙、氧化钠或氧化钾中任意一种或至少两种的组合;所述溶剂包括水和/或乙醇。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述浆料包括固相组分和液相组分,所述固相组分的质量分数为20~80wt%;所述固相组分中二氧化硅的质量分数为35~70wt%,金属氧化物的质量分数为30~65wt%。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述基体包括石英基体、碳化硅基体、石墨基体或金属基体中任意一种或至少两种的组合;所述基体的表面为平面或弧面,所述弧面包括圆柱形侧面。5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述涂覆的方式包括喷涂或粉刷;所述浆料涂覆后烘干,得到浆料层,所述浆料层的厚度为0.03~500μm。6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述固化处理包括烧制、烘烤或干燥中任意一种;所述烧制的方式包括采用烧制炉进行烧制;所述烘烤的方式包括采用火焰枪进行烘烤。7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述烧制的温度为700~1350℃,时间为5~120min;所述烘烤的温度为1000~1700℃,时间为1~20min;所述干燥的温度为25~200℃,时间为8~12h。8.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述基体的表面为弧面时,固化时基体进行旋转。9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述固化后降温,重复涂覆、固化步骤至少一次,在上一层镀层的基础上再形成一层镀层;所述固化后形成的单层镀层的厚度独立地为0.01~1000μm。10.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:(1)将二氧化硅、金属氧化物和溶剂混合配制成浆料,所述二氧化硅和金属氧化物均为粉末状颗粒,其粒径独立地为0.01~50μm,所述金属氧化物包括氧化铝、氧化锆、氧化钇、氧化钙或氧化钾中任意一种或至少两种的组合,所述溶剂包括水和/或乙醇,所述浆料的固相组分中二氧化硅的质量分数为35~70wt%,金属氧化物的质量分数为30~65wt%,固相组分占浆料的质量分数为20~80wt%,再将浆料涂覆在基体表面,所述基体包括石英基体、碳化硅基体、石墨基体或金属基体中任意一种或至少两种的组合,所述涂覆的方式包括喷涂
或粉刷,所述浆料涂覆后烘干,形成浆料层,所述浆料层的厚度为0.03~500μm;(2)将步骤(1)涂覆浆料层的基体进行固化处理,所述固化处理包括烧制、烘烤或干燥中任意一种,所述烧制的温度为700~1350℃,时间为5~120min;所述烘烤的温度为1000~1700℃,时间为1~20min;所述干燥的温度为25~200℃,时间为8~12h,所述固化后降温,重复进行涂覆、固化步骤至少一次,在上一层镀层的基础上再形成一层镀层,单层镀层的厚度独立地为0.01~1000μm,得到含有表面镀层的基体。

技术总结
本发明提供了一种基体表面镀层的制备方法,所述制备方法包括:将二氧化硅、金属氧化物和溶剂混合配制成浆料,再将浆料涂覆在基体表面,形成浆料层;将涂覆浆料层的基体进行固化处理,得到含有表面镀层的基体。本发明所述方法通过浆料涂覆及固化处理的操作工艺,在基体表面形成镀层,对基体起到保护作用,避免应用时可能造成的化学腐蚀及表面裂纹的产生,提高基体的使用寿命;本发明浆料除了耐高温的二氧化硅,还选择高强度的金属氧化物,有助于提高镀层的强度、韧性及耐温性等性能;所述方法操作简便,成本较低,应用范围较广。应用范围较广。


技术研发人员:朱太荣 庞爱锁 林佳继 张武
受保护的技术使用者:深圳市拉普拉斯能源技术有限公司
技术研发日:2022.11.09
技术公布日:2022/12/30
再多了解一些

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