一种变压器反激开关电源电路的制作方法

1.本实用新型涉及开关电源技术领域，特别涉及一种变压器反激开关电源电路。


背景技术：

2.开关电源是电子设备中不可或缺的一部分。随着电力电子技术的发展，开关电源朝着高频化、高功率密度、高可靠性的方向发展。而电子产品中所需的电压等级通常不同，且产品之间又通常需要电气隔离，反激电路因其可以简单通过增加次级绕组来实现多路隔离输出，而得到广泛应用。然而实际应用中，反激电路在晶体管mosfet-d端点工作时候产生的干扰是最大的，存在抗干扰能力不足、电路稳定性较差的技术难点问题。


技术实现要素：

3.本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种变压器反激开关电源电路，通过增加设置电源控制电路与光电耦合电路配合抑制干扰，保证副边不因过流造成电路损坏；通过设置稳压电路以防止瞬间冲击，进一步提高整个电路的稳定性。
4.为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：
5.一种变压器反激开关电源电路，包括电源输入电路、稳压电路、电源控制电路、光电耦合电路及电源输出电路，所述稳压电路分别与所述电源输入电路、电源控制电路、电源控制电路及电源输出电路电性连接，所述光电耦合电路分别与所述电源控制电路及电源输出电路电性连接。
6.优选地，所述电源输入电路包括保险丝f1、电感l1、电阻r4、电阻r5、电阻r7、电阻r9、电阻r10、电容c4、电容c10、电容c11及电感器l2，所述保险丝f1、电阻r4、电容c4及电容c11均与电感l1连接，所述电阻r4与电阻r7连接，所述电阻r7、电阻r9、电容c10、电阻r5、电感l1及电阻r10均与所述电感器l2连接。
7.优选地，所述稳压电路包括整流桥d1、电阻r1、电阻r2、电阻r6、电阻r8、电阻r13、变压器t1、电容c1、电容c3、电容c5及二极管d4，所述电感器l2、电容c1、电容c3、电容c5、电阻r1、电阻r2及变压器t1均与所述整流桥d1连接，所述电阻r1与电阻r8连接，所述电容c1及电阻r2均与二极管d4连接，所述二极管d4及电阻r13均与所述变压器t1连接。
8.优选地，所述电源控制电路包括电源管理芯片ic1、电阻r14、电阻r15、电阻r16、电阻r17、电阻r18、电阻r19、电阻r20、电阻r22、电阻r23、电阻r24、电阻r25、晶体管q1、三极管q2、三极管q3、二极管d5、二极管d6、二极管d7、二极管d8、电容c13、电容c15、电容c18、电容c19、电容c20及电容c21，所述电阻r15与所述变压器t1连接，所述二极管d5与电阻r15连接，所述电阻r14、电阻r16、电阻r17、电阻r18、电阻r19、电阻r20、电阻r22、电阻r23、电阻r24、电阻r25、三极管q2、三极管q3、二极管d5、二极管d6、二极管d7、二极管d8、电容c13、电容c15、电容c18、电容c19、电容c20及电容c21均与所述电源管理芯片ic1连接，所述晶体管q1分别与所述电阻r13、二极管d8及电阻r23连接。
9.优选地，所述光电耦合电路包括光电耦合器u1、电容c14、电容c16、电阻r21、电阻r26、电阻r27及稳压管u2，所述光电耦合器u1分别与所述电源管理芯片ic1、电容c14、电容c16及稳压管u2连接，所述电阻r21与电容c16连接，所述电容c14、电阻r21、电阻r26及电阻r27均与所述稳压管u2连接。
10.优选地，所述电源输出电路包括电阻r3、二极管d2、二极管d3、电阻r3、电阻r11、电阻r12、电容c2、电容c6、电容c7、电容c8、电容c9、电感l3及电感器l4，所述电阻r3、二极管d2、二极管d3、电容c8、电容c9及电感器l4均与所述变压器t1连接，所述电阻r13与所述光电耦合器u1连接，所述电容c2与电阻r3连接，所述电容c2、二极管d2、二极管d3均与电感l3连接，所述电阻r12、电容c8、电容c9、电感l3、电阻r11、电容c6及电容c7均与所述电感器l4连接，所述电阻r11与所述稳压管u2连接。
11.采用上述技术方案，本实用新型提供的一种变压器反激开关电源电路，具有以下有益效果：该变压器反激开关电源电路中的稳压电路分别与电源输入电路、电源控制电路、电源控制电路及电源输出电路电性连接，光电耦合电路分别与电源控制电路及电源输出电路电性连接，通过增加设置电源控制电路与光电耦合电路配合抑制干扰，保证副边不因过流造成电路损坏，抗干扰能力强；通过设置稳压电路输出稳定电压，以防止电压瞬间冲击，进一步提高整个电路的稳定性。
附图说明
12.图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
13.下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本实用新型，但并不构成对本实用新型的限定。此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
14.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
15.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
16.如图1所示，在本实用新型的电路原理图中，该变压器反激开关电源电路包括电源输入电路、稳压电路、电源控制电路、光电耦合电路及电源输出电路，该稳压电路分别与该电源输入电路、电源控制电路、电源控制电路及电源输出电路电性连接，该光电耦合电路分别与该电源控制电路及电源输出电路电性连接。可以理解的，该变压器反激开关电源电路
中采用ec-2828变压器全电压输入，输出功率为60w。
17.具体地，该电源输入电路包括保险丝f1、电感l1、电阻r4、电阻r5、电阻r7、电阻r9、电阻r10、电容c4、电容c10、电容c11及电感器l2，该保险丝f1、电阻r4、电容c4及电容c11均与电感l1连接，该电阻r4与电阻r7连接，该电阻r7、电阻r9、电容c10、电阻r5、电感l1及电阻r10均与该电感器l2连接；该稳压电路包括整流桥d1、电阻r1、电阻r2、电阻r6、电阻r8、电阻r13、变压器t1、电容c1、电容c3、电容c5及二极管d4，该电感器l2、电容c1、电容c3、电容c5、电阻r1、电阻r2及变压器t1均与该整流桥d1连接，该电阻r1与电阻r8连接，该电容c1及电阻r2均与二极管d4连接，该二极管d4及电阻r13均与该变压器t1连接；该电源控制电路包括电源管理芯片ic1、电阻r14、电阻r15、电阻r16、电阻r17、电阻r18、电阻r19、电阻r20、电阻r22、电阻r23、电阻r24、电阻r25、晶体管q1、三极管q2、三极管q3、二极管d5、二极管d6、二极管d7、二极管d8、电容c13、电容c15、电容c18、电容c19、电容c20及电容c21，该电阻r15与该变压器t1连接，该二极管d5与电阻r15连接，该电阻r14、电阻r16、电阻r17、电阻r18、电阻r19、电阻r20、电阻r22、电阻r23、电阻r24、电阻r25、三极管q2、三极管q3、二极管d5、二极管d6、二极管d7、二极管d8、电容c13、电容c15、电容c18、电容c19、电容c20及电容c21均与该电源管理芯片ic1连接，该晶体管q1分别与该电阻r13、二极管d8及电阻r23连接；该光电耦合电路包括光电耦合器u1、电容c14、电容c16、电阻r21、电阻r26、电阻r27及稳压管u2，该光电耦合器u1分别与该电源管理芯片ic1、电容c14、电容c16及稳压管u2连接，该电阻r21与电容c16连接，该电容c14、电阻r21、电阻r26及电阻r27均与该稳压管u2连接；该电源输出电路包括电阻r3、二极管d2、二极管d3、电阻r3、电阻r11、电阻r12、电容c2、电容c6、电容c7、电容c8、电容c9、电感l3及电感器l4，该电阻r3、二极管d2、二极管d3、电容c8、电容c9及电感器l4均与该变压器t1连接，该电阻r13与该光电耦合器u1连接，该电容c2与电阻r3连接，该电容c2、二极管d2、二极管d3均与电感l3连接，该电阻r12、电容c8、电容c9、电感l3、电阻r11、电容c6及电容c7均与该电感器l4连接，该电阻r11与该稳压管u2连接。可以理解的，上述仅列出电路中主要元器件及其连接关系，其余元器件及其具体连接关系如图1所示，本实用新型不再赘述；该电源管理芯片ic1可以是tl3843b芯片等。
18.可以理解的，保险丝f1接入火线端子，电阻r9接入零线端子，在电路未启动之前，由于高压端启动电阻的充电，可以将vcc上电容上的电压充到ic(即电源管理芯片ic1)启动的电压，一旦电路有问题一下启动不了，vcc由于绕组电压的预设值偏低，电路也是不会启动的，一般表现为嗝状态，保证变压器t1副边不因过流造成电路损坏。
19.可以理解的，本实用新型设计合理，构造独特，耦合效果相对而言是最好的。我们做短路试验也是做次级的输出短路，因为耦合效果好，次级短路时，vcc在经过短暂的上冲后会快速降低，降到ic的关闭电压时电路得到最好的保护，以防止电压瞬间冲击。需要注意这个电压需要高于mosfet(即晶体管q1)饱和导通1v以上，避免驱动不足。
20.以上结合附图对本实用新型的实施方式作了详细说明，但本实用新型不限于所描述的实施方式。对于本领域的技术人员而言，在不脱离本实用新型原理和精神的情况下，对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，仍落入本实用新型的保护范围内。