半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包含：一基板，在该基板中包含多个第一类型深沟槽及多个第二类型深沟槽，其中该些第一类型深沟槽包含沿着一第一水平方向横向地延伸的多个第一长度方向侧壁且该些第二类型深沟槽包含沿着不同于该第一水平方向的一第二水平方向横向地延伸的多个第二长度方向侧壁，且其中该些第一类型深沟槽的多个子集的多个群集及该些第二类型深沟槽的多个子集的多个群集沿着选自该第一水平方向及该第二水平方向的至少一个方向横向地交替；及包含一层堆叠的一电容器结构，该层堆叠包括与至少两个节点介电层交错的至少三个金属电极层，其中该层堆叠内的每一层包含上覆于该基板的一顶表面的一水平延伸部分及向下突出至该些第一类型深沟槽及该些第二类型深沟槽中的一相应深沟槽中的多个垂直延伸部分。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该些第一类型深沟槽及该些第二类型深沟槽包含排成二维阵列的多个深沟槽，在该二维阵列中，该些第一类型深沟槽配置为一第一二维周期性阵列且该些第二类型深沟槽配置为与该第一二维周期性阵列交错的一第二二维周期性阵列，且其中该第一二维周期性阵列及该第二二维周期性阵列中的每一者具有沿着该第一水平方向的一第一周期性间距且具有沿着该第二水平方向的一第二周期性间距。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该半导体结构进一步包含多个应力消除结构，该些应力消除结构位于该些深沟槽的该二维阵列的角落区域处，其中该些应力消除结构中的每一者包含：在该基板内垂直地延伸的至少一个额外深沟槽的一相应集合；及一相应的额外层堆叠，该额外层堆叠包括与至少两个节点介电层交错的至少三个金属材料层。4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，该些应力消除结构内的该些金属材料层中的每一者与该电容器结构内的该至少三个金属电极层电隔离。5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，该些应力消除结构包含四个应力消除结构，该些应力消除结构配置成穿过该些深沟槽的该二维阵列的一几何中心的一垂直平面的镜像对称排列。6.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，其中：该第二水平方向垂直于该第一水平方向；且该至少一个额外深沟槽中的每一者包含沿着一相应水平方向横向地延伸的一倾斜直线分段，该相应水平方向相对于该第一水平方向成大于0度的一角且小于90度。7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该至少一个额外深沟槽中的每一者包含：一第一直线分段，该第一直线分段联接至该倾斜直线分段且沿着该第一水平方向横向地延伸；及一第二直线分段，该第二直线分段联接至该倾斜直线分段且沿着该第二水平方向横向地延伸。8.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，其中：
该第二水平方向垂直于该第一水平方向；且该至少一个额外深沟槽中的每一者包含沿着该第一水平方向横向地延伸的一第一直线分段，及联接至该第一直线分段且沿着该第二水平方向横向地延伸的一第二直线分段。9.一种半导体结构，其特征在于，包含一第一半导体晶粒，其中：该第一半导体晶粒包含一基板及嵌入该基板内的一深沟槽电容器；且该深沟槽电容器包含：排成二维阵列的多个深沟槽，该二维阵列含有位于该基板中的多个第一类型深沟槽的一第一二维周期性阵列及位于该基板中且与该第一二维周期性阵列交错的多个第二类型深沟槽的一第二二维周期性阵列，其中该些第一类型深沟槽具有沿着一第一水平方向横向地延伸的多个第一长度方向侧壁且该些第二类型深沟槽具有沿着不同于该第一水平方向的一第二水平方向横向地延伸的多个第二长度方向侧壁；及一层堆叠，该层堆叠包括与至少两个节点介电层交错的至少三个金属电极层，其中该层堆叠内的每一层包含上覆于该基板的一顶表面的一水平延伸部分及向下突出至该些第一类型深沟槽及该些第二类型深沟槽中的一相应深沟槽中的多个垂直延伸部分。10.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：在一基板的一上部部分中形成多个第一类型深沟槽及多个第二类型深沟槽，其中该些第一类型深沟槽具有沿着一第一水平方向横向地延伸的多个第一长度方向侧壁且该些第二类型深沟槽具有沿着不同于该第一水平方向的一第二水平方向横向地延伸的多个第二度方向侧壁，且其中该些第一类型深沟槽的多个子集的多个群集及该些第二类型深沟槽的多个子集的多个群集沿着选自该第一水平方向及该第二水平方向的至少一个方向横向地交替；及通过沉积及图案化一层堆叠来形成一电容器结构，该层堆叠包括与至少两个节点介电层交错的至少三个金属电极层，其中该层堆叠内的每一层包含上覆于该基板的一顶表面的一水平延伸部分及向下突出至该些第一类型深沟槽及该些第二类型深沟槽中的一相应深沟槽中的多个垂直延伸部分。

技术总结
一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括一基板，基板含有第一类型深沟槽及第二类型深沟槽。该些第一类型深沟槽及该些第二类型深沟槽具有沿着不同方向横向地延伸的长度方向侧壁。半导体结构包括一电容器结构，电容器结构包括一层堆叠，层堆叠含有与至少两个节点介电层交错的至少三个金属电极层。层堆叠内的每一层包括上覆于基板的一顶表面的水平延伸部分，及向下突出至该些第一类型深沟槽及该些第二类型深沟槽的相应者中的多个垂直延伸部分。该些深沟槽的长度方向的不同定向减少半导体结构的变形。应力消除结构在该电容器结构的角落区域中形成以提供结构增强。角落区域中形成以提供结构增强。角落区域中形成以提供结构增强。


技术研发人员：郭富强
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.03.29
技术公布日：2022/12/22