半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，包括第一区和第二区；初始鳍部，位于所述衬底上；栅极结构，位于所述衬底上且覆盖所述初始鳍部；第一鳍部，位于所述第一区上且位于所述栅极结构的两侧；第二鳍部，位于所述第二区上且位于所述栅极结构的两侧，所述第一鳍部的宽度大于所述第二鳍部的宽度；第一侧墙，位于所述第一鳍部的侧壁上；第二侧墙，位于所述第二鳍部的侧壁上；第一源漏掺杂层，位于所述第一鳍部上，且底部位于所述第一侧墙之间；第二源漏掺杂层，位于所述第二鳍部上，且底部位于所述第二侧墙之间；隔离层，位于所述衬底上，所述第一鳍部的顶部表面低于所述隔离层的顶部表面，所述第二鳍部的顶部表面高于所述隔离层的顶部表面。2.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第一鳍部的顶部表面比所述隔离层的顶部表面低10纳米至30纳米。3.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述栅极结构为伪栅极结构或者金属栅极结构。4.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第一侧墙的高度小于所述第二侧墙的高度。5.一种半导体结构形成的方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区；在所述衬底上形成初始鳍部；在所述衬底上形成覆盖所述初始鳍部的部分侧壁和部分顶部的栅极结构；刻蚀所述栅极结构两侧的所述第一区上的部分所述初始鳍部形成第一鳍部；刻蚀所述栅极结构两侧的所述第二区上的部分所述初始鳍部形成第二鳍部，所述第一鳍部的宽度大于所述第二鳍部的宽度；在所述第一鳍部上形成第一源漏掺杂层；在所述第二鳍部上形成第二源漏掺杂层。6.如权利要求5所述半导体结构形成的方法，其特征在于，在形成所述栅极结构之前，还包括：在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述初始鳍部的部分侧壁。7.如权利要求6所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述第一鳍部和所述第二鳍部形成的步骤包括：减薄所述栅极结构两侧的所述初始鳍部，形成减薄鳍部；在所述减薄鳍部的底部侧壁上形成侧墙；刻蚀去除部分所述减薄鳍部，至所述减薄鳍部的顶部表面与所述侧墙的顶部表面齐平；刻蚀所述第一区的所述减薄鳍部和所述侧墙，形成所述第一鳍部和第一侧墙；刻蚀所述第二区的所述减薄鳍部和所述侧墙，形成所述第二鳍部和第二侧墙。8.如权利要求6所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述第一鳍部的顶部表面低
于所述隔离层的顶部表面，所述第二鳍部的顶部表面高于所述隔离层的顶部表面。9.如权利要求8所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述第一鳍部的顶部表面比所述隔离层的顶部表面低10纳米至30纳米。10.如权利要求7所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述第一侧墙的高度小于所述第二侧墙的高度。

技术总结
一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，包括第一区和第二区；初始鳍部，位于衬底上；栅极结构，位于衬底上且覆盖初始鳍部；第一鳍部，位于第一区上且位于栅极结构的两侧；第二鳍部，位于第二区上且位于栅极结构的两侧，第一鳍部的宽度大于第二鳍部的宽度；第一侧墙，位于第一鳍部的侧壁上；第二侧墙，位于第二鳍部的侧壁上；第一源漏掺杂层，位于第一鳍部上，且底部位于第一侧墙之间；第二源漏掺杂层，位于第二鳍部上，且底部所述第二侧墙之间；隔离层，位于衬底上，第一鳍部的顶部表面低于所述隔离层的顶部表面，第二鳍部的顶部表面高于所述隔离层的顶部表面；能够有效的提升最终形成的半导体结构的性能。导体结构的性能。导体结构的性能。


技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2021.06.18
技术公布日：2022/12/19