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半导体装置的制作方法

2022-12-21 19:13:05 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:开关元件,其具有在第一方向上彼此朝向相反侧的元件主面和元件背面、以及漏极电极、栅极电极和源极电极,所述开关元件通过在对所述漏极电极和所述源极电极间赋予了电位差的状态下对所述栅极电极和所述源极电极间赋予驱动电压,从而对所述漏极电极和所述源极电极间进行导通/截止控制;基部,其具有在所述第一方向上彼此朝向相反侧的表面和背面,所述基部以所述元件背面面向所述表面的方式支承所述开关元件;以及第一端子、第二端子、第三端子和第四端子,它们分别向相对于所述第一方向成直角的第二方向延展,所述开关元件具有:温度检测用二极管,其具有配置于所述元件主面的第一电极,所述漏极电极、所述栅极电极和所述源极电极分别与所述第一端子、所述第二端子和所述第三端子中的某一个导通,所述第一电极经由第一线与所述第四端子导通。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一端子、所述第二端子、所述第三端子及所述第四端子沿着所述第二方向的一侧延伸,且在与所述第一方向及所述第二方向均为直角的第三方向上配置成彼此分离,所述第一端子及所述第二端子在所述第三方向上位于彼此相反侧的最外侧,所述第三端子在所述第三方向上位于所述第一端子与所述第二端子之间,所述第四端子位于所述第二端子与所述第三端子之间。3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述温度检测用二极管具有第二电极,所述第二电极与所述第一端子、所述第二端子以及所述第三端子中的某一个导通。4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,所述第一端子与所述第三端子在所述第三方向上的第一距离大于所述第三端子与所述第四端子在所述第三方向上的第二距离、以及所述第四端子与所述第二端子在所述第三方向上的第三距离。5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述栅极电极与所述第一端子导通,所述源极电极与所述第二端子导通,所述漏极电极与所述第三端子导通。6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,所述第二电极与所述第二端子导通。7.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述漏极电极与所述第一端子导通,所述栅极电极与所述第二端子导通,所述源极电极与所述第三端子导通。8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,所述第二电极与所述第三端子导通。9.根据权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于,所述第二电极配置于所述元件主面,并经由第二线与所述第一端子、所述第二端子以及所述第三端子中的某一个导通。
10.根据权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于,所述第二电极配置于所述元件背面。11.根据权利要求2~4中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述栅极电极以及所述源极电极配置于所述元件主面,所述漏极电极配置于所述元件背面,所述栅极电极以及所述源极电极经由栅极线以及源极线与所述第一端子、所述第二端子以及所述第三端子中的某一个导通。12.根据权利要求2~11中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置具有:引线框,其包含所述基部以及所述第三端子,所述第三端子从所述基部沿着所述第二方向延展。13.根据权利要求2~11中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置具有:基板,其具有构成所述基部的表面导电层和层叠了该表面导电层的绝缘层。14.根据权利要求2~13中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述第四端子中的至少所述第二方向上的所述一侧的前端部与所述第一端子、所述第二端子以及所述第三端子各自的所述第一方向上的所述一侧的前端部相比,在所述第一方向上偏向所述基部的所述表面朝向的一侧。15.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一端子、所述第二端子及所述第四端子配置于所述第二方向的一侧,且在与所述第一方向及所述第二方向均为直角的第三方向上配置成彼此分离,所述第三端子配置于所述第二方向的另一侧,所述栅极电极与所述第一端子导通,所述源极电极与所述第二端子导通,所述漏极电极与所述第三端子导通。16.根据权利要求15所述的半导体装置,其特征在于,所述温度检测用二极管具有第二电极,所述第二电极与所述第二端子导通。17.根据权利要求15所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置具有:第五端子,其向所述第二方向的所述一侧延展,所述温度检测用二极管具有第二电极,所述第二电极与所述第五端子导通。18.根据权利要求15~17中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置具有:引线框,其包含所述基部以及所述第三端子,所述第三端子从所述基部向所述第二方向的所述另一侧延展。19.根据权利要求1~18中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置具有:密封树脂,其覆盖所述基部、所述第一~第四端子各自的一部分以及所述开关元件。20.根据权利要求1~19中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述开关元件是sic开关元件。

技术总结
一种半导体装置,具有:开关元件,其具有漏极电极、栅极电极以及源极电极;基部,其对所述开关元件进行支承;第一端子、第二端子、第三端子和第四端子,它们分别在相同的方向上延伸。所述开关元件具有:温度检测用二极管,其具有配置于该元件的主面的第一电极。所述漏极电极、所述栅极电极和所述源极电极分别与所述第一端子、所述第二端子及所述第三端子中的某一个导通。所述第一电极经由第一线与所述第四端子导通。子导通。子导通。


技术研发人员:中西政晴 川本典明
受保护的技术使用者:罗姆股份有限公司
技术研发日:2021.04.27
技术公布日:2022/12/2
再多了解一些

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