一种基于氧化还原电位机理的氮化镓化学机械抛光液的制作方法

技术特征：
1.一种基于氧化还原电位机理的氮化镓化学机械抛光液，其特征在于：包括如下步骤：步骤s1：纯水中加入质量百分比m1的氧化还原电位调节剂；步骤s2：加入质量百分比m2的研磨颗粒，并缓慢加入质量百分比为m3的无水乙二胺；步骤s3：用氢氟酸和谷氨酸调节抛光液ph值。2.如权利要求1所述的一种基于氧化还原电位机理的氮化镓化学机械抛光液，其特征在于：所述氧化还原电位调节剂由三氯化铁和三氧化二铁组成。3.如权利要求2所述的氧化还原电位调节剂，其特征在于：所述氧化还原调节剂，其中无水三氯化铁：三氧化二铁的质量比为1：1-2：1。4.如权利要求1所述的一种基于氧化还原电位机理的氮化镓化学机械抛光液，其特征在于：所述氧化还原电位调节剂质量百分比m1为1-2wt％,研磨颗粒质量百分比m2为2-5wt％，粒径d2为0.01-0.5μm,无水乙二胺质量百分比m3为0.5-1wt％。5.根据权利要求1所述的一种基于氧化还原电位机理的氮化镓化学机械抛光液，其特征在于：研磨颗粒包含但不限于氧化铝、氧化镁、氧化硅、氧化钛，其中，优选包括至少一种金属氧化物；较低密度的氧化物(氧化物金属元素相对原子质量在24-48之间)可以使氧通过氧化物更快地扩散，从而产生更快的氧化速率。6.如权利要求1所述的一种基于氧化还原电位机理的氮化镓化学机械抛光液，其特征在于：所述氧化还原抛光液的ph值在0.1-2.5的范围内。

技术总结
本发明涉及一种氮化镓化学机械抛光液技术领域，尤其涉及氧化还原电位机理的化学作用技术领域，包括如下步骤：步骤S1：纯水中加入质量百分比m1的氧化还原电位调节剂；步骤S2：加入质量百分比m2的研磨颗粒，并缓慢加入质量百分比为m3的无水乙二胺；步骤S3：用氢氟酸和谷氨酸调节抛光液PH值。氨酸调节抛光液PH值。氨酸调节抛光液PH值。


技术研发人员：魏炜 肖辉亚 黄灿容 马楠楠 李光 侯康生 韦苏琳
受保护的技术使用者：深圳市永霖科技有限公司
技术研发日：2022.07.29
技术公布日：2022/12/16