一种低噪声放大器的制作方法

技术特征：
1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括基础电路、共栅级缓冲器、偏置电路和保护电路；所述基础电路为两级共源结构，所述共栅级缓冲器与所述基础电路的输出端连接且一端接地，所述偏置电路包括第一偏置电路和第二偏置电路，所述第一偏置电路与所述共栅级缓冲器的输出端连接为所述共栅级缓冲器提供偏置电压，所述偏置电路与所述基础电路的输出端连接为所述基础电路提供偏置电压，所述保护电路与所述基础电路的输入端连接且一端连地。2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述基础电路包括第一支路和第二支路，分别设置有第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管共用同一偏置电流。3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一支路包括第一晶体管、第一电阻、第一电容和第一电感，所述第一晶体管的栅极与所述第一电感连接，且所述第一电感通过保护电路连接有电压输入端；所述第一电阻和所述第一电容连接并与所述第一晶体管和所述第一电感并联。4.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一晶体管漏极连接第二电感输入端，所述第二电感输出端连接地。5.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第二支路包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极连接有第三电感，所述第二晶体管的漏极通过第四电感与所述第一晶体管的源极连接，且所述第二晶体管的漏极通过第二电容交流短接至地。6.根据权利要求5所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第二支路包括第三电容，所述第三电容与所述第三电感和所述第四电感并联并与第三电阻串联。7.根据权利要求6所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第三晶体管的源极与所述共栅级缓冲器连接，所述共栅级缓冲器包括第三晶体管，所述第三晶体管的源极通过第四电阻与所述第三晶体管的源极连接，所述第三晶体管漏极通过第五电感接地；还包括与所述第二晶体管源极和所述第三晶体管漏极并联的第四电容。8.根据权利要求所述的低噪声放大器，其特征在于，所述偏置电路包括第一偏置电路和第二偏置电路，所述第二偏置电路与所述第三晶体管的栅极连接，所述第一偏置电路与所述第一支路的并联电路连接。9.根据权利要求8所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一偏置电路包括第四晶体管，所述第四晶体管的栅极与所述第一支路的并联电路连接，所述第四晶体管的源极连接有第五电阻，所述第四晶体管的漏极连接有第六电阻；所述第二偏置电路包括第七电阻和第八电阻。10.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述保护电路包括第一二极管和第二二极管。

技术总结
本申请涉及电子信息技术领域，具体而言，涉及一种低噪声放大器。包括基础电路、共栅级缓冲器、偏置电路和保护电路；所述基础电路为两级共源结构，所述共栅级缓冲器与所述基础电路的输出端连接且一端接地，所述偏置电路包括第一偏置电路和第二偏置电路，所述第一偏置电路与所述共栅级缓冲器的输出端连接为所述共栅级缓冲器提供偏置电压，所述偏置电路与所述基础电路的输出端连接为所述基础电路提供偏置电压，所述保护电路与所述基础电路的输入端连接且一端连地。在本实施例中噪声主要集中在输入管以及反馈电阻上，能够实现在6～18GHz应使噪声系数保持一定的平坦度。使噪声系数保持一定的平坦度。使噪声系数保持一定的平坦度。


技术研发人员：罗刚 李谊 詹海挺 周芷怡 周嘉波 罗俊
受保护的技术使用者：上海米硅科技有限公司
技术研发日：2022.09.15
技术公布日：2022/12/16