用于应力和/或应变测量系统的应力和/或应变测量单元的制作方法

技术特征：
1.一种用于应力和/或应变测量系统的应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)，具有：参考触点(14)，在所述参考触点上提供所述应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)的参考电流信号(i
1a
，i
1b
)；传感器触点(16)，在所述传感器触点上提供所述应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)的传感器电流信号(i
2a
，i
2b
)；和第一电流镜电路(18)，所述第一电流镜电路集成到半导体材料中并且具有第一传导路径(18a)和第二传导路径(18b)，所述第一传导路径能附接或已附接在所述参考触点(14)上，所述第二传导路径能附接或已附接在所述传感器触点(16)上，其中，所述第一电流镜电路(18)的第一传导路径(18a)包括至少一个第一晶体管(t1)，所述第一电流镜电路(18)的第二传导路径(18b)包括至少一个第二晶体管(t2)，其中，所述第一晶体管(t1)的第一栅极连接端、所述第一晶体管(t1)的第一漏极连接端和所述第二晶体管(t2)的第二栅极连接端位于相同的电位上，并且其中，能够为所述第一晶体管(t1)的第一反转沟道定义所述半导体材料的垂直于所述第一反转沟道定向的第一晶向(n
1a
，n
1b
)，能够为所述第二晶体管(t2)的第二反转沟道定义所述半导体材料的垂直于所述第二反转沟道定向的第二晶向(n
2a
，n
2b
)，其中，所述半导体材料的第一晶向(n
1a
，n
1b
)相对于所述半导体材料的第二晶向(n
2a
，n
2b
)倾斜地定向。2.根据权利要求1所述的应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)，其中，所述第一电流镜电路(18)的第一传导路径(18a)附加地还包括第三晶体管(t3)，所述第三晶体管附接在所述第一晶体管(t1)的所述第一漏极连接端上，所述第一电流镜电路(18)的所述第二传导路径(18b)附加地还包括第四晶体管(t4)，所述第四晶体管附接在所述第二晶体管(t2)的第二漏极连接端上，并且其中，所述第三晶体管(t3)的第三栅极连接端、所述第三晶体管(t3)的第三漏极连接端和所述第四晶体管(t4)的第四栅极连接端位于相同的电位上。3.根据权利要求2所述的应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)，其中，能够为所述第三晶体管(t3)的第三反转沟道定义所述半导体材料的垂直于所述第三反转沟道定向的第三晶向，所述第三晶向也垂直于所述第四晶体管(t4)的第四反转沟道定向。4.根据上述权利要求中任一项所述的应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)，其中，所述应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)附加地还具有第二电流镜电路(20)，所述第二电流镜电路集成到所述半导体材料中，所述第二电流镜电路具有第三传导路径(20a)和第四传导路径(20b)，所述第三传导路径能附接或已附接在所述参考触点(14)或者另外的参考触点上，所述第四传导路径能附接或已附接在所述传感器触点(16)或者另外的传感器触点上，其中，所述第二电流镜电路(20)的所述第三传导路径(20a)包括至少一个第五晶体管(t5)，所述第二电流镜电路(20)的所述第四传导路径(20b)包括至少一个第六晶体管(t6)，其中，所述第五晶体管(t5)的第五栅极连接端、所述第五晶体管(t5)的第五漏极连接端和所述第六晶体管(t6)的第六栅极连接端位于相同的电位上，其中，能够为所述第五晶体管(t5)的第五反转沟道定义所述半导体材料的垂直于所述第五反转沟道定向的第五晶向，能够为所述第六晶体管(t6)的第六反转沟道定义所述半导体材料的垂直于所述第六反转沟道定向的第六晶向，所述半导体材料的所述第五晶向相对于所述半导体材料的所述第六晶向倾斜地定向，并且其中，所述半导体材料的所述第五晶向相对于所述半导体材料的所述第一晶向(n
1a
，n
1b
)倾斜地定向，和/或所述半导体材料的所述第六晶向相对于所述半导体材料
的第二晶向(n
2a
，n
2b
)倾斜地定向。5.根据权利要求4所述的应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)，其中，所述第二电流镜电路(20)的所述第三传导路径(20a)附加地还包括第七晶体管(t7)，所述第七晶体管附接在所述第五晶体管(t5)的第五漏极连接端上，所述第二电流镜电路(20)的所述第四传导路径(20b)附加地还包括第八晶体管(t8)，所述第八晶体管附接在所述第六晶体管(t6)的第六漏极连接端上，并且其中，所述第七晶体管(t7)的第七栅极连接端、所述第七晶体管(t7)的第七漏极连接端和所述第八晶体管(t8)的第八栅极连接端位于相同的电位上。6.根据权利要求5所述的应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)，其中，能够为所述第七晶体管(t7)的第七反转沟道定义所述半导体材料的垂直于所述第七反转沟道定向的第七晶向，所述第七晶向也垂直于所述第八晶体管(t8)的第八反转沟道定向。7.根据权利要求4至6中任一项所述的应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)，其中，所述应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)附加地还具有开关装置(22)，所述开关装置如此构造，使得当所述开关装置(22)处于第一开关状态中时，所述第一电流镜电路(18)的所述第一传导路径(18a)附接在所述参考触点(14)上并且所述第一电流镜电路(18)的所述第二传导路径(18b)附接在所述传感器触点(16)上，当所述开关装置(22)处于第二开关状态中时，所述第二电流镜电路(20)的所述第三传导路径(20a)附接在所述参考触点(14)上并且所述第二电流镜电路(20)的所述第四传导路径(20b)附接在所述传感器触点(16)上。8.根据上述权利要求中任一项所述的应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)，其中，所述第一晶体管(t1)、所述第二晶体管(t2)、所述第三晶体管(t3)、所述第四晶体管(t4)、所述第五晶体管(t5)、所述第六晶体管(t6)、所述第七晶体管(t7)和/或所述第八晶体管(t8)都是mosfet。9.一种用于半导体设备(24)的应力和/或应变测量系统，具有：至少一个根据上述权利要求中任一项所述的应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)，其中，所述应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)的半导体材料能布置或已布置在所述应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)在所述半导体设备(24)上和/或在所述半导体设备(24)中的对应的传感器位置(pa，pb)上；和电子装置(26)，所述电子装置设计为和/或编程为用于至少根据在所述应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)的所述参考触点(14)上所提供的参考电流信号(i
1a
，i
1b
)和在所述应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)的所述传感器触点(16)上提供的传感器电流信号(i
2a
，i
2b
)来至少针对所述应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)的所述传感器位置确定与方向相关的应力和/或应变信息(28)。10.根据权利要求9所述的应力和/或应变测量系统，其中，所述应力和/或应变测量系统包括多个应力和/或应变测量单元(10a，10b)作为所述应力和/或应变测量系统的至少一个应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)，其中，所述应力和/或应变测量单元(10a，10b)各自的半导体材料布置在所述半导体设备(24)的至少一部分上和/或至少一部分中的多个传感器位置(pa，pb)上，并且其中，所述电子装置(26)设计为和/或编程为用于根据在所述参考触点(14)上提供的参考电流信号(i
1a
，i
1b
)和在所述传感器触点(16)上提供的传感器电流信号(i
2a
，i
2b
)来确定关于在所述半导体设备(24)的至少一部分上和/或至少一部分中的应力和/或应变分布的信息作为与方向相关的应力和/或应变信息(28)。
11.一种用于针对半导体设备(24)的至少一个传感器位置(pa，pb)求取与方向相关的应力和/或应变信息(28)的方法，所述方法具有下述步骤：如此将至少一个应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)至少布置在所述传感器位置(pa，pb)上，使得所述应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)的半导体材料位于在所述半导体设备(24)上和/或在所述半导体设备(24)中的传感器位置(pa，pb)上，所述至少一个应力和/或应变测量单元具有参考触点(14)、传感器触点(16)和第一电流镜电路(18)，所述第一电流镜电路集成到半导体材料中并且具有第一传导路径(18a)和第二传导路径(18b)，所述第一传导路径能附接或已附接在所述参考触点(14)上，所述第二传导路径能附接或已附接在所述传感器触点(16)上，其中，所述第一电流镜电路(18)的所述第一传导路径(18a)包括至少一个第一晶体管(t1)，所述第一电流镜电路(18)的所述第二传导路径(18b)包括至少一个第二晶体管(t2)，其中，所述第一晶体管(t1)的第一栅极连接端、所述第一晶体管(t1)的第一漏极连接端和所述第二晶体管(t2)的第二栅极连接端位于相同的电位上，并且其中，能够为所述第一晶体管(t1)的第一反转沟道定义所述半导体材料的垂直于所述第一反转沟道定向的第一晶向(n
1a
，n
1b
)，能够为所述第二晶体管(t2)的第二反转沟道定义所述半导体材料的垂直于所述第二反转沟道定向的第二晶向(n
2a
，n
2b
)，其中，所述半导体材料的第一晶向(n
1a
，n
1b
)相对于所述半导体材料的第二晶向(n
2a
，n
2b
)倾斜地定向；和至少根据在所述应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)的参考触点(14)上所提供的参考电流信号(i
1a
，i
1b
)和在所述应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)的传感器触点(16)上提供的传感器电流信号(i
2a
，i
2b
)来至少针对所述应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)的所述传感器位置(pa，pb)确定与方向相关的应力和/或应变信息(28)。12.根据权利要求11所述的方法，其中，如此布置多个应力和/或应变测量单元(10a，10b)作为所述至少一个应力和/或应变测量单元(10，10a，10b)，使得所述应力和/或应变测量单元(10a，10b)各自的半导体材料位于在所述半导体设备(24)的至少一部分上和/或至少一部分中的多个传感器位置(pa，pb)上，并且其中，根据在所述参考触点(14)上所提供的参考电流信号(i
1a
，i
1b
)和在所述传感器触点(16)上提供的传感器电流信号(i
2a
，i
2b
)来确定关于在所述半导体设备(24)的至少一部分上和/或至少一部分中的应力和/或应变分布的信息作为与方向相关的应力和/或应变信息(28)。

技术总结
一种用于应力和/或应变测量系统的应力和/或应变测量单元(10)，具有：参考触点(14)、传感器触点(16)和集成到半导体材料中的第一电流镜电路(18)，该第一电流镜电路具有能附接或已附接在该参考触点上的第一传导路径(18a)和能附接或已附接在该传感器触点上的第二传导路径(18b)，该第一传导路径包括至少一个第一晶体管(T1)，该第二传导路径包括至少一个第二晶体管(T2)，能够为该第一晶体管的第一反转沟道定义垂直于该第一反转沟道定向的半导体材料第一晶向并且能够为该第二晶体管的第二反转沟道定义垂直于该第二反转沟道定向的半导体材料第二晶向，该第一晶向相对于该第二晶向倾斜地定向。向倾斜地定向。向倾斜地定向。


技术研发人员：F
受保护的技术使用者：罗伯特
技术研发日：2022.06.16
技术公布日：2022/12/16