一种TO方法、装置及终端与流程

技术特征：
1.一种全封闭封装to方法，其特征在于，所述方法包括：获取设计规则检查drc检查通过的设计图形；启动光学临近修正技术opc对所述图形设计进行opc图形修正；通过掩膜规则值mrc对所述opc进行工艺错误检查，得到预设mask图形；对所述图形设计进行光刻工艺模拟检查，得到模拟图形成像结果；根据所述模拟图形成像结果对所述预设mask图形进行优化，得到目标mask图形。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取drc检测通过的设计图形之前，所述方法还包括：获取所述图形设计，所述图形设计包括待检查的规则项；启动所述drc对所述待检查的规则项进行检查；响应于所述设计图形不通过所述drc检查，将所述设计图形返回设计端。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述启动opc对所述图形设计进行opc图形修正，包括：根据所述设计图形设计辅助图形；获取所述辅助图形的成像数据；根据所述辅助图形的成像数据对所述图形设计进行所述opc图形修正。4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述对所述图形设计进行光刻工艺模拟检查，得到模拟图形成像结果，包括：启动光刻模拟程序对所述图形设计进行所述光刻工艺模拟检查，得到所述模拟图形成像结果。5.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述对所述图形设计进行光刻工艺模拟检查，得到模拟图形成像结果，包括：启动smo程序对所述图形设计进行所述光刻工艺模拟检查，得到所述模拟图形成像结果。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述模拟图形成像结果对所述预设mask图形进行优化，得到目标mask图形，包括：在工艺模拟中，响应于出现光刻工艺条件变更引起关键尺寸变小导致图形变形、缺失的情况，对line图形做放大处理；在工艺模拟中，响应于出现光刻工艺条件变更引起关键尺寸变小导致相邻图形粘连的情况，对space图形做放大处理；在工艺模拟中，响应于出现光刻工艺条件变更引起关键尺寸变化导致不符合版图、电路设计需求的情况，将所述预设mask图形将结果反馈至opc流程，变更opc修正菜单中工艺参数设置，得到符合设计需求的目标mask图形。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述放大处理包括关键尺寸的放大、图形总面积增加、以及在图形边界上或图形边界外增加小的无法成像的辅助图形。8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述光刻工艺条件至少包括曝光能量和聚焦深度。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：根据成像系统参数建立光学传输系统，所述光学传输系统用于描述通过所述预设mask
图形和成像系统到达光刻胶时的光强分布的光学传输模型系统，其中，在特定成像条件下，成像系统为实际光刻胶形成的关键尺寸和光强分布成互相映射关系的化学成像系统，所述成像系统包括但不限于光刻胶随光照强度产生一定光酸含量的模型、光酸在光刻胶胶体中的扩散模型、光刻胶受热后的扩散模型，以及光刻胶在显影液中溶解的显影速度模型；根据实际生产设备对应工艺参数波动确定的变化范围调节所述成像系统包括的各模型中各关联参数以获得最终光刻胶形成图形形状和关键尺寸的统计分布；根据上述统计分布与预设设计版图的对比，得到差异与各维度尺寸差值；对所述差值进行电学功能设计冗余与量产成品率控制性冗余判断。10.一种to装置，其特征在于，所述装置包括：图形获取模块，用于获取drc检查通过的设计图形；图形修正模块，用于启动opc对所述图形设计进行opc图形修正；工艺检查模块，用于通过mrc对所述opc进行工艺错误检查，得到预设mask图形；模拟检查模块，用于对所述图形设计进行光刻工艺模拟检查，得到模拟图形成像结果；图形优化模块，用于根据所述模拟图形成像结果对所述预设mask图形进行优化，得到目标mask图形。11.一种终端，其特征在于，所述终端包括处理器和存储器；所述存储器存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被所述处理器执行以实现如权利要求1至9任一所述的to方法。

技术总结
本发明公开了一种TO方法、装置及终端，属于光刻工艺领域。该方法中，在完成通过MRC对OPC进行工艺错误检查之后，对图形设计进行光刻工艺模拟检查，得到模拟图形成像结果，进而根据模拟图形成像结果对预设Mask图形进行优化，得到目标Mask图形；与相关技术中的TO流程相比，增加了光刻工艺模拟检查，从而实现DRC、MRC没有错误的版图进行再次检查，提高对图形的监控效力，避免因OPC人员不具备制造经验和无法考虑到生产线实际情况导致的问题图形的遗漏发现，实现对版图全部区域的工艺检查，而非传统的局部报错区域。非传统的局部报错区域。非传统的局部报错区域。


技术研发人员：王雷
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2022.09.30
技术公布日：2022/12/16