一种光学临近效应修正方法、装置及设备与流程

1.本发明涉及光学修正领域，特别是涉及一种光学临近效应修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质。


背景技术：

2.光刻是芯片制造过程中的核心工艺，但光学系统，掩模版以及光刻胶系统中的非线性效应会带来芯片制造过程中的从设计图形到晶圆制造中的转移失真。现有掩模版图形优化主要是通过opc（光学邻近效应修正）技术对掩模版版图进行仿真和优化，来最大化的减少半导体制造过程中由于光学等非线性效应造成的图形失真，在opc修正过程中，遵循掩模版制造规则的限制尤为重要。
3.目前的opc修正方法，是基于给定目标图形，在上面做碎片化，然后移动碎片的方式来实现opc修正。目标图形是通常都是正交的多边形。opc修正的过程中需要遵循掩模版制造规则的限制（通常为根据机器的掩膜版制造分辨率设计的用于保障可行性的规则）。那么在一些角对角的图形中，修正后的正交图形很容易由于对角间的距离过近导致碰触到规则限制的极限，使实际生产出的对角互连到一起，与原本的版图设计大相径庭，虽然实际生产得到的掩膜版不大可能严格生成正交图形的直角边，导致实际得到的对角间的距离往往会稍大于版图设计中显示的距离，但这种依靠生产中不确定性无法百分百保证距离过近的对顶角之间不会发生掩膜层粘连，致使良品率下降。
4.因此，如何避免现有技术中opc修正得到的版图设计中的对顶角处在实际生产中容易发生的互连，是本领域技术人员亟待解决的问题。


技术实现要素：

5.本发明的目的是提供一种光学临近效应修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质，以解决现有技术中得到的设计版图容易触碰到设备精度的边界，导致实际生产中对顶角容易出现互连的现象，使成品良品率降低的问题。
6.为解决上述技术问题，本发明提供一种光学临近效应修正方法，包括：接收原始版图；对所述原始版图进行碎片化处理，得到待优化版图；根据预设的目标函数对所述待优化版图进行初步opc优化，得到正交图形版图；确定所述正交图形版图中，间距小于掩膜版制造分辨率的对顶角，作为风险对顶角；对所述风险对顶角进行曲线拟合，将所述风险对顶角替换为对顶圆弧，得到修正掩膜版图。
7.可选地，在所述的光学临近效应修正方法中，所述对顶圆弧的确定方法包括：分别确定组成所述风险对顶角的两个直角，及每个所述直角分别对应的两个切分单元边；
根据每个所述直角对应的两个切分单元边的长度，进行椭圆拟合，得到椭圆方程；利用所述椭圆方程对应的单象限椭圆曲线段替代对应的直角的两个切分单元边，得到所述对顶圆弧。
8.可选地，在所述的光学临近效应修正方法中，所述根据预设的目标函数对所述待优化版图进行初步opc优化，得到正交图形版图包括：根据epe函数对所述待优化版图进行初步opc优化，得到正交图形版图。
9.可选地，在所述的光学临近效应修正方法中，在得到所述修正掩膜版图之后，还包括：判断所述修正掩膜版图中的对顶圆弧的间距是否均大于所述掩膜版制造分辨率；当所述修正掩膜版图中的对顶圆弧的间距并非均大于所述掩膜版制造分辨率时，确定间距小于所述掩膜版制造分辨率的对顶圆弧为待修对顶圆弧；将所述待修对顶圆弧中的圆弧曲线段替换为起止位置不变，但曲率更小的替补圆弧，得到保障掩膜版图。
10.一种光学临近效应修正装置，包括：接收模块，用于接收原始版图；碎片化模块，用于对所述原始版图进行碎片化处理，得到待优化版图；opc模块，用于根据预设的目标函数对所述待优化版图进行初步opc优化，得到正交图形版图；规则检查模块，用于确定所述正交图形版图中，间距小于掩膜版制造分辨率的对顶角，作为风险对顶角；曲线拟合模块，用于对所述风险对顶角进行曲线拟合，将所述风险对顶角替换为对顶圆弧，得到修正掩膜版图。
11.可选地，在所述的光学临近效应修正装置中，所述曲线拟合模块包括：切分单元，用于分别确定组成所述风险对顶角的两个直角，及每个所述直角分别对应的两个切分单元边；椭圆拟合单元，用于根据每个所述直角对应的两个切分单元边的长度，进行椭圆拟合，得到椭圆方程；椭圆替代单元，用于利用所述椭圆方程对应的单象限椭圆曲线段替代对应的直角的两个切分单元边，得到所述对顶圆弧。
12.可选地，在所述的光学临近效应修正装置中，所述opc模块包括：epe函数单元，用于根据epe函数对所述待优化版图进行初步opc优化，得到正交图形版图。
13.可选地，在所述的光学临近效应修正装置中，所述曲线拟合模块，还包括：修正间距判断单元，用于判断所述修正掩膜版图中的对顶圆弧的间距是否均大于所述掩膜版制造分辨率；待修确定单元，用于当所述修正掩膜版图中的对顶圆弧的间距并非均大于所述掩膜版制造分辨率时，确定间距小于所述掩膜版制造分辨率的对顶圆弧为待修对顶圆弧；曲率变化单元，用于将所述待修对顶圆弧中的圆弧曲线段替换为起止位置不变，但曲率更小的替补圆弧，得到保障掩膜版图。
14.一种光学临近效应修正设备，包括：存储器，用于存储计算机程序；处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上述任一种所述的光学临近效应修正方法的步骤。
15.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述的光学临近效应修正方法的步骤。
16.本发明所提供的一种光学临近效应修正方法，通过接收原始版图；对所述原始版图进行碎片化处理，得到待优化版图；根据预设的目标函数对所述待优化版图进行初步opc优化，得到正交图形版图；确定所述正交图形版图中，间距小于掩膜版制造分辨率的对顶角，作为风险对顶角；对所述风险对顶角进行曲线拟合，将所述风险对顶角替换为对顶圆弧，得到修正掩膜版图。本发明中利用曲线拟合的方式，将原本正交图形中的对顶角替换为了圆弧，直观地拉开了角对角的距离，有效规避了掩膜版的对顶角之间的间距过近造成的实际生产中对顶角互连的问题，得到了易于实施且良品率更高，生产实物更接近设计版图的光学临近效应修正方法。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的光学临近效应修正装置、设备及计算机可读存储介质。
附图说明
17.为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
18.图1为本发明提供的光学临近效应修正方法的一种具体实施方式的流程示意图；图2为本发明提供的光学临近效应修正方法的一种具体实施方式的工艺流程图；图3为本发明提供的光学临近效应修正方法的另一种具体实施方式的流程示意图；图4为本发明提供的光学临近效应修正装置的一种具体实施方式的结构示意图。
具体实施方式
19.为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
20.本发明的核心是提供一种光学临近效应修正方法，其一种具体实施方式的流程示意图如图1所示，称其为具体实施方式一，包括：s101：接收原始版图。
21.所述原始版图指需要进行opc处理的线路版图。
22.s102：对所述原始版图进行碎片化处理，得到待优化版图。
23.所述碎片化处理，指对所述原始版图上需要优化的边做切分，得到多个切分单元边，可以记作x1，x2，x3…
，xn。
24.s103：根据预设的目标函数对所述待优化版图进行初步opc优化，得到正交图形版图。
25.本步骤中的opc优化之后，得到各个切分单元边对应的自变量值，可以记作d1，d2，d3…
，dn，所述自变量值即代表所述切分单元边在垂直于自身延伸方向的方向上的移动方向与距离。
26.作为一种优选实施方式，本步骤包括：根据epe函数对所述待优化版图进行初步opc优化，得到正交图形版图。
27.在本优选实施方式中，采用所述epe函数（边缘位置误差函数）作为所述目标函数，求出最优解时得到的正交图形版图，其预测的刻蚀图形与所述原始版图最为接近，也即提高了光刻精度与光刻准确度。当然，也可根据具体情况采用其他目标函数，如pvband（工艺变化带宽）函数等。
28.s104：确定所述正交图形版图中，间距小于掩膜版制造分辨率的对顶角，作为风险对顶角。
29.掩膜版制造分辨率为设备能够执行的最小分辨率，举例说明，如在所述正交图形版图中，一组对顶角之间的间距为13纳米，但设备的掩膜版制造分辨率仅为15纳米，设备能保证操作极限的线宽就是15纳米，上述13纳米间距的对顶角显然是存在风险的，即可定义为所述风险对顶角。
30.当然，所述对顶角的间距指的是两个顶角之间的最小间距。
31.s105：对所述风险对顶角进行曲线拟合，将所述风险对顶角替换为对顶圆弧，得到修正掩膜版图。
32.作为一种优选实施方式，所述对顶圆弧的确定方法包括：a1：分别确定组成所述风险对顶角的两个直角，及每个所述直角分别对应的两个切分单元边。
33.请结合前文中对互切分单元边的说明，当然，一个直角对应的两个切分单元边为组成所述直角的两个切分单元边，可参考图2，图2中采用a、b及c、d，指代组成两个直角的四条切分单元边。
34.a2：根据每个所述直角对应的两个切分单元边的长度，进行椭圆拟合，得到椭圆方程。
35.以a、b构成的直角为例，假定椭圆的中心位置为（x0，y0），则得到椭圆方程：其中，半长轴为a，半短轴为b。
36.a3：利用所述椭圆方程对应的单象限椭圆曲线段替代对应的直角的两个切分单元边，得到所述对顶圆弧。
37.图2中的e1、e2指代两条拟合后的椭圆曲线，可以看出，所述椭圆曲线段为四分之一椭圆。
38.本优选实施方式中利用组成对顶角的切分单元边为基础，设计对顶圆弧，计算量低泛用性强，适合大量数据的批量处理，处理效率高，对对顶角的替换成功率高。当然，也可以不采用本优选实施方式中使用四分之一椭圆线段代替直角，也可根据实际情况采用其他
方式得到的弧线段。
39.本发明所提供的一种光学临近效应修正方法，通过接收原始版图；对所述原始版图进行碎片化处理，得到待优化版图；根据预设的目标函数对所述待优化版图进行初步opc优化，得到正交图形版图；确定所述正交图形版图中，间距小于掩膜版制造分辨率的对顶角，作为风险对顶角；对所述风险对顶角进行曲线拟合，将所述风险对顶角替换为对顶圆弧，得到修正掩膜版图。本发明中利用曲线拟合的方式，将原本正交图形中的对顶角替换为了圆弧，直观地拉开了角对角的距离，有效规避了掩膜版的对顶角之间的间距过近造成的实际生产中对顶角互连的问题，得到了易于实施且良品率更高，生产实物更接近设计版图的光学临近效应修正方法。
40.在具体实施方式一的基础上，进一步提供一种对顶圆弧校验的方法，得到具体实施方式二，其流程示意图如图3所示，包括：s201：接收原始版图。
41.s202：对所述原始版图进行碎片化处理，得到待优化版图。
42.s203：根据预设的目标函数对所述待优化版图进行初步opc优化，得到正交图形版图。
43.s204：确定所述正交图形版图中，间距小于掩膜版制造分辨率的对顶角，作为风险对顶角。
44.s205：对所述风险对顶角进行曲线拟合，将所述风险对顶角替换为对顶圆弧，得到修正掩膜版图。
45.s206：判断所述修正掩膜版图中的对顶圆弧的间距是否均大于所述掩膜版制造分辨率。
46.本步骤中进一步验证修改后的对顶圆弧的间距是否均大于所述掩膜版制造分辨率。
47.s207：当所述修正掩膜版图中的对顶圆弧的间距并非均大于所述掩膜版制造分辨率时，确定间距小于所述掩膜版制造分辨率的对顶圆弧为待修对顶圆弧。
48.s208：将所述待修对顶圆弧中的圆弧曲线段替换为起止位置不变，但曲率更小的替补圆弧，得到保障掩膜版图。
49.本具体实施方式与前述具体实施方式的不同之处在于，本具体实施方式进一步对修正掩膜版图进行二次验证，其余步骤均与上述具体实施方式相同，在此不再展开赘述。
50.本具体实施方式中，在得到所述修正掩膜版图后，进一步验证了对顶圆弧是否满足所述掩膜版制造分辨率，也即生产设备的要求，如果对顶圆弧的间距还是过小，则需要对对顶圆弧的形态进行修改，以便增加其间距，本具体实施方式中直接采用曲率更小的圆弧替代原本的圆弧，曲率越小，则圆弧越平，对顶的圆弧越平，则对顶圆弧的间距越大，本优选实施方式的算量需求小，运算效率高，可大幅提升设计生产的效率，且实用性强。
51.下面对本发明实施例提供的光学临近效应修正装置进行介绍，下文描述的光学临近效应修正装置与上文描述的光学临近效应修正方法可相互对应参照。
52.图4为本发明实施例提供的光学临近效应修正装置的结构框图，参照图4光学临近效应修正装置可以包括：接收模块100，用于接收原始版图；
碎片化模块200，用于对所述原始版图进行碎片化处理，得到待优化版图；opc模块300，用于根据预设的目标函数对所述待优化版图进行初步opc优化，得到正交图形版图；规则检查模块400，用于确定所述正交图形版图中，间距小于掩膜版制造分辨率的对顶角，作为风险对顶角；曲线拟合模块500，用于对所述风险对顶角进行曲线拟合，将所述风险对顶角替换为对顶圆弧，得到修正掩膜版图。
53.作为一种优选实施方式，所述曲线拟合模块500包括：切分单元，用于分别确定组成所述风险对顶角的两个直角，及每个所述直角分别对应的两个切分单元边；椭圆拟合单元，用于根据每个所述直角对应的两个切分单元边的长度，进行椭圆拟合，得到椭圆方程；椭圆替代单元，用于利用所述椭圆方程对应的单象限椭圆曲线段替代对应的直角的两个切分单元边，得到所述对顶圆弧。
54.作为一种优选实施方式，所述opc模块300包括：epe函数单元，用于根据epe函数对所述待优化版图进行初步opc优化，得到正交图形版图。
55.作为一种优选实施方式，所述曲线拟合模块500，还包括：修正间距判断单元，用于判断所述修正掩膜版图中的对顶圆弧的间距是否均大于所述掩膜版制造分辨率；待修确定单元，用于当所述修正掩膜版图中的对顶圆弧的间距并非均大于所述掩膜版制造分辨率时，确定间距小于所述掩膜版制造分辨率的对顶圆弧为待修对顶圆弧；曲率变化单元，用于将所述待修对顶圆弧中的圆弧曲线段替换为起止位置不变，但曲率更小的替补圆弧，得到保障掩膜版图。
56.本发明所提供的一种光学临近效应修正装置，通过接收模块100，用于接收原始版图；碎片化模块200，用于对所述原始版图进行碎片化处理，得到待优化版图；opc模块300，用于根据预设的目标函数对所述待优化版图进行初步opc优化，得到正交图形版图；规则检查模块400，用于确定所述正交图形版图中，间距小于掩膜版制造分辨率的对顶角，作为风险对顶角；曲线拟合模块500，用于对所述风险对顶角进行曲线拟合，将所述风险对顶角替换为对顶圆弧，得到修正掩膜版图。本发明中利用曲线拟合的方式，将原本正交图形中的对顶角替换为了圆弧，直观地拉开了角对角的距离，有效规避了掩膜版的对顶角之间的间距过近造成的实际生产中对顶角互连的问题，得到了易于实施且良品率更高，生产实物更接近设计版图的光学临近效应修正方法。
57.本实施例的光学临近效应修正装置用于实现前述的光学临近效应修正方法，因此光学临近效应修正装置中的具体实施方式可见前文中的光学临近效应修正方法的实施例部分，例如，接收模块100，碎片化模块200，opc模块300，规则检查模块400，曲线拟合模块500，分别用于实现上述光学临近效应修正方法中步骤s101，s102，s103和s104，所以，其具体实施方式可以参照相应的各个部分实施例的描述，在此不再赘述。
58.本发明还提供一种光学临近效应修正设备，包括：
存储器，用于存储计算机程序；处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上述任一种所述的光学临近效应修正方法的步骤。本发明所提供的一种光学临近效应修正方法，通过接收原始版图；对所述原始版图进行碎片化处理，得到待优化版图；根据预设的目标函数对所述待优化版图进行初步opc优化，得到正交图形版图；确定所述正交图形版图中，间距小于掩膜版制造分辨率的对顶角，作为风险对顶角；对所述风险对顶角进行曲线拟合，将所述风险对顶角替换为对顶圆弧，得到修正掩膜版图。本发明中利用曲线拟合的方式，将原本正交图形中的对顶角替换为了圆弧，直观地拉开了角对角的距离，有效规避了掩膜版的对顶角之间的间距过近造成的实际生产中对顶角互连的问题，得到了易于实施且良品率更高，生产实物更接近设计版图的光学临近效应修正方法。
59.本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述的光学临近效应修正方法的步骤。本发明所提供的一种光学临近效应修正方法，通过接收原始版图；对所述原始版图进行碎片化处理，得到待优化版图；根据预设的目标函数对所述待优化版图进行初步opc优化，得到正交图形版图；确定所述正交图形版图中，间距小于掩膜版制造分辨率的对顶角，作为风险对顶角；对所述风险对顶角进行曲线拟合，将所述风险对顶角替换为对顶圆弧，得到修正掩膜版图。本发明中利用曲线拟合的方式，将原本正交图形中的对顶角替换为了圆弧，直观地拉开了角对角的距离，有效规避了掩膜版的对顶角之间的间距过近造成的实际生产中对顶角互连的问题，得到了易于实施且良品率更高，生产实物更接近设计版图的光学临近效应修正方法。
60.本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
61.需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
62.专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
63.结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器（ram）、内存、只读存
储器（rom）、电可编程rom、电可擦除可编程rom、寄存器、硬盘、可移动磁盘、cd-rom、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
64.以上对本发明所提供的光学临近效应修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。