显示面板及显示装置的制作方法

1.本技术实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light-emitting diode，简称oled)显示面板因其具有自发光、宽视角、广色域、可弯折等优点被广泛应用于手机、平板电脑等显示装置中。然而，oled显示面板易出现蓝光色纯度低的问题，导致oled显示面板的显示效果不佳。


技术实现要素：

3.鉴于上述问题，本技术实施例提供一种显示面板及显示装置，以解决显示面板的显示效果不佳的技术问题。
4.为了实现上述目的，本技术实施例提供如下技术方案：
5.本技术实施例第一方面提供一种显示面板，包括阵列基板，以及依次层叠设置所述阵列基板上的发光器件层和封装层；所述发光器件层包括红光器件单元、绿光器件单元和蓝光器件单元，所述红光器件单元具有红光发光材料层，所述绿光器件单元具有绿光发光材料层，所述蓝光器件单元具有蓝光发光材料层；
6.所述显示面板设置有垫高结构，所述垫高结构位于所述蓝光发光材料层背向所述阵列基板的一侧，以使所述蓝光发光材料层的顶面与所述阵列基板的底面之间的距离大于或等于所述红光发光材料层的顶面与所述阵列基板的底面之间的距离，且大于或等于所述绿光发光材料层的顶面与所述阵列基板的底面之间的距离。
7.本技术实施例的显示面板，设置有垫高结构，以增加蓝光器件单元的蓝光发光材料层的高度，能够防止蓝色器件单元所发出的蓝光照射至红光器件单元的红光发光材料层及绿光器件单元的绿光发光材料层中，避免产生光致发光，从而提高了蓝光的色纯度，增强了显示面板的显示效果。
8.在一些可能的实现方式中，所述垫高结构在所述阵列基板上的正投影的形状与所述蓝光发光材料层在所述阵列基板上的正投影的形状相同。
9.在一些可能的实现方式中，所述垫高结构在所述阵列基板上的正投影的形状为矩形或菱形。
10.在一些可能的实现方式中，所述垫高结构在所述阵列基板上的正投影的面积为300～600平方微米。
11.在一些可能的实现方式中，所述红光器件单元还具有红光空穴传输层，所述红光空穴传输层位于所述红光发光材料层朝向所述阵列基板的一侧；所述绿光器件单元还具有绿光空穴传输层，所述绿光空穴传输层位于所述绿光发光材料层朝向所述阵列基板的一侧；所述蓝光器件单元还具有蓝光空穴传输层，所述蓝光空穴传输层位于所述蓝光发光材料层朝向所述阵列基板的一侧，且位于所述垫高结构背向所述阵列基板的一侧；沿垂直所述阵列基板的方向，所述红光空穴传输层的厚度为250～300纳米，所述绿光空穴传输层的
厚度为200～250纳米，所述蓝光空穴传输层的厚度为150～200纳米，所述垫高结构的厚度为500～1500纳米。
12.在一些可能的实现方式中，所述垫高结构位于所述阵列基板中任意相邻的两个膜层之间。
13.在一些可能的实现方式中，所述阵列基板包括依次层叠设置的衬底、阻挡层和阵列膜层。
14.在一些可能的实现方式中，所述垫高结构位于所述衬底和所述阻挡层之间。
15.在一些可能的实现方式中，所述阻挡层包括依次层叠设置于所述衬底上的多个无机层，所述垫高结构位于任意相邻的两个所述无机层之间。
16.在一些可能的实现方式中，所述垫高结构位于所述阻挡层和所述阵列膜层之间。
17.在一些可能的实现方式中，所述阵列膜层包括依次层叠设置于所述阻挡层上的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层、第三导电层和平坦化层；所述第一绝缘层覆盖所述第一导电层，且覆盖所述阻挡层未被所述第一导电层覆盖的区域；所述第二绝缘层覆盖所述第二导电层，且覆盖所述第一绝缘层未被所述第二导电层覆盖的区域；所述平坦化层覆盖所述第三导电层，且覆盖所述第二绝缘层未被所述第三导电层覆盖的区域；
18.所述垫高结构位于所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述平坦化层中任意两个相接触的膜层之间且所述垫高结构的厚度大于所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层的厚度。
19.在一些可能的实现方式中，所述垫高结构的材料为金属。
20.在一些可能的实现方式中，所述垫高结构的材料为非金属。
21.在一些可能的实现方式中，所述非金属包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。
22.在一些可能的实现方式中，所述垫高结构位于所述发光器件层内。
23.在一些可能的实现方式中，所述发光器件层包括第一阳极块、像素限定层和阴极层，所述第一阳极块设置于所述阵列基板上；所述像素限定层覆盖于所述阵列基板及所述第一阳极块，所述像素限定层设置有第一像素开口，所述第一像素开口露出所述第一阳极块背向所述阵列基板的顶面，所述第一像素开口依次填充有蓝光空穴传输层、所述蓝光发光材料层和蓝光电子传输层，所述蓝光空穴传输层、所述蓝光发光材料层、所述蓝光电子传输层及所述第一阳极块形成所述蓝光器件单元；所述阴极层覆盖于所述像素限定层上，且与所述蓝光电子传输层相接触；所述垫高结构位于所述第一阳极块和所述阵列基板之间。
24.在一些可能的实现方式中，所述垫高结构的材料为金属。
25.在一些可能的实现方式中，所述发光器件层还包括第二阳极块，所述第二阳极块设置于所述阵列基板上，且与所述第一阳极块间隔设置；所述像素限定层还设置有第二像素开口，所述第二像素开口露出所述第二阳极块背向阵列基板的顶面，所述第二像素开口依次填充有红光空穴传输层、所述红光发光材料层和红光电子传输层，所述红光空穴传输层、所述红光发光材料层、所述红光电子传输层及所述第二阳极块形成所述红光器件单元；所述阴极层与所述红光电子传输层相接触。
26.在一些可能的实现方式中，所述发光器件层还包括第三阳极块，所述第三阳极块设置于所述阵列基板上，且与所述第一阳极块和所述第二阳极块间隔设置；所述像素限定
层还设置有第三像素开口，所述第三像素开口露出所述第三阳极块背向阵列基板的顶面，所述第三像素开口依次填充有绿光空穴传输层、所述绿光发光材料层和绿光电子传输层，所述绿光空穴传输层、所述绿光发光材料层、所述绿光电子传输层及所述第三阳极块形成所述绿光器件单元；所述阴极层与所述绿光电子传输层相接触。
27.在一些可能的实现方式中，所述红光空穴传输层的厚度大于所述绿光空穴传输层的厚度，所述绿光空穴传输层的厚度大于所述蓝光空穴传输层的厚度。
28.本技术实施例第二方面提供一种显示装置，包括如上任一项所述的显示面板。
29.本技术实施例的显示装置，由于包括上述任一项显示面板，因此该显示装置也具有上述任一项显示面板的优点，本技术实施例在此不再赘述。
附图说明
30.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
31.图1为本技术实施例一些可能的实现方式中显示面板的剖面结构示意图；
32.图2为本技术实施例另一些可能的实现方式中显示面板的剖面结构示意图；
33.图3为本技术实施例另一些可能的实现方式中显示面板的剖面结构示意图。
34.附图标记说明：
35.10-阵列基板；
36.110-衬底；
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120-阻挡层；
37.121-无机层；
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130-阵列膜层；
38.131-第一导电层；
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132-第一绝缘层；
39.133-第二导电层；
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134-第二绝缘层；
40.135-第三导电层；
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136-平坦化层；
41.20-发光器件层；
42.210-像素限定层；
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211-第一像素开口；
43.212-第二像素开口；
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213-第三像素开口；
44.220-蓝光器件单元；
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221-第一阳极块；
45.222-蓝光空穴传输层；
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223-蓝光发光材料层；
46.224-蓝光电子传输层；
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230-红光器件单元；
47.231-第二阳极块；
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232-红光空穴传输层；
48.233-红光发光材料层；
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234-红光电子传输层；
49.240-绿光器件单元；
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241-第三阳极块；
50.242-绿光空穴传输层；
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243-绿光发光材料层；
51.244-绿光电子传输层；
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250-阴极层；
52.30-封装层；
53.40-垫高结构。
具体实施方式
54.正如背景技术所述，相关技术中的显示面板，存在蓝光色纯度低的问题的技术问题。经发明人长期研究发现，其原因在于，oled显示面板一般利用微腔效应来增强出光效率。oled显示面板通常包括红光器件单元、绿光器件单元和蓝光器件单元，由于红光器件单元、绿光器件单元和蓝光器件单元所发出的光的波长不同，因此红光器件单元、绿光器件单元和蓝光器件单元的微腔的厚度也不同。一般地，红光器件单元的微腔厚度大于绿光器件单元的微腔的厚度，绿光器件单元的微腔的厚度大于蓝光器件单元的微腔的厚度。
55.不同器件单元的微腔厚度一般通过空穴传输层来调整，也就是说，红光器件单元的空穴传输层的厚度，大于绿光器件单元的空穴传输层的厚度，绿光器件单元的空穴传输层的厚度大于蓝光器件单元的空穴传输层的厚度。如此设置，使得红光器件单元的发光材料层高于绿光器件单元的发光材料层，绿光器件单元的发光材料层高于蓝光器件单元的发光材料层。当蓝光器件单元的发光材料层发光时，所发出的蓝光进入绿光器件单元和红光器件单元的发光层材料层内，对红光器件单元的发光材料层和绿光器件单元的发光材料层进行激发，使得红光器件单元的发光材料层和绿光器件单元的发光材料层产生光致发光，该光线与蓝光相混合，降低了蓝光的色纯度，从而影响了显示面板的显示效果。
56.针对上述技术问题，本技术实施例的显示面板，设置有垫高结构，以增加蓝光器件单元的蓝光发光材料层的高度，能够防止蓝光发光材料层所发出的蓝光照射至红光器件单元的红光发光材料层及绿光器件单元的绿光发光材料层中，避免产生光致发光，从而提高了蓝光的色纯度，增强了显示面板的显示效果。
57.为了使本技术实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本技术保护的范围。
58.需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本技术实施例的内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
59.一般而言，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
60.参考图1，本技术实施例提供一种显示面板，包括阵列基板10，以及依次层叠设置阵列基板10上的发光器件层20和封装层30。发光器件层20包括红光器件单元230、绿光器件单元240和蓝光器件单元220，红光器件单元230具有用于发出红光的红光发光材料层233，绿光器件单元240具有用于发出红光的绿光发光材料层243，蓝光器件单元220具有用于发出红光的蓝光发光材料层223。阵列基板10设置有垫高结构40，垫高结构40位于蓝光发光材料层223背向阵列基板10的一侧，以使蓝光发光材料层223的顶面与阵列基板10的底面之间的距离大于或等于红光发光材料层233的顶面与阵列基板10的底面之间的距离，且大于或等于绿光发光材料层243的顶面与阵列基板10的底面之间的距离。
61.参考图1，蓝光发光材料层223与阵列基板10的底面之间的距离为h1。红光发光材
料层233与阵列基板10的底面之间的距离为h2，蓝光发光材料层223与阵列基板10的底面之间的距离为h3，h1大于h2，且h2大于h3。
62.本技术实施例的显示面板，设置有垫高结构40，以增加蓝光器件单元220的蓝光发光材料层的高度，能够防止蓝色器件单元所发出的蓝光照射至红光器件单元230的红光发光材料层233及绿光器件单元240的绿光发光材料层243中，避免产生光致发光，从而提高了蓝光的色纯度，增强了显示面板的显示效果。
63.示例性地，垫高结构40在阵列基板10上的正投影的形状与蓝光发光材料层223在阵列基板10上的正投影的形状相同，也就是说垫高结构40的形状与蓝光发光材料层223的形状相适配，能够使得垫高结构40能够对蓝光发光材料层223的全部区域进行垫高，保证了蓝光发光材料层223的平整性。
64.垫高结构40在阵列基板10上的正投影的形状可以为矩形或菱形。可以理解的是，垫高结构40在阵列基板10上的正投影还可以为其他形状，本技术实施例对此不再赘述。
65.垫高结构40在阵列基板10上的正投影的面积可以为300～600平方微米，例如，可以为300平方微米、400平方微米、500平方微米或600平方微米。在阵列基板10上的正投影的面积在300～600平方微米的垫高结构40，能够对蓝光发光材料层223的全部区域进行垫高，以保证蓝光发光材料层223的平整性。当上述面积小于300平方微米时，无法对蓝光发光材料层223的全部区域进行垫高，无法保证蓝光发光材料层223的平整性。当上述面积大于600平方微米时，垫高结构40占用的空间过大，减小了显示面板内其他结构的空间，从而影响显示面板的性能。
66.示例性地，沿垂直阵列基板10的方向，垫高结构40的厚度可以为500～1500nm，例如可以为500nm、600nm、700nm、800nm、900nm、1000nm、1100nm、1200nm、1300nm、1400nm或1500nm。厚度位于该范围内的垫高结构40能够保证蓝光发光材料层223发出的蓝光不会入射至红光材料层233和绿光发光材料层243中，同时，还能够保证蓝光发光材料层223不会过高而影响显示面板的平整性。
67.在本技术实施例的一些可能的实现方式中，垫高结构40可以位于阵列基板10中任意相邻的两个膜层之间。示例性地，参考图1，阵列基板10包括依次层叠设置的衬底110、阻挡层120和阵列膜层130。衬底110用于为位于衬底110上的其他膜层提供支撑作用。
68.衬底110可以为刚性衬底，例如可以为不锈钢板等。衬底110也可以为柔性衬底，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯等。
69.阻挡层120位于衬底110上，阻挡层120可以包括依次层叠设置于衬底110上的多个无机层121。无机层121的材料可以为无机绝缘材料，例如，氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。例如图1中所示，无机层121的数量有三个，位于最下方的无机层121以及位于最上方的无机层121的材料可以均为氮化硅，位于中间的无机层121的材料可以为氧化硅。示例性地，多个无机层121中相邻的无机层121之间还可以设置有有源层，本技术实施例对此不再赘述。
70.阵列膜层130设置于阻挡层120背向衬底110的一侧。示例性地，阵列膜层130可以包括依次层叠设置于阻挡层120上的第一导电层131、第一绝缘层132、第二导电层133、第二绝缘层134、第三导电层135和平坦化层136。示例性地，第一导电层131、第二导电层133和第三导电层135通常进行图案化，以形成驱动电路，驱动电路用于驱动发光器件层20中的蓝光器件单元220、红光器件单元230和绿光器件单元240进行发光。例如，第一导电层131可以用
于形成驱动电路中的栅极、电容下极板等，第二导电层133可以用于形成电容上极板，第三导电层135可以用于形成电路连接线等，本技术实施例对此不再赘述。
71.第一绝缘层132覆盖第一导电层131，且覆盖阻挡层120未被第一导电层131覆盖的区域，以对第一导电层131进行绝缘保护。第二绝缘层134覆盖第二导电层133，且覆盖第一绝缘层132未被第二导电层133覆盖的区域，以对第一导电层131进行绝缘保护。平坦化层136覆盖第三导电层135，且覆盖第二绝缘层134未被第三导电层135覆盖的区域。平坦化层136能够对第三导电层135进行绝缘保护，同时还能够提高阵列基板10的平坦性，以便于在阵列基板10上形成发光器件层20。
72.示例性地，垫高结构40可以位于衬底110和阻挡层120之间。垫高结构40也可以位于阻挡层120内，例如，垫高结构40可以位于任意相邻的两个无机层之间。垫高结构40也可以位于垫高结构40位于阻挡层和阵列膜层130之间。垫高结构40还可以位于阵列膜层130内。示例性地，垫高结构40可以位于第一绝缘层132、第二绝缘层134和平坦化层136中任意两个相接触的膜层之间，且垫高结构40的厚度大于第一导电层131、第二导电层133和第三导电层135的厚度。
73.参考图1，由于第二导电层133进行图案化，使得第二绝缘层134的部分区域直接与第一绝缘层132相接触。垫高结构40可以设置于第一绝缘层132和第二绝缘层134相接触的区域，且位于第一绝缘层132和第二绝缘层134之间。参考图2，垫高结构40也可以位于第二绝缘层134和平坦化层136相接触的区域，且位于第二绝缘层134和平坦化层136之间。
74.当垫高结构40位于阵列基板10内时，垫高结构40的材料可以为金属。例如可以包括银、铜、钛、铝和钼中的至少一种。垫高结构40的材料也可以为非金属，例如，可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。
75.在本技术实施例的另一些可能的实现方式中，垫高结构40也位于发光器件层20内。参考图3，发光器件层20包括第一阳极块221、第二阳极块231、第三阳极块241、像素限定层210和阴极层250。第一阳极块221、第二阳极块231、第三阳极块241间隔设置于阵列基板10上，例如阵列基板10的平坦化层136上。
76.像素限定层210像素限定层210覆盖于阵列基板10及第一阳极块221、第二阳极块231和第三阳极块241。像素限定层210设置有第一像素开口211、第二像素开口212和第三像素开口213，第一像素开口211露出第一阳极块221背向阵列基板10的顶面，第二像素开口212露出第二阳极块231背向阵列基板10的顶面，第三像素开口213露出第三阳极块241背向阵列基板10的顶面。
77.第一像素开口211依次填充有蓝光空穴传输层222、蓝光发光材料层223和蓝光电子传输层224，蓝光空穴传输层222位于蓝光发光材料层223朝向阵列基板10的一侧，蓝光空穴传输层222、蓝光发光材料层223、蓝光电子传输层224及第一阳极块221形成蓝光器件单元220。第二像素开口212依次填充有红光空穴传输层232、红光发光材料层233和红光电子传输层234，红光空穴传输层232位于红光发光材料层233朝向阵列基板10的一侧，红光空穴传输层232、红光发光材料层233、红光电子传输层234及第二阳极块231形成红光器件单元230。第三像素开口213依次填充有绿光空穴传输层242、绿光发光材料层243和绿光电子传输层244，绿光空穴传输层242位于绿光发光材料层243朝向阵列基板10的一侧，绿光空穴传输层242、绿光发光材料层243、绿光电子传输层244及第三阳极块241形成绿光器件单元
240。
78.示例性地，红光空穴传输层232的厚度大于绿光空穴传输层242的厚度，绿光空穴传输层242的厚度大于蓝光空穴传输层222的厚度，以使红光器件单元230内的微腔厚度大于绿光器件单元240内的微腔厚度，绿光器件单元240内的微腔厚度大于蓝光器件单元220内的微腔厚度。例如，红光空穴传输层232的厚度可以为250～300nm，绿光空穴传输层242的厚度可以为200～250nm，蓝光空穴传输层222的厚度可以为150～200nm。
79.阴极层250覆盖像素限定层210上，阴极层250与蓝光电子传输层224相接触，且与红光电子传输层234相接触，还与绿光电子传输层244相接触。
80.参考图3，垫高结构40可以位于第一阳极块221和阵列基板10之间，以增加第一阳极块221的高度，从而增加蓝光空穴传输层222及蓝光发光材料层223的高度，以避免蓝光发光材料层223发出的光进入红光发光材料层233和绿光发光材料层243中，从而防止红光发光材料层233和绿光发光材料层243产生光致发光，进而提高蓝光的色纯度，提高了显示面板的显示效果。
81.当垫高结构40位于第一阳极块221和阵列基板10之间时，垫高结构40的材料可以为金属，例如可以包括银、铜、钛、铝和钼中的至少一种，以避免垫高结构40影响第一阳极块221的导电性。
82.本技术实施例还提供一种显示装置，包括如上任一项的显示面板。
83.本技术实施例的显示装置，由于包括上述任一项显示面板，因此该显示装置也具有上述显示面板的优点，本技术实施例在此不再赘述。
84.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。