形成半导体结构的方法与流程

技术特征：
1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包含以下步骤：提供基板；形成第一硬罩层于该基板上，其中该第一硬罩层包含氧化物；形成第二硬罩层于该第一硬罩层上；形成复数遮罩图案于该第二硬罩层上，其中该些遮罩图案由复数沟槽分隔，该些沟槽暴露出该第二硬罩层，并沿一方向具有第一深度，其中该方向垂直于该基板中与该第一硬罩层接触的上表面；去除未被该些遮罩图案覆盖的该第一硬罩层以及未被该些遮罩图案覆盖的该第二硬罩层，使得该些沟槽暴露出该第二硬罩层的复数侧壁、该第一硬罩层的复数侧壁以及该基板的该上表面，并且该些沟槽由该第一深度加深为第二深度；形成阻挡层于该些沟槽中，并且该阻挡层连接相邻的该第二硬罩层的该些侧壁；使用蚀刻剂移除该些遮罩图案，其中该阻挡层阻隔该蚀刻剂接触该第一硬罩层；以及执行清洗工艺，移除该阻挡层。2.根据权利要求1所述的方法，其中形成该阻挡层于该些沟槽中的步骤中，包含该阻挡层仅连接相邻的该第二硬罩层的该些侧壁，而并未朝该方向延伸填满该些沟槽。3.根据权利要求1所述的方法，其中形成该阻挡层于该些沟槽中的步骤中，包含形成该阻挡层朝该方向延伸填满该些沟槽，使得该阻挡层连接相邻的该第一硬罩层的该些侧壁并与该基板的该上表面接触。4.根据权利要求3所述的方法，其中该阻挡层的顶表面与该第二硬罩层的顶表面在水平方向上齐平。5.根据权利要求3所述的方法，其中该阻挡层的顶表面在水平方向上低于该第二硬罩层的顶表面。6.根据权利要求1所述的方法，其中该第一硬罩层以及该第二硬罩层包含不同材料。7.根据权利要求6所述的方法，其中若该蚀刻剂接触该第二硬罩层，该蚀刻剂不会蚀刻该第二硬罩层。8.根据权利要求6所述的方法，其中该第一硬罩层包含硅氧化物，以及该第二硬罩层包含氮化硅。9.根据权利要求1所述的方法，其中该使用该蚀刻剂移除该些遮罩图案为干式蚀刻工艺，并且该蚀刻剂包含氧气四氟化碳、二氟化碳、氧气或其组合。10.根据权利要求1所述的方法，其中该阻挡层为碳或是含碳物质，以及该清洗工艺为灰化处理。

技术总结
本揭示内容中的一些实施方式提供形成半导体结构的方法，包含：提供基板；形成第一硬罩层于基板上；形成第二硬罩层于第一硬罩层上；形成复数遮罩图案于第二硬罩层上，其中遮罩图案由复数沟槽分隔，沟槽暴露出第二硬罩层，并具有第一深度；去除未被遮罩图案覆盖的第一硬罩层以及未被遮罩图案覆盖的第二硬罩层，并且沟槽由第一深度加深为第二深度；形成阻挡层于沟槽中，并且阻挡层连接相邻的第二硬罩层的侧壁；使用蚀刻剂移除遮罩图案；以及执行清洗工艺，移除阻挡层。本揭示内容中的一些实施方式提供的形成半导体结构的方法，可避免第一硬罩层的柱状结构间距的关键尺寸提升，进而衍伸支持力不足甚至断裂等不良现象。持力不足甚至断裂等不良现象。持力不足甚至断裂等不良现象。


技术研发人员：苏品源
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：2021.07.01
技术公布日：2022/11/29