非隔离LLC谐振变换器的制作方法

技术特征：
1.一种非隔离llc谐振变换器，其特征在于，包括第一谐振桥、第二谐振桥、谐振网络、整流桥、变压器、负载和输出电容，所述变压器包括第一变压器电感和第二变压器电感，所述第一变压器电感与所述谐振网络串联以构成变压器谐振单元，所述变压器谐振单元的第一端与所述第一谐振桥连接，所述变压器谐振单元的第二端与所述第二谐振桥连接，所述第二变压器电感的两端均与所述整流桥连接，所述整流桥与所述第一谐振桥、所述第二谐振桥、所述负载的一端、所述输出电容的一端连接，所述负载的另一端、所述输出电容的另一端、所述整流桥均与电源的负极连接并接地，所述第一谐振桥用于将所述变压器谐振单元的第一端与电源的正极或所述负载的一端连通，所述第二谐振桥用于将所述变压器谐振单元的第二端与电源的正极或所述负载的一端连通，所述整流桥用于将所述第二变压器电感的两端分别与所述负载的一端和所述负载的另一端连通。2.根据权利要求1所述的非隔离llc谐振变换器，其特征在于，所述第一谐振桥包括第一开关单元和第三开关单元，所述第一开关单元的第一端接电源的正极，所述第一开关单元的第二端与所述第三开关单元的第一端连接，所述第三开关单元的第二端与所述负载的一端连接。3.根据权利要求2所述的非隔离llc谐振变换器，其特征在于，所述第一开关单元和所述第三开关单元均为可控开关器件。4.根据权利要求1所述的非隔离llc谐振变换器，其特征在于，所述第二谐振桥包括第二开关单元和第四开关单元，所述第二开关单元的第一端接电源的正极，所述第二开关单元的第二端与所述第四开关单元的第一端连接，所述第四开关单元的第二端与所述负载的一端连接。5.根据权利要求4所述的非隔离llc谐振变换器，其特征在于，所述第二开关单元和所述第四开关单元均为可控开关器件。6.根据权利要求1所述的非隔离llc谐振变换器，其特征在于，所述整流桥包括第五开关单元、第六开关单元、第七开关单元和第八开关单元，所述第五开关单元的第一端和所述第六开关单元的第一端均与所述负载的一端连接，所述第五开关单元的第二端与所述第七开关单元的第一端连接，所述第六开关单元的第二端与所述第八开关单元的第一端连接，所述第七开关的第二端与所述第八开关的第二端均与所述负载的另一端连接。7.根据权利要求6所述的非隔离llc谐振变换器，其特征在于，所述第五开关单元、所述第六开关单元、所述第七开关单元和所述第八开关单元均为可控开关器件或不可控开关器件。8.根据权利要求3、5或7所述非隔离llc谐振变换器，其特征在于，所述可控开关器件包括金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管、氮化镓晶体管、碳化硅mos管以及第一组合开关单元，所述第一组合开关单元为三极管与二极管的组合。9.根据权利要求7所述的非隔离llc谐振变换器，其特征在于，所述不可控开关器件包括二极管和第二组合开关单元，所述第二组合开关单元包括二极管与金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管、氮化镓晶体管、碳化硅mos管中任意一个的组合。10.根据权利要求1所述的非隔离llc谐振变换器，其特征在于，所述谐振网络包括第一谐振电感和谐振电容，所述第一谐振电感、所述谐振电容和所述第一变压器电感串联。11.根据权利要求10所述的非隔离llc谐振变换器，其特征在于，所述谐振网络还包括
电阻，所述电阻与所述第一谐振电感、所述谐振电容、所述第一变压器电感串联。12.根据权利要求1所述的非隔离llc谐振变换器，其特征在于，所述变压器还包括第二谐振电感，所述第二谐振电感与所述第一变压器电感或所述第二变压器电感并联。13.根据权利要求1所述的非隔离llc谐振变换器，其特征在于，所述第一变压器电感包括至少一个子变压器电感，所述子变压器电感之间串联。

技术总结
本发明提供了一种非隔离LLC谐振变换器，包括第一谐振桥、第二谐振桥、谐振网络、整流桥、变压器、负载和输出电容，所述变压器包括第一变压器电感和第二变压器电感，电路简单，控制简单易行，成本低。成本低。成本低。


技术研发人员：李斌 李培永 杨鑫 周远平 乔宗标
受保护的技术使用者：上海英联电子系统有限公司
技术研发日：2022.08.30
技术公布日：2022/12/1