一种MEMS环行器及其封装方法和微波元器件与流程

技术特征：
1.一种mems环行器，其特征在于，包括：mems芯片、金属衬底、磁钢和磁屏蔽罩；所述mems芯片位于所述金属衬底上方；所述磁钢位于所述mems芯片上方；所述磁屏蔽罩采用平行缝焊工艺与所述金属衬底焊接在一起；所述mems芯片、所述金属衬底和所述磁钢位于由所述磁屏蔽罩和所述金属衬底围合的空间内。2.如权利要求1所述的mems环行器，其特征在于，所述金属衬底的至少部分边缘呈台阶状，所述磁屏蔽罩采用平行缝焊工艺与所述金属衬底的所述台阶焊接在一起。3.如权利要求2所述的mems环行器，其特征在于，所述金属衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域用于放置所述mems芯片，所述第二区域用于放置所述磁屏蔽罩，所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度。4.如权利要求3所述的mems环行器，其特征在于，所述第一区域的长大于等于所述mems芯片的长，所述第一区域的宽与所述mems芯片的宽对应相同。5.如权利要求3所述的mems环行器，其特征在于，所述第二区域的厚度范围为0.08-0.12mm。6.如权利要求1所述的mems环行器，其特征在于，所述金属衬底的表面经过先镀镍后镀金处理，且镍层厚度为3-5um，金层厚度不小于1.5um；所述磁屏蔽罩的表面进行镀镍处理。7.如权利要求1所述的mems环行器，其特征在于，所述磁屏蔽罩的材质为可伐合金或不锈钢。8.如权利要求1所述的mems环行器，其特征在于，所述mems芯片的侧壁与所述磁屏蔽罩的侧壁之间具有间隙。9.一种mems环行器的封装方法，其特征在于，包括：将mems芯片烧结到金属衬底上；用胶水将磁钢粘接到所述mems芯片表面，并充分固化胶水；将磁屏蔽罩置于所述金属衬底上，所述mems芯片、所述金属衬底和所述磁钢位于由所述磁屏蔽罩和所述金属衬底围合的空间内；采用平行缝焊工艺将所述磁屏蔽罩与所述金属衬底焊接在一起。10.一种微波元器件，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的mems环行器。

技术总结
本申请适用于微波射频器件技术领域，提供了一种MEMS环行器及其封装方法和微波元器件，该MEMS环行器包括：MEMS芯片、金属衬底、磁钢和磁屏蔽罩；MEMS芯片位于金属衬底上方；磁钢位于MEMS芯片上方；磁屏蔽罩采用平行缝焊工艺与金属衬底焊接在一起；MEMS芯片、金属衬底和磁钢位于由磁屏蔽罩和金属衬底围合的空间内。本申请的方法能够减少MEMS环行器在组件系统中的磁场干扰，防止其磁钢干扰外界导磁物质和MEMS环行器受到外围磁场的干扰，有效提升MEMS环行器的电性能性。环行器的电性能性。环行器的电性能性。


技术研发人员：王伟强 汪蔚 周嘉 翟晓飞 田松杰
受保护的技术使用者：河北美泰电子科技有限公司
技术研发日：2022.09.21
技术公布日：2022/12/1