高线性度无尾电流舵数模转换器的制作方法

1.本发明一般涉及集成电路技术领域，特别涉及一种高线性度无尾电流舵数模转换器。


背景技术：

2.传统的无尾高速数模转换器(dac)存在线性度问题，如图1所示，因为输出共模由设置，其中r
l
在大多数时间等于50欧姆，而i
dac
主要由摆幅要求决定。较高摆幅的应用通常伴随着较低的输出共模，这给dac的nmos m
n1
/m
n2
.带来了余量问题。


技术实现要素：

3.本发明的目的在于提供一种高线性度无尾电流舵数模转换器，在高速高摆幅应用中采用线性化技术的无尾dac。
4.本技术公开了一种高线性度无尾电流舵数模转换器，包括：
5.若干个比特数模转换单元，每个所述数模转换单元包括：第一和第二负载pmos晶体管、第一和第二负载电阻、以及第一至第四nmos晶体管，所述第一和第二负载pmos晶体管的源极均连接电源端，所述第一负载pmos晶体管的漏极连接所述第一nmos晶体管的漏极和所述第一负载电阻的一端，所述第二负载pmos晶体管的漏极连接所述第二nmos晶体管的漏极和所述第二负载电阻的一端，所述第一nmos晶体管的源极连接所述第三nmos晶体管的漏极，所述第二nmos晶体管的源极连接所述第四nmos晶体管的漏极，所述第三和第四nmos晶体管的栅极分别连接一对差分输入信号，源极均连接地端；
6.运算放大器，所述第一和第二负载pmos晶体管的栅极均连接所述运算放大器的输出端，所述第一和第二负载电阻的另一端相连并连接所述运算放大器的正相输入端，所述运算放大器的负向输入端连接参考电压，所述运算放大器的输出端与所述地端之间串联第一电容；和
7.电流源，所述电流源连接所述第一和第二nmos晶体管的栅极。
8.在一个优选例中，还包括：第五和第六nmos晶体管，所述第五nmos晶体管的栅极和漏极连接所述电流源，所述第五nmos晶体管的源极连接所述第六nmos晶体管的漏极，所述第六nmos晶体管的栅极连接所述电源端，所述第六nmos晶体管的源极连接所述地端。
9.在一个优选例中，还包括：参考电压生成电路，所述参考电压生成电路包括：分压电阻串、第七nmos晶体管和第八nmos晶体管，所述分压电阻串串联在所述电源端和所述第七nmos晶体管的漏极之间并输出参考电压，所述第七nmos晶体管的栅极连接所述电流源，所述第七nmos晶体管的源极连接所述第八nmos晶体管的漏极，所述第八nmos晶体管的栅极连接所述电源端，所述第八nmos晶体管的源极连接所述地端，其中，所述第七和第八nmos晶体管的电流与最低位的数模转换单元的第一至第四nmos晶体管的电流相同。
10.在一个优选例中，所述分压电阻串包括串联在所述电源端和所述第七nmos晶体管的漏极之间多个电阻，每个相邻电阻之间的节点通过一开关连接所述运算放大器的负相输入端。
11.在一个优选例中，还包括：第三和第四负载电阻，所述第三负载电阻并联连接在所述第一负载pmos晶体管的源极和漏极之间，所述第四负载电阻并联连接在所述第二负载pmos晶体管的源极和漏极之间。
12.在一个优选例中，还包括：第二电容，所述第二电容的一端与所述第一、第二和第五nmos晶体管的栅极，另一端连接所述地端。
13.在一个优选例中，还包括：第三电阻和第三电容，所述第三电阻的串联在所述第一和第二负载电阻的另一端与所述运算放大器的正相输入端之间，所述第三电容的一端连接所述运算放大器的正相输入端，另一端连接所述地端。
14.相对于现有技术，本技术的高线性度无尾电流舵数模转换器至少具有以下有益效果：
15.1.所提出的电路描述了在高速高摆幅应用中采用线性化技术的电流转向无尾dac。nmos晶体管的余量问题得以解决并提供更好的线性度。
16.2.输出共模摆脱了被的限制。通过本技术的运算放大器和参考电压生成电路的设计，输出共模可以通过参考电压的调节来灵活控制。
17.3.通过可调节的电流源部分实现可控的输出摆幅。
18.4.在小工艺(诸如14nm,7nm)的应用中，同时可控的输出共模以及输出摆幅对nmos晶体管的可靠性有很大帮助。解决晶体管的老化问题。
19.本技术的说明书中记载了大量的技术特征，分布在各个技术方案中，如果要罗列出本技术所有可能的技术特征的组合(即技术方案)的话，会使得说明书过于冗长。为了避免这个问题，本技术上述发明内容中公开的各个技术特征、在下文各个实施方式和例子中公开的各技术特征、以及附图中公开的各个技术特征，都可以自由地互相组合，从而构成各种新的技术方案(这些技术方案均应该视为在本说明书中已经记载)，除非这种技术特征的组合在技术上是不可行的。例如，在一个例子中公开了特征a b c，在另一个例子中公开了特征a b d e，而特征c和d是起到相同作用的等同技术手段，技术上只要择一使用即可，不可能同时采用，特征e技术上可以与特征c相组合，则，a b c d的方案因技术不可行而应当不被视为已经记载，而a b c e的方案应当视为已经被记载。
附图说明
20.图1是传统的无尾高速数模转换器的电路图。
21.图2是本技术一个实施例中无尾电流舵数模转换器的电路图。
22.图3是本技术一个实施例中参考电压生成电路的电路图。
23.图4是本技术另一个实施例中负载电阻的示意图。
24.图5是本技术另一个实施例中无尾电流舵数模转换器的电路图。
具体实施方式
25.在以下的叙述中，为了使读者更好地理解本技术而提出了许多技术细节。但是，本领域的普通技术人员可以理解，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本技术所要求保护的技术方案。
26.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术的实施方式作进一步地详细描述。
27.本技术公开了一种高线性度无尾电流舵数模转换器，图2示出了一个实施例中无尾电流舵数模转换器100的电路图。数模转换器100包括：若干个比特数模转换单元101、运算放大器102、可编程化电流源103、参考电压生成电路104。
28.每个所述数模转换单元101包括：第一负载pmos晶体管m
p1
和第二负载pmos晶体管m
p2
、第一负载电阻r
l1
和第二负载电阻r
l2
、以及第一nmos晶体管m
n1
、第二nmos晶体管m
n2
、第三nmos晶体管m
n3
、第四nmos晶体管m
n4
，所述第一负载pmos晶体管m
p1
和第二负载pmos晶体管m
p2
的源极均连接电源端，所述第一负载pmos晶体管m
p1
的漏极连接所述第一nmos晶体管m
n1
的漏极和所述第一负载电阻r
l1
的一端，所述第二负载pmos晶体管m
p2
的漏极连接所述第二nmos晶体管m
n2
的漏极和所述第二负载电阻r
l2
的一端，所述第一nmos晶体管m
n1
的源极连接所述第三nmos晶体管m
n3
的漏极，所述第二nmos晶体管m
n2
的源极连接所述第四nmos晶体管m
n4
的漏极，所述第三nmos晶体管m
n3
和第四nmos晶体管m
n4
的栅极分别连接一对差分输入信号vin_p、vin_n，源极均连接地端。图2中示出的是最高位(msb)的数模转换单元101。
29.所述第一负载pmos晶体管m
p1
和第二负载pmos晶体管m
p2
的栅极均连接所述运算放大器102的输出端，所述第一负载电阻r
l1
和第二负载电阻r
l2
的另一端相连并连接所述运算放大器102的正相输入端，所述运算放大器102的负向输入端连接参考电压vref，所述运算放大器102的输出端与所述地端之间串联第一电容c1。所述电流源连接所述第一nmos晶体管m
n1
的栅极和第二nmos晶体管m
n2
的栅极。
30.为了解决高摆幅要求下的线性度问题，本技术介绍了一种新型cmfb(共模反馈)控制的pmos m
p1
/m
p2
并联无尾dac，如图2所示。这里的r
l1
和r
l2
可以起到两个作用：检测输出共模和保持dac的输出阻抗。
31.在一个实施例中，数模转换器100还包括：第五nmos晶体管m
n5
和第六nmos晶体管m
n6
，所述第五nmos晶体管m
n5
的栅极和漏极连接所述可编程化电流源103，所述第五nmos晶体管m
n5
的源极连接所述第六nmos晶体管m
n6
的漏极，所述第六nmos晶体管m
n6
的栅极连接所述电源端，所述第六nmos晶体管m
n6
的源极连接所述地端。
32.在一个实施例中，参考电压生成电路104包括：分压电阻串201、第七nmos晶体管m
n7
和第八nmos晶体管m
n8
，所述分压电阻串201串联在所述电源端和所述第七nmos晶体管m
n7
的漏极之间并输出参考电压vref，所述第七nmos晶体管m
n7
的栅极连接所述可编程化电流源103，所述第七nmos晶体管m
n7
的源极连接所述第八nmos晶体管m
n8
的漏极，所述第八nmos晶体管m
n8
的栅极连接所述电源端，所述第八nmos晶体管m
n8
的源极连接所述地端，其中，所述第七nmos晶体管m
n7
和第八nmos晶体管m
n8
的电流与最低位(lsb)的数模转换单元101的第一nmos晶体管m
n1
、第二nmos晶体管m
n2
、第三nmos晶体管m
n3
、第四nmos晶体管m
n4
的电流i
lsb
相同。
33.在一个实施例中，所述分压电阻串201包括串联在所述电源端和所述第七nmos晶
体管m
n7
的漏极之间多个电阻(例如，9个)，每个相邻电阻之间的节点通过一开关连接所述运算放大器102的负相输入端并输出参考电压vref到运算放大器102。本实施例中，通过控制第一开关控制分组电压串的串联电阻个数，从而调整参考电压vref。
34.在一个实施例中，数模转换器100还包括：第二电容c2，所述第二电容c2的一端与所述第一nmos晶体管m
n1
、第二nmos晶体管m
n2
和第五nmos晶体管m
n5
的栅极，所述第二电容c2的另一端连接所述地端。
35.在一个实施例中，数模转换器100还包括：第三电阻r3和第三电容c3，所述第三电阻r3的串联在所述第一负载电阻r
l1
和第二负载电阻r
l2
的另一端与所述运算放大器102的正相输入端之间，所述第三电容c3的一端连接所述运算放大器102的正相输入端，另一端连接所述地端。
36.图4显示了另一个实施例中负载电阻的一种实现方式。其中r
l1
与r
l3
并行，r
l2
与r
l4
并行，而不是使用r
l1
＝r
l2
＝50欧姆。请注意，r
l3
和r
l4
可以连接到另一个共模电压或电源电平，而不是与使用的pmos m
p1
/m
p2
共享相同的电源。图5示出了另一个实施例中无尾电流舵数模转换器300的电路图。数模转换器300与数模转换器100的结构基本相同，主要区别在于：数模转换器300除了包括第一负载电阻r
l1
和第二负载电阻r
l2
，还包括：第三负载电阻r
l3
和第四负载电阻r
l4
，所述第三负载电阻r
l3
并联连接在所述第一负载pmos晶体管m
p1
的源极和漏极之间，所述第四负载电阻r
l4
并联连接在所述第二负载pmos晶体管m
p2
的源极和漏极之间。图5显示了整个数模转换器300电路，pmos负载与负载电阻r
l1
、r
l2
、r
l3
、r
l4
一起工作以实现高度线性的性能。
37.需要说明的是，在本专利的申请文件中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。本专利的申请文件中，如果提到根据某要素执行某行为，则是指至少根据该要素执行该行为的意思，其中包括了两种情况：仅根据该要素执行该行为、和根据该要素和其它要素执行该行为。多个、多次、多种等表达包括2个、2次、2种以及2个以上、2次以上、2种以上。
38.本说明书包括本文所描述的各种实施例的组合。对实施例的单独提及(例如“一个实施例”或“一些实施例”或“优选实施例”)不一定是指相同的实施例；然而，除非指示为是互斥的或者本领域技术人员很清楚是互斥的，否则这些实施例并不互斥。应当注意的是，除非上下文另外明确指示或者要求，否则在本说明书中以非排他性的意义使用“或者”一词。
39.在本说明书提及的所有文献都被认为是整体性地包括在本技术的公开内容中，以便在必要时可以作为修改的依据。此外应理解，以上所述仅为本说明书的较佳实施例而已，并非用于限定本说明书的保护范围。凡在本说明书一个或多个实施例的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本说明书一个或多个实施例的保护范围之内。