一种用于集成电路的保护电路及其保护方法

1.本发明提供一种用于集成电路的保护电路及其保护方法，属于集成电路技术领域。


背景技术：

2.集成电路是一种采用一系列工艺将一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感元件及布线等连接在一起的微型电子器件或部件，将多个元件制作在小块半导体晶片或介质基片上，再进行封装，使其成为具有所需电路功能的微型机构。
3.随着高度集成化的集成电路应用越来越广泛，对集成电路的保护要求也越来越高，但现有集成电路芯片在自保护方面依然存在缺陷，特别是既有高压输入引脚又有低压输入引脚的集成电路，其在上电工作时，若需使用万能表对芯片的各引脚进行检测或测量时，万能表的笔头容易导致集成电路芯片的高压引脚与低压引脚误接，从而将高电压导入低压引脚，形成安培级大电流，或者在印制集成电路板时印制线误接等造成高、低压引脚联通，均会导致芯片损坏而无法正常工作，甚至会引起芯片烧毁、起火，存在较大的安全问题。


技术实现要素：

4.针对集成电路芯片高、低压引脚间短路而导致芯片损坏甚至起火的问题，本发明提供了一种集成电路高、低压引脚短路保护技术，用以保护当集成电路芯片高、低压引脚间短路时防止芯片因高、低压短路起火，防止安全问题的发生。
5.为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：
6.一种用于集成电路的保护电路，包括设有高压引脚、低压引脚和芯片；所述高压引脚、低压引脚分别通过封装引线与芯片内部的高压芯片管脚、低压芯片管脚连接；
7.所述低压芯片管脚利用金属走线连接一个低电压击穿器件。
8.所述的低电压击穿器件，包括mos管；mos管接地；当芯片正常工作时，mos管不导通，低电压击穿器件处于关断状态，无电流流过。
9.所述封装引线选用金属丝。
10.本发明还提供一种用于集成电路的保护方法，采用上述的用于集成电路的保护电路，所述的低电压击穿器件在高压击穿后具有导通大电流i
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能力，当i
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流过低压芯片管脚至低电压击穿器件之间的金属走线时，把金属走线融化，从而将芯片内部电路与高压引脚之间断路，切断电流通路。
11.本发明利用从引脚至内部低压器件之间的金属走线连接作为熔丝保护器件，当高电压接至低电压引脚时，在芯片内部形成一个击穿的大电流通路，将金属连线烧毁，切断高电压，以防止因高、低压引脚间短路使得集成电路起火等安全问题的发生。
附图说明
12.图1为本发明的结构示意图；
13.图2为本发明金属走线及内部低电压电路的局部视图；
14.图3为本发明金属走线选用自恢复保险丝时的局部视图。
具体实施方式
15.为使本发明实现的技术手段、达成目的与功效易于明白了解，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
16.如图1所示，一种用于集成电路的保护电路，包括设有高压引脚、低压引脚和芯片，所述高压引脚、低压引脚分别通过封装引线与芯片内部的高压芯片管脚pad、低压芯片管脚pad连接；所述封装引线选用金属丝。所述低压芯片管脚pad利用金属走线(metal trace)连接一个低电压击穿器件esd。
17.由于大部分的esd电流来自电路外部，因此低电压击穿器件esd一般设计在低压芯片管脚pad旁，则低压芯片管脚pad采用金属走线metal trace与低电压击穿器件esd相连。
18.在本实施例中，低电压击穿器件esd选用mos管mn1。常用的esd保护器件有二极管、双极性晶体管、mos管、可控硅等。
19.在本实施例中，所述低电压击穿器件esd在芯片内部形成一个内部低电压电路。当芯片正常工作时，mos管mn1不导通，低电压击穿器件esd处于关断状态，无电流流过。
20.在本实施例中，当高压引脚、低压引脚间短路时，高电压引入低压侧mos管(mn1)漏极，mn1被击穿，将大电流经mn1接地。
21.低电压击穿器件esd在高压击穿后具有导通大电流(i
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)能力，当i
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流过低压芯片管脚pad至低电压击穿器件esd之间的金属走线时，把金属走线融化，从而将ic内部电路与高压引脚之间断路，切断电流通路，保护集成电路不会起火，高压引脚、低压引脚之间短路的安全问题得到解决。
22.如图2所示，当高压引脚与低压引脚间短路时，此时mos管mn1导通，产生瞬时大电流，低电压击穿器件esd工作，大电流经mos管mn1导入接地端分流到地，使得芯片不被损坏；当电流恢复正常时，mos管关断，低电压击穿器件esd不工作。
23.如图3所示，此时金属走线采用自恢复保险丝，自恢复保险丝具有过流过热保护，自动恢复双重功能。当高压引脚、低压引脚间短路产生瞬时高电流时，流经自恢复保险丝的大电流产生的热量使聚合树脂融化，体积迅速增大，形成高阻状态，工作电流迅速减小，从而对电路进行限制和保护，内部低电压电路不被损坏；当电流恢复正常时，自恢复保险丝重新冷却结晶，体积缩小，导电粒子重新形成导电通路，自恢复保险丝恢复为低阻状态，即完成了对电路的保护，无须人工更换。在本发明中，金属走线选用自恢复保险丝时，不仅可以防止集成电路芯片被损坏，还可以在保险丝自恢复后使得芯片可以继续正常工作。
24.本实施例中，从低压芯片管脚pad至低电压击穿器件esd之间的金属走线设计方法为：根据金属铝的热容0.88
×
103j/(kg
·
℃),当低电压击穿器件esd击穿后电流流经金属铝导致金属铝熔断。根据金属的最大电流密度、熔点、电阻率计算出金属熔断时间，确保熔断时间《0.5秒。在集成电路中，一般最下层金属(m1)厚度为0.8um，电流密度为1ma/um，其电阻率为每方块80mω。另外，在集成电路中，每一个引脚都需要一个静电泄放器件，在低压引脚中可以采用mos，更具体的为nmos实现，因此可以使用此低电压esd实现高、低压引脚短路时电流泄放功能。取l＝100um，w＝60um，既能满足低电压击穿器件esd保护功能，也能满足
高、低压引脚之间的短路安全保护。


技术特征：
1.一种用于集成电路的保护电路，其特征在于，包括设有高压引脚、低压引脚和芯片；所述高压引脚、低压引脚分别通过封装引线与芯片内部的高压芯片管脚、低压芯片管脚连接；所述低压芯片管脚利用金属走线连接一个低电压击穿器件。2.根据权利要求1所述的一种用于集成电路的保护电路，其特征在于，所述的低电压击穿器件，包括mos管；mos管接地；当芯片正常工作时，mos管不导通，低电压击穿器件处于关断状态，无电流流过。3.根据权利要求1所述的一种用于集成电路的保护电路，其特征在于，所述封装引线选用金属丝。4.一种用于集成电路的保护方法，采用权利要求1到3任一项所述的一种用于集成电路的保护电路，其特征在于，所述的低电压击穿器件在高压击穿后具有导通大电流i
dischg
能力，当i
dischg
流过低压芯片管脚至低电压击穿器件之间的金属走线时，把金属走线融化，从而将芯片内部电路与高压引脚之间断路，切断电流通路。

技术总结
本发明提供一种用于集成电路的保护电路，包括设有高压引脚、低压引脚和芯片；所述高压引脚、低压引脚分别通过封装引线与芯片内部的高压芯片管脚、低压芯片管脚连接；所述低压芯片管脚利用金属走线连接一个低电压击穿器件。本发明利用从引脚至内部低压器件之间的金属走线连接作为熔丝保护器件，当高电压接至低电压引脚时，在芯片内部形成一个击穿的大电流通路，将金属连线烧毁，切断高电压，以防止因高、低压引脚间短路使得集成电路起火等安全问题的发生。的发生。的发生。


技术研发人员：贺江平 周凡超 周成
受保护的技术使用者：西华大学
技术研发日：2022.09.28
技术公布日：2022/11/29