发光元件的制作方法

技术特征：
1.一种发光元件，包含：基板；半导体叠层，包含第一半导体层，活性层及第二半导体层位于该基板上，其中在俯视图下，该半导体叠层包含外周部及内侧区域，该外周部露出该第一半导体层，该第二半导体层设置于为该外周部所环绕的该内侧区域；绝缘层，包含多个第一绝缘层外侧开口位于该外周部及第二绝缘层开口位于该内侧区域；第一电极，覆盖该多个第一绝缘层外侧开口，通过该多个第一绝缘层外侧开口于该外周部接触该第一半导体层以形成多个第一电极第一接触区；第二电极，覆盖该第二绝缘层开口，并通过该第二绝缘层开口电连接至该第二半导体层；以及保护层，覆盖该绝缘层，该第一电极，及该第二电极，其中，该绝缘层及该保护层于该外周部相接触的一部分包含总厚度自该外周部向该内侧区域渐减。2.如权利要求1所述的发光元件，其中自该发光元件的俯视图观之，该半导体叠层包含四个角落及四个侧壁，该多个第一绝缘层外侧开口位于该四个角落以外的该四个侧壁上。3.如权利要求2所述的发光元件，其中自该发光元件的该俯视图观之，该半导体叠层的该四个侧壁包含直线，方波纹，波浪纹或前述任两种的组合。4.如权利要求2所述的发光元件，包含第一电极垫，及第二电极垫，其中自该发光元件的该俯视图观之，该半导体叠层的该四个侧壁包含第一侧壁，与该第一侧壁相对的第二侧壁，第三侧壁，与该第三侧壁相对的第四侧壁，且该第一电极垫邻近该第一侧壁及该第二电极垫邻近该第二侧壁。5.如权利要求4所述的发光元件，其中该第一电极垫与该第一侧壁之间的第一距离小于该第二电极垫与该第二侧壁之间的第二距离。6.如权利要求4所述的发光元件，其中该保护层包含第一保护层开口位于该内侧区域及第二保护层开口位于该内侧区域，且该第一保护层开口包含第一开口宽度大于该第二保护层开口的第二开口宽度。7.如权利要求6所述的发光元件，其中该第一电极垫通过该第一保护层开口接触该第一电极，且该第二电极垫通过该第二保护层开口接触该第二电极。8.如权利要求4所述的发光元件，还包含多个孔穴位于该内侧区域，其中该多个孔穴穿过该活性层及该第二半导体层以露出该第一半导体层。9.如权利要求8所述的发光元件，其中该多个孔穴的一个与该发光元件的第一边以第一最短距离相间隔，该多个孔穴的该个与该发光元件的第二边以第二最短距离相间隔，该多个孔穴的该个与该发光元件的第三边以第三最短距离相间隔，且该第一最短距离大于或等于该第二最短距离，该第一最短距离大于该第三最短距离。10.如权利要求8所述的发光元件，其中该绝缘层还包含多个第一绝缘层内侧开口以对应该多个孔穴，该第一电极覆盖该多个第一绝缘层内侧开口，且通过该多个第一绝缘层内侧开口接触该第一半导体层以形成多个第一电极第二接触区。11.如权利要求10所述的发光元件，其中各该多个第一电极第一接触区包含第一接触
面积小于各该多个第一电极第二接触区的第二接触面积。12.如权利要求11所述的发光元件，其中该多个第一电极第一接触区包含第一接触总面积大于该多个第一电极第二接触区的第二接触总面积。

技术总结
本发明公开一种发光元件，包含一半导体叠层包含一第一半导体层及一第二半导体层，其中于一俯视图下，半导体叠层包含一外周部及一内侧区域，外周部露出第一半导体层，且第二半导体层设置于外周部以外的内侧区域；一绝缘层包含多个第一绝缘层外侧开口及一第二绝缘层开口；一第一电极覆盖多个第一绝缘层外侧开口，且通过多个第一绝缘层外侧开口接触第一半导体层；一第二电极覆盖第二绝缘层开口；以及一保护层覆盖绝缘层，其中绝缘层及保护层于外周部相接触的部分包含一总厚度自外周部向内侧区域渐减。区域渐减。区域渐减。


技术研发人员：陈昭兴 林羿宏 洪国庆 许启祥
受保护的技术使用者：晶元光电股份有限公司
技术研发日：2022.05.27
技术公布日：2022/11/29