一种微显示阵列的制作方法

1.本发明属于半导体微显示技术领域，特别涉及一种底出光型微显示阵列。


背景技术：

2.随着显示技术的不断发展，越来越多的便携式电子设备（如智能电话、平板计算机、智能手表、ar/vr眼镜等）都对显示装置的各项性能提出更高的要求。其中，对于无背景光照射的oled和micro-led来说，显示面板的发光效率就是关系到显示性能的一项重要指标。其中，micro-led在室内及室外的应用场景下，其表面的反光造成显示对比度低下及关闭状态下画面不黑的问题尤为明显。参见图1，显示器表面反光导致对比度低以及关机非全黑问题的原因是：由于阴极金属为大面积金属，器件为底发光器件，环境光从衬底侧进入显示像素单元，通过阴极金属的反射，混杂在像素单元的正常出光中，再反射回环境中。反射光与micro-led的出射光相互干扰，降低micro-led的显示效果。所以优化micro-led屏体表面反光是申请人急需解决的问题。


技术实现要素：

3.本技术的目的在于解决现有技术中的环境光与微显示阵列的出射光相互干扰的问题。
4.为了实现上述发明的目的，本发明采用如下技术方案：一种微显示阵列，包括若干个阵列排布的像素单元，所述的像素单元具有位于底部的透明衬底、设置在所述的透明衬底上表面的led发光单元、覆盖所述的led发光单元和透明衬底的第一绝缘层、与所述的led发光单元形成电学互联的第一电极、与所述的透明衬底形成电学互联的第二电极，所述的第一绝缘层上开设有窗口，所述的第二电极通过所述的窗口与所述的透明衬底形成电学互联，所述的第一绝缘层选用深色吸光材料制作而成，并被配置成使其吸收自出光面入射到所述的微显示阵列内的环境光。
5.本技术中，从透明衬底一侧进入像素单元的环境光能够被第一绝缘层吸收，从而不会反射并与led发光单元的出射光混杂，因此本技术能够消除环境光串扰，不会影响微显示阵列的显示效果。
6.在本技术的一个实施例中，微显示阵列还包括覆盖在所述的第一绝缘层和第二电极上的第二绝缘层。
7.在本技术的一个实施例中，所述的第二电极采用透明或半透明材料制成。
8.在本技术的一个实施例中，所述的第二电极选用to、ito、izo或itzo材料中的一种。
9.在本技术的一个实施例中，所述的微显示阵列为micro-led。
10.在本技术的一个实施例中，所述的第一绝缘层选用黑色有机胶材料制作而成。
11.在本技术的一个实施例中，所述的第一电极由单层或多层复合金属膜层材料制成。
附图说明
12.附图1为改进前的微显示阵列的光路示意图；附图2为本技术的一个实施例中微显示阵列的平面示意图；附图3为本技术的一个实施例中微显示阵列的光路示意图；其中：10、透明衬底；20、led发光单元；30、第一透明绝缘层；40、第二电极；50、第二绝缘层； 60、第一电极；11、出光面。
具体实施方式
13.为详细说明发明的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明，其中本说明书中所述的“上”、“下”位置关系分别与附图3中的上、下方对应，附图1、3中的下方为显示屏的出光方向，微显示阵列的下表面为出光面11，相应的微显示阵列的上侧、左侧、右侧表面为本说明书中所述的“非出光面”。
14.此外，本技术中，凡是出现“顶部”、“底部”、“在
……
之下”、“在
……
下方”、“在
……
下”、
ꢀ“
下”、“在
……
上方”、“上”、“在
……
之上”、“较高的”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，由此来描述如附图中示出的一个元件与另一(其它)元件的关系。空间相对术语意图包括设备在使用、操作和/或制造中除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被 定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在
……
下方”可以包括上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位处)，如此，相应 地解释在此使用的空间相对描述语。
15.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”应做广义理解，例如，“连接”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。
16.本技术的实施例提供一种微显示阵列，通常一块微显示发光芯片由若干个呈阵列分布的微显示阵列组成，微显示发光芯片与驱动芯片共同组成微显示装置。采用本技术的微显示阵列制作的微显示装置，最终应用场景可以是ar/vr眼镜、手机、平板、电视、电脑等电子设备。本技术实施例是micro-led微显示阵列。
17.请参阅图3，示出了本技术实施例提供的微显示阵列的结构示意图。微显示阵列包括多个行和多个列的底发光像素单元，像素单元底部具有出光面11。像素单元上可或不可形成封装(填充)材料。
18.所述的像素单元包括透明衬底10、依次设置在所述的透明衬底10上的led发光单元20、第一绝缘层30、一对第二电极40、第二绝缘层50以及第一电极60。
19.像素单元包含此处可称为岛部的正向特征。每一岛部与相邻岛部被负向特征分开，负向特征此处称为凹槽。岛部(因及凹槽)在上至下视图中可排列成依序阵列、随机阵列、图案化阵列、或上述的组合。由于该第二电极40金属是广泛覆盖于岛与岛之间的大面积材料，改进之前采用金属材料，此处会形成较多环境光反射，而本技术的第一绝缘层30选用深色吸光材料制作而成，其能够捕捉并吸收从出光面11入射到微显示阵列内的环境光，减少环境光再次出射，从而避免环境光对像素单元正常的出射光造成串扰。
20.其中，所述的第一绝缘层30上开设有第一窗口31，一对第二电极40通过所述的第一窗口31与所述的透明衬底10形成电学互联。第一绝缘层30和第二绝缘层50上开设有第二
窗口32，第一电极60透过第二窗口32与led发光单元20形成电学互联。
21.在本技术的一个实施例中，上述第一电极为阳极，第二电极为阴极，且阴极为大面积材料。
22.第二绝缘层30的作用是将第二电极40与其上布置的膜层形成电隔离，还可以保护第二电极40。
23.在本技术的一个实施例中，所述的第二电极40采用透明或半透明材料制成，可选用to（氧化锡）、ito（氧化铟锡）、izo（氧化铟锌）或itzo（氧化铟锌锡）材料中的一种。这样可以进一步减少经由第一窗口31的入射光反射，而是使这部分光得以向非出光面透射。
24.在本技术的一个实施例中，所述的第一绝缘层选用黑色有机胶材料制作而成。黑色有机胶通常选用深色光刻胶。
25.在本技术的一个实施例中，第一绝缘层采用可采用常规的光刻胶涂布方法沉积在所述的led发光单元和透明衬底上，此处不再详述。
26.在本技术的一个实施例中，所述的第一绝缘层的厚度可以根据所选吸光材料的性质、颜色的黑度等进行设置和调整。
27.在本技术的一个实施例中，所述的第一电极由单层或多层复合金属膜层材料制成，如cu（铜）、ag（银）、mg（镁）层，或ti/al/ti复合金属膜层等。
28.在本技术的一个实施例中，上述的透明衬底10可采用现有技术中已知的半导体衬底材料，如pi（聚酰亚胺）、pet、玻璃、蓝宝石材料等。
29.以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，本发明要求保护范围由所附的权利要求书、说明书及其等效物界定。