数字LDO传输门旋转的制作方法

数字ldo传输门旋转


背景技术：

1.线性电压调节器在电力系统中用于接收可变输入电压，并且提供稳定、低噪声电源。常规上，线性电压调节器需要在调节器的输入端和输出端之间有很大的电压降才能正常操作。要生成如此大的电压降，需要一个相对高压的输入电源。相反，低压差(ldo)线性调节器是一种线性调节器电路，即使在输出电压非常接近输入电压的情况下也能正常工作，从而提高了常规调节器的功率效率。数字ldo包括驱动多个传输门的数字控制器。数字控制器接收数字ldo输出电压的表示，并且计算输出电压和参考电压之间的误差信号。数字控制器基于误差信号来控制接通或关断的传输门的数量。


技术实现要素：

2.根据说明书的至少一个示例，一种方法包括用控制器在第一时钟周期中激活阵列的第一组传输门晶体管，其中阵列被耦合以向负载提供负载电流。该方法还包括用控制器在第二时钟周期中激活阵列的第二组传输门晶体管，其中第二组传输门晶体管相对于第一组传输门晶体管旋转。
3.根据说明书的至少一个示例，一种系统包括电压调节器中的数字控制器。该系统还包括传输门阵列，该传输门阵列包括两个或更多个传输门晶体管，其中传输门阵列被配置为向负载提供负载电流，并且其中数字控制器被配置为激活和去激活传输门阵列中的每个传输门晶体管。该系统还包括被配置为向数字控制器提供误差信号的反馈回路，该误差信号基于电压调节器的输出电压和电压调节器的编程电压之间的差值。数字控制器被配置为至少部分地基于误差信号来激活或去激活传输门晶体管。数字控制器还被配置为响应于时钟周期来激活至少一个传输门晶体管并去激活至少一个传输门晶体管。
4.根据说明书的至少一个示例，一种系统包括晶体管阵列。晶体管阵列包括晶体管的漏极，其中漏极包括一个或多个漏极区段。晶体管阵列包括晶体管的源极，其中源极包括在第一方向上与一个或多个漏极区段交替的一个或多个源极区段。晶体管阵列包括晶体管的栅极，其中栅极包括一个或多个栅极区段。一个或多个栅极区段中的每一个将漏极区段耦合到源极区段，并且一个或多个栅极区段中的每一个在垂直于第一方向的第二方向上将漏极区段耦合到源极区段。
附图说明
5.图1是根据各种示例的具有负载的ldo调节器系统的框图。
6.图2是根据各种示例的ldo调节器中的传输门旋转方案的框图。
7.图3是根据各种示例的ldo调节器中的晶体管配置的框图。
8.图4是根据各种示例的ldo调节器中的晶体管阵列的框图。
9.图5是根据各种示例的用于ldo调节器中的传输门旋转的方法的流程图。
具体实施方式
10.数字ldo调节器可在低压差电压下操作，其中低压差电压是输入电压和调节输出电压之间的差值。ldo调节器可包括分级传输晶体管(a fractioned pass transistor)。分级传输晶体管是被分割成更小切片的晶体管(本文称为传输门或传输门晶体管)。传输晶体管的每个切片或传输门由数字控制器控制。数字控制器执行可执行代码来接通或关断每个传输门，并且基于由反馈回路提供的误差信号来控制接通或关断的传输门的数量。负载电流被分配到接通或激活的传输门上。如果少数传输门是激活的，则流经每个传输门的负载电流部分可能会较高。如果大量传输门是激活的，则流经每个传输门的负载电流部分可能较低。此外，每个传输门的电流可能因工艺和温度条件以及输入电压和输出电压之间的电压差而变化。如果少量传输门是激活的，则由于流经激活传输门的电流增加，每个传输门的平均电迁移(em)应力比如果大量传输门是激活的要高。em是由离子在导体中逐渐移动引起的材料运输。em应力会降低电路的可靠性，并且可能导致连接中断或芯片故障。较高的em应力可能会导致ldo调节器中的传输门发生更多故障。降低平均em应力可提高ldo调节器的可靠性和寿命。
11.在本文的示例中，数字控制器在操作期间旋转激活的传输门。旋转传输门包括在每个时钟周期改变哪些传输门是激活的，哪些传输门是非激活的。随着时间的推移，旋转激活的传输门会在许多或所有传输门之间分散操作负载，从而降低每个传输门所承受的平均em应力。在传输门没有旋转的情况下，少量的传输门可能比其他传输门更频繁地被使用，并且那些更频繁使用的传输门将比很少使用的传输门面临更大的em压力。数字控制器可编程为使用任何合适的旋转方案来选择激活的传输门。此外，对于传输门旋转，晶体管的不同配置可能是有用的，这允许在给定面积中放置更多的晶体管。这种配置使用晶体管漏极和晶体管源极之间的水平连接，如下所述。可使用水平连接，因为如本文所述，随着传输门旋转，em应力减小。
12.图1是根据本文的各种示例的带有负载的ldo调节器系统100的框图。在本示例中，系统100包括数字ldo调节器。系统100包括数字控制器102、传输门阵列104、传输门106.1-106.n(统称为传输门106)和输出节点108。负载110、电容器112和模数转换器(adc)114也显示在系统100中。负载110是耦合在输出节点108和接地端子116之间的电阻负载，而电容器112耦合在输出节点108和接地端子118之间。在一个示例中，接地端子116和接地端子118可处于公共接地电压。在一些示例中，数字控制器102包括可执行代码120，并且数字控制器102响应于执行可执行代码120而执行本文中归因于数字控制器102的动作中的一些或所有。数字控制器102耦合到传输门106的栅极。具体而言，数字控制器102单独耦合到传输门106的栅极，因此数字控制器102可单独激活或去激活每个传输门106。这种配置由数字控制器102和传输门阵列104之间的连接中的“n”符号和斜线表示。传输门106的源极耦合到输出节点108。传输门106的漏极彼此耦合。输出节点108耦合到adc 114的输入端，并且adc 114的输出端耦合到数字控制器102。
13.数字控制器102控制接通的传输门106的数量。ldo调节器及其传输门阵列104提供目标压差和负载电流，因此在一定范围的工艺条件和操作条件下将目标负载电流提供给负载110。数字控制器102接通或关断传输门106以提供目标负载电流。
14.传输门阵列104可包括任何适当数量的传输门106。在一些示例中，传输门阵列104
包括100个或更多传输门106。传输门阵列104的激活传输门106在输出节点108处向负载110提供负载电流。输出节点108耦合到反馈回路，反馈回路耦合到adc 114。adc 114接收来自输出节点108的反馈信号，并且在输出节点108处提供输出电压的数字表示。adc 114向数字控制器102提供输出电压的数字表示。数字控制器102基于数字表示计算误差信号。误差信号表示输出节点108处的电压和数字控制器102被编程提供的电压之间的差值。基于该误差信号，数字控制器102接通或关断传输门106，以将输出节点108处的电压调整为编程的电压值。如果误差信号指示需要更多的传输门106来提供负载电流和输出电压，则数字控制器102激活一个或多个附加的传输门106。如果误差信号指示需要更少的传输门106来提供负载电流和输出电压，则数字控制器102去激活一个或多个传输门106。
15.负载电流被划分到传输门阵列104中的所有激活传输门106上。如果大量传输门106是激活的，则每个传输门106承载的负载电流部分较低。如果少量传输门是激活的，则每个传输门106承载的负载电流部分较高。如果电源电压足以提供负载电流，则传输门106能够传导大量电流，并且温度在正常操作范围内，则仅几个或甚至一个传输门106可能足以提供负载电流。当使用较少的传输门106时，每个传输门106的em应力较高。
16.在本文的示例中，数字逻辑可用于旋转激活的传输门106，因此em应力随时间在所有传输门106之间均匀分布。数字控制器102中的可执行代码120可使数字控制器102控制传输门106的旋转。数字控制器102控制哪些传输门106是激活的，以提供编程的负载电流和输出电压。由数字控制器102执行的可执行代码120通过使用适当的旋转算法来旋转激活的传输门106，从而选择激活的传输门106。
17.在一个示例中，两个传输门106足以提供目标负载电流和输出电压。可执行代码120在第一时钟周期中选择传输门106.1和106.2。在第二时钟周期中，可执行代码120旋转传输门106。更具体地，响应于来自反馈回路的指示两个传输门106仍然足以提供目标输出电压和负载电流的反馈，数字控制器102可通过去激活传输门106.1并激活传输门106.3来旋转传输门106。因此，在第二时钟周期中，传输门106.2和106.3是激活的。在第三时钟周期中，数字控制器102再次旋转传输门106。例如，响应于两个传输门106仍然足以提供目标输出电压和负载电流，数字控制器102去激活传输门106.2并激活传输门106.4。因此，在第三时钟周期中，传输门106.3和106.4是激活的。数字控制器102可在后续时钟周期期间继续以这种方式旋转传输门106。
18.可执行代码120可包括任何适当的旋转算法来旋转传输门106。在上述示例中，如果提供目标负载电流和电压所需的传输门106的数量保持不变，则可执行代码120在每个时钟周期中去激活一个传输门106并激活不同的传输门106。在另一个示例中，数字控制器102可在每个时钟周期中去激活多于一个的传输门106或者激活多于一个的其他传输门106。例如，如果六个传输门106是激活的，则数字控制器102可在每个时钟周期去激活两个传输门106并激活两个传输门106。在另一个示例中，数字控制器102在每个时钟周期中去激活所有激活的传输门106并激活编程数量的非激活的传输门106。通过旋转激活的传输门106，em应力在本文示例中的大多数或所有传输门106之间分散。
19.在另一个示例中，数字控制器102基于误差信号来激活和/或去激活激活的传输门106的数量，同时也旋转激活的传输门106。例如，在第一时钟周期中，两个传输门106.1和106.2足以提供目标输出电压和负载电流。在第二时钟周期中，数字控制器102计算误差信
号，并且确定应使用三个传输门106而不是两个传输门106来提供目标输出电压和负载电流。数字控制器102既可旋转激活的传输门106，也可激活附加的传输门106。在本示例中，数字控制器去激活传输门106.1，并且激活传输门106.3和106.4。此时，三个传输门106是激活的(106.2、106.3和106.4)。在另一个示例中，在第三时钟周期，数字控制器102计算误差信号，并且确定应使用两个传输门106而不是三个传输门106来提供目标输出电压和负载电流。数字控制器102既可旋转激活的传输门106，也可去激活一个或多个传输门106。在本示例中，数字控制器去激活传输门106.2和106.3并激活传输门106.5。在这个动作之后，两个传输门106是激活的(106.4和106.5)。在另一个示例中，数字控制器102可去激活传输门106，以将激活传输门从3个减少到2个，而不是去激活和旋转。在不同的实施例中，可使用不同的算法来选择要激活或去激活的传输门。
20.图2是根据本文各种示例的传输门旋转方案的框图200。框图200包括矩阵202、204、206、208、210和212，其中每个矩阵对应于不同的时钟周期，并且矩阵的时钟周期是连续的、顺序的时钟周期。在框图200中，传输门106被表示为水平切片。在本示例中，传输门106的编号为1至n，其中n可为任何数字。在矩阵202中标记了传输门106.1、106.2、106.3、106.4、106.5、106.6、106.7和106.n(统称为传输门106)。在图2的描述中，传输门106通过它们的数字标签(0、1、2、3、
…
n)来引用。每个时钟周期中的激活传输门106在图2中用阴影表示，并且非阴影水平切片表示非激活传输门106。在本示例中，三个传输门106在每个时钟周期中是激活的(且因此在每个矩阵中)，尽管在其他示例中任何数量的传输门106均可为激活的。任何合适的频率均可用于时钟周期。可基于ldo调节器的性能参数选择频率。如果ldo调节器用于应用快速变化以对负载的变化做出快速反应的应用中，则较高的频率可能是有用的。
21.在时间t0，传输门0、1和2是激活的，如矩阵202所示。其余的传输门是非激活的。数字控制器102使用旋转算法(诸如在可执行代码120中编程的旋转算法)来选择每个时钟周期中的激活传输门。
22.矩阵204示出了时间t1处的激活的传输门。在时间t1处，激活的传输门为1、2和3。其余的传输门是非激活的。在该时钟周期中，数字控制器102已去激活传输门0并激活传输门3。在时间t2处，矩阵206示出了激活的传输门。在时间t2处，传输门2、3和4是激活的。在该时钟周期中，数字控制器102已去激活传输门1并激活传输门4。在本示例中，数字控制器102继续根据所示模式在每个时钟周期中去激活一个传输门并激活一个传输门。
23.矩阵208示出了时间t
x
处的激活传输门。在时间t
x
处，数字控制器102继续如上所述激活和去激活传输门，并且已到达最后的传输门n。在时间t
x
处，传输门n、n-1和n-2是激活的。
24.在矩阵210中，在时间t
x 1
时，数字控制器102去激活传输门n并激活传输门n-3。在本示例中，激活传输门旋转过程要求数字控制器102从传输门n向回传输门0一次一个地激活和去激活传输门。在下一个时钟周期(图2中未示出)中，传输门n-1将被去激活，而传输门n-4将被激活。只要ldo调节器处于操作状态，传输门旋转过程可按这种方式继续。
25.矩阵212示出了当激活传输门旋转已返回到传输门0时的时间ty处的激活传输门。激活传输门是0、1和2，它们类似于由矩阵202表示的时间t0处的激活传输门。然后，旋转过程可如时间t1、t2等所示继续激活和去激活传输门，而激活的传输门再次沿着传输门矩阵向
下移动。
26.在本示例中，在每个时钟周期处，三个传输门是激活的。然而，当三个传输门是激活的时，不总是使用传输门0、1和2，而是旋转激活传输门，以便在所有传输门之间更均匀地分布em应力。在一些示例中，更均匀地分布em应力可能会减少芯片故障。
27.在本示例中，在每个时钟周期中，一个传输门被激活且一个传输门被去激活。然而，在其他示例中，可激活和去激活一个以上的传输门。例如，传输门0、1和2可在第一时钟周期中是激活的，而传输门3、4和5在第二时钟周期中是激活的。任何合适的旋转算法可由可执行代码120和数字控制器102实施。此外，可执行代码120可基于从ldo调节器的反馈回路接收到的反馈，在每个时钟周期中增加或减少激活传输门的数量。例如，在时间t0处，3个传输门可为激活的，而在时间t1处，不同数量的传输门(2、4、5等)可为激活的。在每个时钟周期中，在本文的示例中，数字控制器102可按任何合适的方式旋转传输门，和/或按任何合适的方式调整激活传输门的数量。
28.图3是用于耦合到传输门阵列104中的传输门106设备的两个晶体管金属化配置的示例框图300。配置302和304示出了两种不同的晶体管金属化配置，它们相对于底层晶体管，特别是晶体管的栅极，取向不同。配置302包括漏极金属6 306a、源极金属6 308a、栅极310a和金属1至5 312a(也称为金属层1-5)。配置304包括漏极金属6 306b、源极金属6 308b、栅极310b和金属1至5 312b。配置302是电流垂直流经金属1至5 312a的结构的示例。配置304是根据本文各种示例的系统的示例，其中电流水平流经金属1至5312b。在框图300中，电流用箭头表示。垂直和水平电流的含义如下所述。
29.金属化是制造集成电路(ic)中使用的工艺。例如，金属化是ic的组件通过导体(诸如铝)互连的工艺。该工艺产生一层薄膜金属层，它用作芯片上各种组件互连的导体图案。可使用多层金属，诸如金属1至6。在配置302中，金属6(306a、308a)位于顶部，并且通常是较厚的层。金属1至5 312a在金属6(306a、308a)之下，并且影响电流驱动能力的程度大约是金属6的十分之一。金属1至5 312a比金属6(306a、308a)更薄，并且这些较低级别的金属通常是电流路径中最弱的环节，这意味着由em应力引起的损伤可能比金属6(306a、308a)对金属1至5 312a的影响更大。在一个示例操作中，电流流入漏极顶部上的漏极金属6 306a，然后通过金属1至5 312a，进入漏极。电流从漏极通过栅极310a流到源极，然后通过金属1到5 312a，然后回到源极的顶部上的源极金属6 308a。例如，金属1比金属6(306a、308a)更薄，并且可能无法经受金属6(306a、306b)可能经受的em应力。在一个示例中，金属1可承受金属6(306a、308a)能够承受的十分之一的em应力。因此，在em性能方面的瓶颈可能出现在金属1层中，因为电流在进入晶体管之前流经金属1。在配置302中，电流从漏极金属6 306a向下流经金属层5、4、3、2和1，然后流向漏极。然后，电流从漏极流向栅极310a。在本示例中，电流不会横向流经金属层1，因为金属层1可能无法承受常规ldo调节器中的em应力。相反，电流垂直流经金属层1至5 312a，与电流的横向流动相比，这降低了这些层经历的em应力。在没有传输门旋转的常规ldo调节器中，漏极和源极之间的垂直连接对于降低下部金属层中的em应力是有用的。然而，这种垂直连接使用更多的面积来实施，因此在给定的面积中可制造更少的晶体管。
30.配置304使用漏极和源极之间的水平连接，而不是配置302中的垂直连接。与垂直连接相比，水平连接允许在给定面积制造更多晶体管，但是水平连接也具有通过金属1层的
横向电流。然而，根据本文中的各种示例，传输门旋转用于降低每个传输门晶体管所经历的平均em应力。通过使用传输门旋转降低每个传输门的平均em应力，可在不增加传输门晶体管的故障率的情况下使用配置304的垂直连接。因此，根据本文的示例，可通过使用传输门旋转来减小给定数量的晶体管的面积。
31.在配置304中，电流流入漏极的顶部上的漏极金属6 306b中，然后通过金属1至5 312b流入漏极。电流从漏极流经栅极310b，流向源极，然后流经金属1至5 312b，然后流回源极的顶部上的源极金属6 308b。如配置304所示，电流横向流经金属1至5 312b，然后流经漏极、栅极310b和源极，然后再次横向流经金属1至5 312b，并且流向源极金属6 308b。通过金属1至5312b的横向电流可能比通过配置302的金属1至5 312a的垂直电流具有更高的em应力。然而，如果如本文所述使用传输门旋转，则em应力分布在所有传输门晶体管之间，因此很少或没有任何传输门晶体管接收到不成比例量的em应力。根据本文的示例，使用传输门旋转减少晶体管故障和其他芯片故障的机会，这允许类似配置304b的水平配置减少了晶体管面积。
32.图4是根据本文各种示例的晶体管阵列(诸如，传输门阵列104)的示例框图400。配置402和404示出了两个不同的晶体管阵列。配置402是晶体管的漏极区段和源极区段之间具有垂直连接的配置。配置402是没有传输门旋转的配置，并且晶体管的垂直配置类似于上文关于图3描述的配置302。相比之下，配置404是根据本文中的各种示例的配置，并且在晶体管的漏极区段和源极区段之间具有水平连接。配置404使用传输门旋转，并且类似于上文关于图3描述的配置304。
33.配置402包括传输门406a、406b和406c(统称为传输门406)。配置402包括漏极连接，该漏极连接包括漏极连接区段408a、408b、408c和408d(统称为漏极连接区段408)。配置402包括源极连接，该源极连接包括源极连接区段410a、410b和410c(统称为源极连接区段410)。在配置402中还示出了栅极412.1至412.n(统称为门412)。在本示例中，配置402包括四个漏极连接区段408和三个源极连接区段410，但是在其他示例中可使用其他数量的漏极连接区段408和源极连接区段410。配置404包括传输门414a、414b和414c(统称为传输门414)。配置404包括漏极连接，该漏极连接包括漏极连接区段416a、416b、416c和416d(统称为漏极连接区段416)。配置404包括源极连接，该源极连接包括源极连接区段418a、418b和418c(统称为源极连接区段418)。在配置404中还示出了栅极420.1至420.n(统称为栅极420，本文也称为栅极区段)。在本示例中，配置404包括四个漏极连接区段416和三个源极连接区段418，但在其他示例中可使用其他数量的漏极连接区段416和源极连接区段418。
34.再次参考配置402，传输门406由漏极区和源极区的区段(也称为“切片”或“指”)组成。为了简单起见，这里示出了七个漏极区段和源极区段。漏极区段和源极区段经由栅极412.1至412.n彼此耦合。由于所使用的制造技术和构成传输门406的材料的属性，传输门406被制造成如图所示的区段。例如，传输门406a包括经由栅极412彼此耦合的若干个漏极区段(耦合到漏极连接区段408)和若干个源极区段(耦合到源极连接区段410)。每个传输门406具有与传输门406a类似的结构。在配置402中，每个传输门406由水平的虚线矩形框表示。流经漏极区段和源极区段的电流由图的顶部处的箭头表示。配置402提供漏极区段和源极区段之间的垂直连接。
35.配置404是水平配置的示例，水平栅极420连接漏极区段(耦合到漏极连接区段
416)和源极区段(耦合到源极连接区段418)。配置404中的水平连接类似于上文关于图3描述的配置304。在配置404中，漏极连接区段416(连同漏极区段)和源极连接区段418(连同源极区段)在第一方向上取向，而栅极420在第二方向上取向，大致垂直于漏极连接区段416和源极连接区段418。配置404示出了如何通过使用水平配置来制造占用更少晶体管面积的传输门414。配置402和配置404各自示出了三个传输门(分别为406和414)。由于配置402中的垂直连接，配置402中的三个传输门406比配置404中的三个传输门414占据更大的面积。因此，通过配置404中的水平连接，晶体管面积可减小。在一些示例中，与配置402相比，配置404的面积减少可高达60％。此外，根据本文中的各种示例，可使用水平连接，而不会因传输门旋转而增加em应力造成的损坏。
36.图5是根据本文的各种示例的用于传输门旋转的方法500的流程图。方法500的步骤可按任何适当顺序执行。上面关于图1描述的硬件组件可在一个示例中执行方法500，诸如数字控制器102。
37.方法500开始于510，其中控制器在第一时钟周期中激活耦合在传输门阵列中的第一组传输门晶体管，其中阵列被耦合以向负载提供负载电流。如上所述，数字控制器102激活一个或多个传输门106以向负载110提供负载电流。在一个示例中，数字控制器102基于反馈信号来确定三个传输门晶体管将提供足够的负载电流，因此第一组传输门晶体管包括被激活的三个传输门晶体管。在其他示例中，第一组传输门晶体管可包括除三个以外的数量的晶体管。
38.方法500在520处继续，其中数字控制器102在第二时钟周期中激活耦合在传输门阵列中的第二组传输门晶体管。在本示例中，数字控制器102使用可执行代码120执行传输门旋转，使得第二组传输门晶体管相对于第一组传输门晶体管旋转。与第一组传输门晶体管类似，第二组中的激活的晶体管的数量基于反馈信号，但由于传输门旋转，第一组和第二组中被激活和去激活的特定晶体管不同。第二组传输门晶体管可包括任意数量的传输门晶体管。可根据旋转算法在每个时钟周期重新确定哪些晶体管被激活和去激活。旋转算法将传输门阵列104中的传输门106两端的em应力平均化，而不是比其他传输门更多地使用某些传输门106。
39.方法500在530处继续，其中数字控制器102在第三时钟周期中激活耦合在传输门阵列中的第三组传输门晶体管。第三组中的激活的晶体管的数量基于反馈信号，并且第三组中的特定激活的晶体管可相对于第二组旋转。
40.本文中的示例通过使用传输门旋转来减少传输门106之间的em应力。在em应力降低的情况下，传输门106可被配置为在漏极区段416和源极区段418之间具有水平栅极连接，如图4中的配置404所示。通过配置404，与替代解决方案相比，晶体管面积可减小。
41.在整个说明书中使用了术语“耦合”。该术语可涵盖实现与本描述一致的功能关系的连接、通信或信号路径。例如，如果设备a生成信号以控制设备b执行动作，则在第一示例中，设备a耦合到设备b，或者在第二示例中，如果中间组件c没有实质上改变设备a和设备b之间的功能关系，使得设备b经由设备a生成的控制信号由设备a控制，则设备a通过中间组件c耦合到设备b。
42.制造商可在制造时对“配置为”执行任务或功能的设备进行配置(例如，编程和/或硬接线)，以执行该功能，和/或可在制造后由用户进行配置(或重新配置)，以执行该功能
和/或其他附加或替代功能。配置可通过设备的固件和/或软件编程，通过设备的硬件组件和互连的构造和/或布局，或者它们的组合。
43.本文中描述为包括某些组件的电路或设备可改为适于耦合到这些组件以形成所描述的电路或设备。例如，被描述为包括一个或多个半导体元件(例如晶体管)、一个或多个无源元件(例如电阻器、电容器和/或电感器)、和/或一个或多个源(例如电压和/或电流源)的结构可替代为仅包括单个物理设备内的半导体元件(例如，半导体管芯和/或集成电路(ic)封装)，并且可适于在制造时或者在制造后，例如由终端用户和/或第三方耦合到至少一些无源元件和/或源，以形成所描述的结构。
44.虽然某些组件在本文中可被描述为特定工艺技术的组件，但这些组件可被替换为其他工艺技术的组件。本文描述的电路可重新配置以包括被替换的组件，从而提供与组件替换之前可用的功能至少部分相似的功能。除非另有说明，否则显示为电阻器的组件通常代表串联和/或并联耦合以提供由所示电阻器表示的阻抗量的任何一个或多个元件。例如，本文中作为单个组件示出和描述的电阻器或电容器可分别替代为并联耦合在相同节点之间的多个电阻器或电容器。例如，本文中作为单个组件示出和描述的电阻器或电容器可分别替代为多个电阻器或电容器，它们串联耦合在与单个电阻器或电容器相同的两个节点之间。
45.前述描述中短语“接地(ground)”的用途包括底盘接地、大地接地、浮动接地、虚拟接地、数字接地、公共接地和/或适用于或适合本说明书教导的任何其他形式的接地连接。除非另有说明，数值前的“约(about)”、“大致(approximately)”或“实质上(substantially)”是指所述值的 /-10％。在权利要求的范围内，在所描述的示例中可进行修改，并且其他示例也是可能的。