包括环境屏障的声音换能器设备的制作方法

1.本公开的实施例涉及一种声音换能器设备，该声音换能器设备包括具有悬置膜结构的mems声音换能器管芯。声音换能器设备还包括环境屏障，该环境屏障用于防止诸如流体、颗粒物质或其他物体等环境元素进入声音换能器设备。这提供了对膜的潜在损坏的有效保护。


背景技术：

2.在当今的消费电子器件中，希望提供性能非常好的声音换能器设备，例如麦克风和扬声器，而上述声音换能器设备应当同时包括非常小的形状因子。为了完成该任务，声音换能器设备可以包括mems (微机电系统)声音换能器，例如mems麦克风或mems扬声器。它们可以包括非常薄的膜，例如由硅制成的膜。
3.这样的小型化的声音换能器设备还具有开口(也称为：声音端口)，以允许声音进入将声音转换为电信号的(例如，硅)膜上。然而，这样的开口使薄膜容易受到外部环境的影响，其中渗入声音端口的水、灰尘或其他物理物体可能使膜以及因此使整个声音换能器设备无法操作。为了防止这种情况发生，一些常规方法试图通过集成到电子设备的外壳中(例如，集成到移动电话或智能电话的手机壳中)的膜和保护网格栅来保护声音端口。然而，这种常规方法需要增加物理体积以及必须在外壳上提供和使用的组件数目。
4.因此，希望提供一种声音换能器设备，尽管其形状因子很小，但仍具有良好的声音性能，并且其中保护易碎膜免受诸如流体、颗粒物质或其他物体等环境因素的潜在损害。在这点上，还希望提供一种声音换能器设备，其允许减少用于有效保护膜的物理体积和组件数目。
5.因此，建议提供根据权利要求1的声音换能器设备。在从属权利要求中给出了另外的有利实施例。
6.本文中描述的创新原理的声音换能器设备包括具有第一侧面和相对的第二侧面的多层组件板、以及在多层组件板的第一侧面与第二侧面之间延伸的声音端口。声音换能器设备还包括具有悬置膜结构的 mems(微机电系统)声音换能器管芯。mems声音换能器管芯布置在多层组件板的第一侧面处，使得悬置膜与声音端口流体连通。根据本文中描述的创新原理，提供网状结构以提供环境屏障，网状结构从多层组件板的第一侧面和第二侧面中的任何一个覆盖声音端口。
附图说明
7.下面结合附图对本发明的实施例进行更详细的描述，在附图中：
8.图1a示出了根据实施例的声音换能器设备的截面图；
9.图1b示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图；
10.图1c示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图；
11.图1d示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图；
12.图1e示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图；
13.图1f示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图；
14.图1g示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图；
15.图1h示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图；
16.图1i示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图；
17.图1j示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图；
18.图1k示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图；
19.图1l示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图；
20.图1m示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图；
21.图1n示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图；
22.图1o示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图；
23.图2示出了根据实施例的半导体网状结构的侧视图；
24.图3示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图；
25.图4示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图；
26.图5示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图；
27.图6示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图；
28.图7示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图；以及
29.图8示出了根据另一实施例的声音换能器设备的截面图。
具体实施方式
30.相同或等效的元素或具有相同或等效功能的元素在以下描述中由相同或等效的附图标记表示。
31.借助框图描绘并且参考该框图而描述的方法步骤也可以以不同于所描绘和/或描述的顺序的次序执行。此外，涉及设备的特定特征的方法步骤可以替换为该设备的该特征，反之亦然。
32.在附图的以下描述中，将讨论一些实施例，其可以包括网状结构，该网状结构包括至少一个网，该至少一个网包括第一材料(例如，钢网)或由其制成。将讨论一些另外的实施例，其具有包括至少一个网的网状结构，该至少一个网包括第二材料(例如，半导体材料，如硅片)或由其制成。然而，在本文中描述的每个实施例中，第一材料的至少一个网和第二材料的至少一个网是可互换的。因此，被描述为具有第一材料的至少一个网(例如，钢网)的任何实施例可以另外地或备选地包括第二材料的至少一个网(例如，半导体网)，而被描述为具有第二材料的至少一个网(例如，半导体网)的任何实施例可以另外地或备选地包括第一材料的至少一个网(例如，钢网)。
33.此外，参考附图而描述的以下示例可以包括网状结构，该网状结构被制成为具有至少一个、并且优选地恰好一个单网的单网结构。然而，也可以将所描述的网状结构中的每个制成为包括至少两个或恰好两个单网的多网结构。在后者中，单网可以彼此堆叠并且物理上彼此接触。多网结构的单网可以位于多层组件板的第一侧面或第二侧面处。备选地，多网结构的单网可以在空间上分离。例如，第一单网可以位于多层组件板的第一侧面处，而第二单网可以位于多层组件板的第二侧面处。
34.此外，以下示例性实施例示出了已经被切单(例如，切割)的声音换能器设备。多个这样的声音换能器设备可以按照本文中描述的方式在公共基板上制造并且随后被切单。本文中描述的每个实施例可以涂覆有防水涂层，使得声音换能器设备可以包括防水特性。在这点上，可以用上述防水涂层涂覆整个基板或单个声音换能器设备。特别地，本文中描述的网状结构可以涂覆有上述防水涂层。
35.此外，本文中将参考直径来描述一些实施例。直径尤其可以用于圆形几何形状。例如，设置在基板中的圆形凹部可以包括一定直径。然而，如果凹部可以包括非圆形形状，例如角形或方形，则上述术语“直径”还可以包括上述非圆形凹部的宽度或长度。
36.图1a示出了根据本文中描述的创新原理的声音换能器设备100 的非限制性示例。声音换能器设备100包括具有第一侧面101和相对的第二侧面102的多层组件板110。
37.多层组件板110例如可以是具有多个堆叠的预浸料和/或金属层 111、
……
、114的pcb(印刷电路板)。最上层115可以包括铜跟踪层或铜迹线。
38.声音换能器设备100还包括在多层组件板110的第一侧面101与第二侧面102之间延伸的声音端口120。声音换能器设备100还包括具有悬置膜结构140的mems(微机电系统)声音换能器管芯130。 mems声音换能器管芯130布置在多层组件板110的第一侧面101处，使得悬置膜结构140与声音端口120流体连通。
39.声音换能器设备100还包括用于提供环境屏障的网状结构150，网状结构150从多层组件板110的第一侧面101和第二侧面102中的任何一个覆盖声音端口120。在图1所示的示例中，网状结构150从多层组件板110的第二侧面102覆盖声音端口120。然而，下面将讨论其中网状结构150从多层组件板110的第一侧面101覆盖声音端口的其他实施例。
40.在该非限制性示例中，网状结构150可以包括至少一个、并且优选地恰好一个单网151。网状结构150因此可以称为单网结构。单网结构150的单网151可以是金属网，例如不锈钢金属网。在这种情况下，网状结构150也可以称为金属网状结构。金属网状结构150可以包括激光切割金属网或蚀刻金属网，特别是化学蚀刻金属网。
41.备选地，网状结构150可以包括至少一个单网，该至少一个单网包括半导体材料或由半导体材料制成。例如，网状结构150可以包括半导体(例如，硅)片，该半导体(例如，硅)片包括充当环境屏障的多个竖直蚀刻通孔。在这种情况下，网状结构150也可以称为半导体网状结构。
42.金属网状结构150和半导体网状结构150都可以包括微米范围内的尺寸，因此被称为微机械系统。
43.如上所述，网状结构150可以包括至少一个、并且优选地恰好一个单网151。因此，网状结构150也可以称为单网结构。其他示例可以在下面讨论，其中网状结构150可以包括至少两个、并且优选地恰好两个单网151、152，并且因此可以称为多网结构。这样的多网结构也可以用于本文中讨论的每个其他示例和实施例中，而不是先前讨论的单网结构150。继而，如果参考附图讨论多网结构150，则也可以使用多网结构150来代替单网结构150。
44.即，单网结构150和多网结构150可以互换。就本文中使用的术语网状结构150而言，该术语应当涵盖单网结构150和多网结构150。
45.图1b示出了根据本文中描述的创新原理的声音换能器设备100 的另一非限制性示例。具有相似功能的相似元素将用相似的附图标记表示。与上述示例的一个主要区别是
网状结构150的位置。
46.如图1b所示，网状结构150可以位于多层组件板110的第一侧面101处。换言之，网状结构150可以从多层组件板110的第一侧面 101覆盖声音端口120。网状结构150可以布置在多层组件板110与 mems声音换能器管芯130之间。在这种情况下，网状结构150可以与多层组件板110的第一侧面101直接接触并且与mems声音换能器管芯130直接接触。
47.在图1b的这个非限制性示例中，网状结构150可以包括至少一个、并且优选地恰好一个单网151。因此，网状结构150可以称为单网结构。然而，在图1b所示的示例中可以使用多网结构，而不是所描绘和讨论的单网结构150。
48.图1c示出了根据本文中描述的创新原理的声音换能器设备100 的另一非限制性示例。具有相似功能的相似元素将用相似的附图标记表示。与上述示例的一个主要区别是所使用的网状结构150的种类。
49.如图1c所示，网状结构150可以被配置为多网结构150，该多网结构150包括至少两个、并且优选地恰好两个单网151、152。这些至少两个单网151、152可以在空间上彼此分离。这些至少两个单网 151、152可以优选地包括相同尺寸。然而，它们可以备选地包括不同尺寸。如本文所述，这可以适用于每个多网结构150。
50.第一单网151可以位于多层组件板110的第一侧面101处。换言之，第一单网151可以从多层组件板110的第一侧面101覆盖声音端口120。网格151可以布置在多层组件板110与mems声音换能器管芯130之间。在这种情况下，第一单网151可以与多层组件板110的第一侧面101直接接触并且与mems声音换能器管芯130直接接触。
51.第二单网152可以位于多层组件板110的第二侧面102处。换言之，第二单网152可以从多层组件板110的第二侧面102覆盖声音端口120。
52.至少两个单网151、152可以包括相同材料或由相同材料制成。例如，至少两个单网151、152中的每个可以由(不锈钢)钢或半导体材料制成。备选地，至少两个单网151、152可以包括不同材料或由不同材料制成。例如，至少两个单网151、152中的第一单网可以由(不锈钢)钢制成，而至少两个单网151、152中的第二单网可以由半导体材料制成。如本文所述，这可以适用于每个多网结构150。
53.图1d示出了根据本文中描述的创新原理的声音换能器设备100 的另一非限制性示例。具有相似功能的相似元素将用相似的附图标记表示。与上述示例的一个主要区别是网状结构150的位置和所使用的网状结构150的种类。
54.如图1d所示，网状结构150可以被配置为多网结构150，该多网结构150包括至少两个、并且优选地恰好两个单网151、152。这些至少两个单网151、152可以彼此连接使得它们彼此直接接触并且彼此接触。这些至少两个单网151、152可以彼此堆叠。它们可以优选地包括相同尺寸。然而，它们可以备选地包括不同尺寸。如本文所述，这可以适用于每个多网结构150。
55.至少两个单网151、152可以包括相同材料或由相同材料制成。例如，至少两个单网151、152中的每个可以由(不锈钢)钢或半导体材料制成。备选地，至少两个单网151、152可以包括不同材料或由不同材料制成。例如，至少两个单网151、152中的第一单网可以由(不锈钢)钢制成，而至少两个单网151、152中的第二单网可以由半导体材料制成。如本文所述，这可以适用于每个多网结构150。
56.图1e示出了根据本文中描述的创新原理的声音换能器设备100 的另一非限制性示例。具有相似功能的相似元素将用相似的附图标记
57.表示。与以上参考图1d描述的示例的一个主要区别是多网结构150
58.的位置。
59.在图1e所示的示例中，多网结构150可以包括至少两个、并且优选地恰好两个彼此直接接触的单网151、152。多网结构150可以位于多层组件板110的第一侧面101处。换言之，多网结构150可以从多层组件板110的第一侧面101覆盖声音端口120。
60.多网结构150可以布置在多层组件板110与mems声音换能器管芯130之间。在这种情况下，网状结构150可以与多层组件板110 的第一侧面101直接接触并且与mems声音换能器管芯130直接接触。
61.图1f示出了根据本文中描述的创新原理的声音换能器设备100 的另一非限制性示例。具有相似功能的相似元素将用相似的附图标记表示。与以上参考图1d和图1e描述的示例的一个主要区别是多网结构150的位置。
62.在图1f所示的示例中，多网结构150可以包括至少四个、并且优选地恰好四个单网151、152、153、154，其中至少四个单网151、 152、153、154中的两个彼此直接接触。
63.至少、并且优选地恰好两个单网151、152的第一多网布置150a 可以位于多层组件板110的第一侧面101处。换言之，多网结构150 的上述第一多网布置150a可以从多层组件板110的第一侧面101覆盖声音端口120。
64.第一多网布置150a可以布置在多层组件板110与mems声音换能器管芯130之间。在这种情况下，第一多网布置150a可以与多层组件板110的第一侧面101直接接触并且与mems声音换能器管芯 130直接接触。
65.至少、并且优选地恰好两个单网153、154的第二多网布置150b 可以位于多层组件板110的第二侧面102处。换言之，多网结构150 的上述第二多网布置150b可以从多层组件板110的第二侧面102覆盖声音端口120。第二多网布置150b可以位于多层组件板110与 mems声音换能器管芯130之间。
66.图1g示出了根据本文中描述的创新原理的声音换能器设备100 的另一非限制性示例。具有相似功能的相似元素将用相似的附图标记表示。与迄今为止描述的示例的一个主要区别是存在另外的膜结构 310。
67.尽管本文中描述的网状结构(单网结构或多网结构)150的存在可能是强制性的，但本文中描述的膜结构(单膜结构或多膜结构)310 的存在可以是可选的。
68.用于上述另外的膜结构310的功能、构造和材料可以在下面更详细地讨论。然而，参考以下图1g至图1o，将给出上述另外的膜结构 310的可能位置的概览。
69.如图1g所示，上述另外的膜结构310可以包括至少一个单膜311、并且优选地恰好一个单膜311。因此，另外的膜结构310也可以称为单膜结构310。
70.在下面讨论可以其他示例，其中膜结构310可以包括至少两个、并且优选地恰好两个单膜311、312，并且因此可以称为多膜结构。这样的多膜结构310也可以用于本文中讨论的每个其他示例中，而不是单膜结构310。继而，如果参考附图讨论多膜结构310，则也可以使用多膜结构310来代替单膜结构310。
71.即，单膜结构310和多膜结构310可以互换。就本文中使用的术语膜结构310而言，
该术语应当涵盖单膜结构310和多膜结构310。
72.此外，单膜结构310和多膜结构310中的任何一个可以与上面讨论的单网结构150或多网结构150中的每个组合。即，即使附图可以示出单网结构150，它也可以是多网结构，反之亦然。继而，即使附图可以示出单膜结构310，它也可以是多膜结构，反之亦然。
73.返回图1g，膜结构(单膜结构或多膜结构)310可以位于多层组件板110的第一侧面101处。因此，膜结构(单膜结构或多膜结构) 310可以从多层组件板110的第一侧面110覆盖声音端口120。膜结构(单膜结构或多膜结构)310可以布置在多层组件板110与mems 声音换能器管芯130之间。在这种情况下，膜结构(单膜结构或多膜结构)310可以与多层组件板110的第一侧面101直接接触并且与 mems声音换能器管芯130直接接触。
74.网状结构(单网结构或多网结构)150可以位于多层组件板110 的第二侧面102处。因此，网状结构(单网结构或多网结构)150可以从多层组件板110的第二侧面102覆盖声音端口120。
75.图1h示出了根据本文中描述的创新原理的声音换能器设备100 的另一非限制性示例。具有相似功能的相似元素将用相似的附图标记表示。与迄今为止描述的示例的一个主要区别是膜结构310的单膜 311、312的数目。
76.如图1h所示，另外的膜结构310可以包括至少两个、并且优选地恰好两个单膜311、312。因此，膜结构310可以称为多膜结构。至少两个单膜311、312可以彼此堆叠并且物理上彼此接触。多膜结构 310可以位于多层组件板110的第一侧面101或第二侧面102处。
77.备选地，多膜结构310的至少两个单膜311、312可以在空间上分离。例如，第一单膜311可以位于多层组件板110的第一侧面101 处，而第二单膜312可以位于多层组件板110的第二侧面102处(参见图1m)。
78.在图1h所示的示例中，多膜结构310可以位于多层组件板110 的第一侧面101处。因此，多膜结构310可以从多层组件板110的第一侧面101覆盖声音端口120。多膜结构310可以布置在多层组件板 110与mems声音换能器管芯130之间。在这种情况下，多膜结构 310可以与多层组件板110的第一侧面101直接接触并且与mems声音换能器管芯130直接接触。
79.网状结构(单网结构或多网结构)150可以位于多层组件板110 的第二侧面102处。因此，多网结构150可以从多层组件板110的第二侧面102覆盖声音端口120。
80.图1i示出了根据本文中描述的创新原理的声音换能器设备100 的另一非限制性示例。具有相似功能的相似元素将用相似的附图标记表示。与迄今为止描述的示例的一个主要区别是另外的膜结构(单膜结构或多膜结构)310的位置与网状结构(单网结构或多网结构)150 的位置相结合。
81.如图1i所示，膜结构(单膜结构或多膜结构)310可以位于多层组件板110的第二侧面102处。因此，膜结构(单膜结构或多膜结构) 310可以从多层组件板110的第二侧面102覆盖声音端口120。
82.网状结构(单网结构或多网结构)150也可以位于多层组件板110 的第二侧面102处。膜结构(单膜结构或多膜结构)310可以布置在多层组件板110与网状结构(单网结构或多网结构)150之间。在这种情况下，膜结构(单膜结构或多膜结构)310可以与多层组件板110 的第二侧面102直接接触并且与(单网结构或多网结构)150直接接触。
83.然而，网状结构(单网结构或多网结构)150也可以位于多层组件板110与膜结构
(单膜结构或多膜结构)310之间。在这种情况下，网状结构(单网结构或多网结构)150可以与多层组件板110的第二侧面102直接接触并且与膜结构(单膜结构或多膜结构)310直接接触。
84.图1j示出了根据本文中描述的创新原理的声音换能器设备100 的另一非限制性示例。具有相似功能的相似元素将用相似的附图标记表示。与迄今为止描述的示例的一个主要区别是另外的膜结构(单膜结构或多膜结构)310的位置与网状结构(单网结构或多网结构)150 的位置相结合。
85.膜结构(单膜结构或多膜结构)310可以位于多层组件板110的第二侧面102处。因此，膜结构(单膜结构或多膜结构)310可以从多层组件板110的第二侧面102覆盖声音端口120。
86.网状结构(单网结构或多网结构)150可以位于多层组件板110 的第一侧面101处。因此，网状结构(单网结构或多网结构)150可以从多层组件板110的第一侧面101覆盖声音端口120。网状结构(单网结构或多网结构)150可以位于多层组件板110与mems声音换能器管芯130之间。在这种情况下，网状结构(单网结构或多网结构) 150可以与多层组件板110的第一侧面101直接接触并且与mems声音换能器管芯130直接接触。
87.图1k示出了根据本文中描述的创新原理的声音换能器设备100 的另一非限制性示例。具有相似功能的相似元素将用相似的附图标记表示。与迄今为止描述的示例的一个主要区别是另外的膜结构(单膜结构或多膜结构)310的位置与网状结构(单网结构或多网结构)150 的位置相结合。
88.网状结构(单网结构或多网结构)150可以位于多层组件板110 的第一侧面101处。因此，网状结构(单网结构或多网结构)150可以从多层组件板110的第一侧面101覆盖声音端口120。
89.膜结构(单膜结构或多膜结构)310也可以位于多层组件板110 的第一侧面101处。因此，膜结构(单膜结构或多膜结构)310也可以从多层组件板110的第一侧面101覆盖声音端口120。
90.如图1k中示例性地描绘的，膜结构(单膜结构或多膜结构)310 可以布置在网状结构(单网结构或多网结构)150与mems声音换能器管芯130之间。在这种情况下，网状结构(单网结构或多网结构) 150可以与多层组件板110的第一侧面101和膜结构(单膜结构或多膜结构)310直接接触。此外，膜结构(单膜结构或多膜结构)310 可以与网状结构(单网结构或多网结构)150和mems声音换能器管芯130直接接触。
91.图1l示出了替代方案，其中网状结构(单网结构或多网结构) 150可以布置在膜结构(单膜结构或多膜结构)310与mems声音换能器管芯130之间。在这种情况下，膜结构(单膜结构或多膜结构) 310可以与多层组件板110的第一侧面和网状结构(单网结构或多网结构)150直接接触。此外，网状结构(单网结构或多网结构)150 可以与膜结构(单膜结构或多膜结构)310和mems声音换能器管芯 130直接接触。
92.图1m示出了根据本文中描述的创新原理的声音换能器设备100 的另一非限制性示例。具有相似功能的相似元素将用相似的附图标记表示。与迄今为止描述的示例的一个主要区别是另外的膜结构(单膜结构或多膜结构)310的位置与网状结构(单网结构或多网结构)150 的位置相结合。
93.图1m示出了一个示例，其中多膜结构310包括至少两个、并且优选地恰好两个单膜311、312。第一单膜311可以位于多层组件板 110的第一侧面101处。因此，上述第一单膜311从多层组件板110 的第一侧面101覆盖声音端口120。
94.第二单膜312可以位于多层组件板110的第二侧面102处。因此，上述第二单膜312从多层组件板110的第二侧面102覆盖声音端口 120。
95.可以另外提供网状结构(单网结构或多网结构)150，其中网状结构(单网结构或多网结构)150的位置可以选自如本文中描述的选项中的一个。如图1m示例性所示，网状结构(单网结构或多网结构) 150可以位于多层组件板110的第一侧面101处。网状结构(单网结构或多网结构)150可以布置在第一单膜311与mems声音换能器管芯130之间，如图1m中示例性地描绘的。在这种情况下，网状结构 (单网结构或多网结构)150可以与第一单膜311直接接触并且与 mems声音换能器管芯130直接接触。此外，第一单膜311可以与网状结构(单网结构或多网结构)150直接接触并且与多层组件板110 的第一侧面101直接接触。
96.备选地，第一单膜311可以布置在网状结构(单网结构或多网结构)150与mems声音换能器管芯130之间。在这种情况下，第一单膜311可以与网状结构(单网结构或多网结构)150直接接触并且与 mems声音换能器管芯130直接接触。此外，网状结构(单网结构或多网结构)150可以与第一单膜311直接接触并且与多层组件板110 的第一侧面101直接接触。
97.图1n示出了一个示例，其中多膜结构310包括至少两个、并且优选地恰好两个单膜311、312，并且此外，多网结构150包括至少两个、并且优选地恰好两个单网151，152。第一单膜311和第一单网 151可以位于多层组件板110的第一侧面101处。因此，上述第一单膜311和上述第一单网151可以从多层组件板110的第一侧面101覆盖声音端口120。第一单网151可以布置在第一单膜311与mems声音换能器管芯130之间。在这种情况下，第一单网151可以与第一单膜311直接接触并且与mems声音换能器管芯130直接接触。此外，第一单膜311可以与第一单网151直接接触并且与多层组件板110的第一侧面101直接接触。
98.备选地，第一单膜311可以布置在第一单网151与mems声音换能器管芯130之间。在这种情况下，第一单膜311可以与第一单网 151直接接触并且与mems声音换能器管芯130直接接触。此外，第一单网151可以与第一单膜311直接接触并且与多层组件板110的第一侧面101直接接触。
99.第二单膜312和第二单网152可以位于多层组件板110的第二侧面102处。因此，上述第二单膜312和上述第二单网152可以从多层组件板110的第二侧面102覆盖声音端口120。第二单膜312可以布置在多层组件板110与第二单网152之间。在这种情况下，第二单膜 312可以与第二单网152直接接触并且与多层组件板110的第二侧面 102直接接触。
100.备选地，第二单网152可以布置在多层组件板110与第二单膜312 之间。在这种情况下，第二单网152可以与第二单膜312直接接触并且与多层组件板110的第二侧面102直接接触。
101.在图1o所示的示例中，多膜结构310可以包括至少四个、并且优选地恰好四个单膜311、312、313、314，其中至少四个单膜311、 312、313、314中的两个彼此直接接触。
102.至少、并且优选地恰好两个单膜311、312的第一多膜布置310a 可以位于多层组件板110的第一侧面101处。换言之，多膜结构310 的上述第一多膜布置310a可以从多层组件板110的第一侧面101覆盖声音端口120。多膜结构310的第一多膜布置310a可以布置在网状
结构(单网结构或多网结构)150与多层组件板110的第一侧面101 之间。在这种情况下，第一多膜布置310a可以与网状结构(单网结构或多网结构)150和多层组件板110的第一侧面101直接接触。此外例如，网状结构(单网结构或多网结构)150可以与第一多膜布置 310a直接接触并且与mems声音换能器管芯130直接接触。
103.备选地，多膜结构310的第一多膜布置310a可以布置在多层组件板110的第一侧面101上的网状结构(单网结构或多网结构)150 与mems声音换能器管芯130之间。在这种情况下，网状结构(单网结构或多网结构)150可以与第一多膜布置310a直接接触并且与多层组件板110的第一侧面101直接接触。此外，第一多膜布置310a 可以与网状结构(单网结构或多网结构)150直接接触并且与mems 声音换能器管芯130直接接触。
104.至少、并且优选地恰好两个单膜313、314的第二多膜布置310b 可以位于多层组件板110的第二侧面102处。换言之，多膜结构310 的上述第二多膜布置310b可以从多层组件板110的第二侧面102覆盖声音端口120。多膜结构310的第二多膜布置310b可以布置在网状结构(单网结构或多网结构)150与多层组件板110的第二侧面102 之间。在这种情况下，第二多膜布置310b可以与网状结构(单网结构或多网结构)150直接接触并且与多层组件板110的第二侧面102 直接接触。
105.备选地，网状结构(单网结构或多网结构)150可以布置在多层组件板110的第二侧面102与多膜结构310的第二多膜布置310b之间。在这种情况下，网状结构(单网结构或多网结构)150可以与第二多膜布置310b直接接触并且与多层组件板110的第二侧面102直接接触。
106.总之，如本文中描述的网状结构150可以包括至少一个、并且优选地恰好一个单网结构151。在这种情况下，网状结构150可以称为单网结构150(参见图1a和图1b)。备选地，网状结构150可以包括至少两个、并且优选地恰好两个单网151、152。在这种情况下，网状结构150可以称为多网结构150。多网结构150的单网151、152 可以在空间上彼此分离。在这种情况下，至少两个单网151、152中的第一单网可以位于多层组件板110的第一侧面101处，而至少两个单网151、152中的第二单网可以位于多层组件板110的第二侧面102 处(参见图1c)。进一步备选地，单网151、152可以彼此直接接触并且彼此接触。在这种情况下，至少两个单网151、152可以彼此堆叠并且可以布置在多层组件板110的第一侧面101和第二侧面102中的任何一个处(参见图1d和图1e)。进一步备选地，多网结构150 可以包括第一网状布置150a，该第一网状布置150a包括至少两个、并且优选地恰好两个单网151、152。多网结构150还可以包括第二网状布置150b，该第二网状布置150b包括至少两个、并且优选地恰好两个单网153、154。第一网状布置150a可以位于多层组件板110的第一侧面101处，而第二网状布置150b可以位于多层组件板110的第二侧面102处(参见图1f)。单网151、152、153、154每个可以包括相同或不同尺寸。单网151、152、153、154每个可以包括相同或不同材料。
107.就本文中使用的术语网状结构150而言，它涵盖单网结构和多网结构。
108.这同样适用于本文中描述的膜结构(单膜结构或多膜结构)310。本文中描述的膜结构310可以包括至少一个、并且优选地恰好一个单膜311。在这种情况下，膜结构310可以称为单膜结构310(参见图 1g)。备选地，膜结构310可以包括至少两个、并且优选地恰好两个单膜311、312。在这种情况下，膜结构310可以称为多膜结构310。多膜结构310可以在空间上彼此分离。在这种情况下，至少两个单膜 311、312中的第一单膜可以位于多层组件板110
的第一侧面101处，而至少两个单膜311、312中的第二单膜可以位于多层组件板110的第二侧面102处(参见图1m)。进一步备选地，单膜311、312可以彼此直接接触并且彼此接触。在这种情况下，至少两个单膜311、312 可以彼此堆叠并且可以布置在多层组件板110的第一侧面101和第二侧面102中的任何一个处(参见图1h)。进一步备选地，多膜结构 310可以包括第一膜布置310a，该第一膜布置310a包括至少两个、并且优选地恰好两个单膜311、312。多膜结构310可以还包括第二膜布置310b，该第二膜布置310b包括至少两个、并且优选地恰好两个单膜313、314。第一膜布置310a可以位于多层组件板110的第一侧面101处，而第二膜布置310b可以位于多层组件板110的第二侧面 102处(参见图1o)。单膜311、312、313、314每个可以包括相同或不同尺寸。单个膜311、312、313、314每个可以包括相同或不同材料。
109.就本文中使用的术语膜结构310而言，它涵盖单膜结构和多膜结构。
110.图2示出了网状结构150的非限制性示例，该网状结构150包括至少一个单网151，该至少一个单网151包括蚀刻的半导体片200(即，半导体网状结构150)或由其制成。根据该示例，半导体片200可以包括硅。片200包括多个竖直蚀刻通孔210。这些通孔210可以充当过滤器或筛子。通孔210也可以称为穿孔。因此，包括通孔210(穿孔)的网状结构150的这部分也可以称为穿孔部分220。此外，术语穿孔和通孔在本文中可以同义地使用。
111.由于网状结构150覆盖声音端口120，因此网状结构150可以被配置为防止诸如流体、颗粒物质或其他物体等环境元素通过声音端口 120进入声音换能器设备100。因此，通孔210可以包括小于应当保留的环境物体或颗粒的直径。
112.在一些实施例中，竖直通孔210可以包括被配置为防止水穿过网状结构150的直径。例如，如果通孔210通过rie或drie蚀刻(rie：反应离子蚀刻-drie：深度反应离子蚀刻)被竖直蚀刻，则可能发生这种情况。因此，由蚀刻的半导体材料制成的网状结构150可以包括防水特性。在一些情况下，网状结构150可以是透气但不透液的。
113.换言之，网状结构150提供环境屏障以保护声音换能器封装100 上的声音端口120。网状结构150(环境屏障)可以被配置为排斥湿气、灰尘和其他物理物体，以确保当没有其他外部保护可用时mems 声音换能器管芯130(例如，硅麦克风)的持续操作。以下的图示出了一些实施例，以考虑声音转换器设备100对水、灰尘和侵入性物理损坏的一些潜在形式的环境屏障。一些可能的应用可以包括移动手持设备，其中入口保护(ip)要求通常为～ip68；防尘防水到特定水下深度。
114.备选地，网状结构150可以包括至少一个单网151，该至少一个单网151包括蚀刻或激光切割的(不锈钢)钢或由其制成。可以用于网状结构150的至少一个单网151的其他材料可以包括玻璃和玻璃增强环氧树脂层压材料(特别是fr4材料)中的至少一种。fr4是玻璃增强环氧树脂层压材料的nema(美国国家电气制造商协会)等级名称。fr-4是一种复合材料，其由编织的玻璃纤维布和具有阻燃性(自熄性)的环氧树脂粘合剂组成。
115.图3示出了根据本文中描述的创新原理的声音换能器设备100的示例。在该实施例中，网状结构150可以定位在多层组件板110的与 mems声音换能器管芯130相同的一面处。在这种情况下，网状结构 150和mems声音换能器管芯130布置在多层组件板110的第一侧面 101上。然而，网状结构150和mems声音换能器管芯130也可以都布置在多层组件板110的第二侧面102上。
116.特别地，网状结构150可以例如通过焊料、胶水或任何其他种类的粘合剂320直接
布置在多层组件板110的第一侧面101上(例如，可以附接到其)。mems声音换能器管芯130可以布置在网状结构 150之上，如图3中示例性地描绘的。mems声音换能器管芯130可以例如通过焊料、胶水或任何其他类型的粘合剂321直接布置在网状结构150上(例如，可以附接到其)。如图3所示，mems声音换能器管芯130可以布置在网状结构150的与多层组件板110相对的表面上。因此，网状结构150可以布置在mems声音换能器管芯130与多层组件板110之间。
117.mems声音换能器管芯130可以包括充当膜结构140的支撑结构的块状材料330，使得膜结构140悬置在其上。mems声音换能器管芯130、并且特别是其块状材料330可以包括具有内径dy的腔体340。
118.设置在多层组件板110中的声音端口120包括(平均)直径d
x
。声音端口120的直径d
x
可以大于mems声音换能器管芯130的内径 dy。因此，可以提供扩大的声音端口120，该声音端口120包括大于 mems声音换能器管芯130的内径dy的直径d
x
。
119.声音端口120的扩大的直径d
x
提供了通过声音端口120朝向 mems声音换能器管芯130的膜结构140的增加的空气流。这可以被实现，因为网状结构150的直径dz可以大于声音端口120的直径d
x
。因此，网状结构150可以沿着音口120的周边布置在多层组件板110 的第一侧面101上。以这种方式，网状结构150牢固地附接到多层组件板110并且有效地覆盖声音端口120。声音端口120的“周边”是指围绕设置在多层组件板110中的声音端口开口120的圆周延伸的外圆周部分。或者，换言之，网状结构150可以在声音端口120的外圆周附近附接到多层组件板110，从而覆盖声音端口120但留下多层组件板110的第二侧面102的其他横向部分未被覆盖。因此，网状结构150 没有在多层组件板110的整个第二侧面102(或第一侧面101，如果适用)之上延伸，从而节省了网状材料和相关成本。
120.在图3中描绘的示例中，先前讨论的竖直通孔210(图2)可以设置在网状结构150的上述穿孔部分220中。上述穿孔部分220的直径可以等于或略小于mems声音换能器管芯130的内径dy。此外，竖直通孔210可以布置成与膜结构140相对。相应地，流过(扩大的) 声音端口120的空气穿过竖直通孔210并且进入mems声音换能器管芯130的腔体340，空气在该腔体340中到达膜结构140的底面。网状结构150充当防止任何不想要的固体和/或液体环境颗粒进入 mems声音换能器管芯130的腔体340并且到达膜结构140的环境屏障。
121.在一些替代实施例中，所讨论的包括蚀刻的半导体材料200的网状结构150可以替换为金属网，如本文中也描述的。
122.声音换能器设备100可以可选地包括另外的膜结构310。上述另外的膜结构310可以包括合成材料或由合成材料制成，例如ptfe(聚四氟乙烯)。另外的膜结构310可以包括防水特性。例如，另外的膜结构310可以包括穿孔，该穿孔的直径足够小以防止液体或蒸汽穿过穿孔。因此，膜310可以防止液体或甚至蒸汽进入mems声音换能器管芯130并且到达悬置膜结构140。
123.另外地或备选地，网状结构150可以包括穿孔210，穿孔210的直径足够小以防止液体或蒸汽穿过上述穿孔210。这尤其可以通过半导体网状结构150来实现。
124.在图3中描绘的非限制性示例中，另外的膜结构310布置在多层组件板110的第二侧面102处，即，在与mems声音换能器管芯130 相对的一面处，并且在这个特定示例中，在与网状结构150相对的一面处。然而，如将参考以下一些不同实施例所述，另外的膜结构310 可以布置在多层组件板110的第一侧面101处。在任何情况下，另外的膜结构310可以覆盖声
音端口120。
125.另外的膜结构310可以例如通过胶水或任何其他种类的粘合剂 322附接到多层组件板110。另外的膜结构310可以沿着声音端口120 的外围布置(在多层组件板110的第一侧面101或第二侧面102处)，从而覆盖声音端口120但留下多层组件板110的另外的横向部分未被覆盖。以这种方式，另外的膜结构310牢固地附接到多层组件板110 并且有效地覆盖声音端口120。
126.总之，图3示出了网状结构150，网状结构150包括附接在较宽直径(d
x
》dy)的声音端口120之上的蚀刻半导体(例如，硅)“网状”管芯200。由合成材料(例如，ptfe)制成的防水的另外的膜结构310可以附接到多层组件板110的外部。备选地，半导体网管芯200 可以替换为不锈钢网(例如，固体外径)，mems声音换能器管芯 130和悬置膜结构140可以附接到该不锈钢网上。
127.图4示出了根据本文中描述的创新原理的声音换能器设备100的另一示例。在该实施例中，网状结构150布置在多层组件板110的与 mems声音换能器管芯130相对的一面上。在该特定但非限制性示例中，mems声音换能器管芯130可以布置在多层组件板110的第一侧面101上，而网状结构150可以布置在多层组件板110的相对的第二侧面102上。
128.如上所述，网状结构150可以是由半导体材料200(例如，硅) 制成的半导体网状管芯。备选地，网状结构150可以是(不锈钢)钢网，例如蚀刻或激光切割的钢网结构。
129.可以看出，在该实施例中，可以省略具有防水特性的另外的膜结构310(图3)。相反，网状结构150本身可以包括防水特性。为了实现这一点，网状结构150可以包括竖直蚀刻通孔210，竖直蚀刻通孔210的尺寸适合于防止水或蒸汽穿过上述通孔210。上述通孔210 的上述尺寸可以与设置在上述另外的膜结构310(图3)内部的上述穿孔相当。
130.网状结构150可以例如通过焊料、胶水或任何其他种类的粘合剂320附接到多层组件板110。网状结构150可以沿着声音端口120的外围布置(在多层组件板110的第一侧面101或第二侧面102处)。以这种方式，网状结构150牢固地附接到多层组件板110并且有效地覆盖声音端口120。因此，网状结构150没有在多层组件板110的整个第二侧面102(或第一侧面101)之上延伸，从而节省了网状材料和相关成本。
131.设置在多层组件板110中的声音端口120在mems声音换能器管芯130与网状结构150之间延伸。声音端口120与mems声音换能器管芯130和网状结构150具有功能关系并且流体连接，这表示，从环境流动通过网状结构150的空气通过声音端口120流入mems 声音换能器管芯130的腔体340，直到到达悬置膜结构140。
132.在该特定示例中，声音端口120可以包括小于mems声音换能器管芯130的内径dy的直径d
x
。如上所述，mems声音换能器管芯 130可以包括腔体340，其中mems声音换能器管芯130的内径dy可以对应于腔体340的内径。
133.总之，图4示出了一个非限制性实施例，其中网状结构150可以是半导体网状结构，例如蚀刻的硅网。可以通过rie或drie蚀刻来蚀刻网状结构150的半导体材料。可以蚀刻竖直通孔210，竖直通孔 210的尺寸与可以在上述另外的膜结构310(例如，ptfe膜)中另外提供的孔隙或穿孔相当。例如，竖直通孔210(即，竖直通孔210的几何形状)可以被形成为ptfe带的孔隙大小。半导体网状结构150 可以附接到声音换能器设备100的多层组件板110的基部，即，第二侧面102。耐水/防水特性可以通过在切割之前对晶片进行聚对二甲苯涂敷来实
现。
134.图5示出了根据本文中描述的创新原理的声音换能器设备100的另一非限制性示例性实施例。mems声音换能器管芯130布置在多层组件板110的第一侧面101处。多层组件板110包括设置在多层组件板110的与mems声音换能器管芯130相对的一面102处的第一凹部510。
135.在该特定示例中，第一凹部510设置在多层组件板110的第二侧面102中。特别地，第一凹部510设置在还设置有声音端口120的区域中，使得声音端口120位于第一凹部510与mems声音换能器管芯130之间。因此，第一凹部510和声音端口120处于功能关系并且彼此流体连接，从而提供从环境通过网状结构150通过第一凹部510 通过声音端口120到达mems声音换能器管芯130的连续流体通道。
136.第一凹部510可以设置在多层组件板110的一个或多个层111、 112、113、115中。第一凹部510可以包括第一直径d1，第一直径 d1大于声音端口120的直径d
x
。因此，第一凹部510可以提供声音端口120的扩大的进入开口。因此，更大量的空气可以通过由上述第一凹部510提供的扩大的开口进入声音端口120。
137.网状结构150可以附接到多层组件板110的设置有第一凹部510 的侧面102。在该特定示例中，可以在多层组件板110的第二侧面102 处提供网状结构150。网状结构150可以通过焊料、胶水或任何其他类型的粘合剂320附接到多层组件板的第二侧面102。
138.网状结构150可以附接在多层组件板110的整个第二侧面102之上。例如，网状结构150可以被提供为面板，并且多层组件板110可以被提供为面板，在该面板上可以安装有多个声音换能器设备100，然后该声音换能器设备100被切单(例如，切割)。在这种情况下，面板形式的网状结构150可以附接到面板形式的多层组件板110，并且声音换能器设备100可以随后被切割。
139.备选地，网状结构150可以沿着第一凹部510的周边附接到多层组件板110的相应面101、102，从而覆盖第一凹部510并且留下多层组件板110的第二侧面102的另外的横向部分未被覆盖，如参考前面的图所解释的。
140.网状结构150可以附接到多层组件板110，使得网状结构150的穿孔210覆盖第一凹部510。因此，网状结构150提供环境屏障。
141.如上所述，网状结构150可以是(不锈钢)钢网状结构或半导体网状结构。如果网状结构150被提供为(不锈钢)钢网状结构，则它可以用于提供用于接地或esd保护(esd：静电放电)的电位。
142.声音换能器设备100还可以包括用于电接触mems声音换能器管芯130的电连接部分520。例如，声音换能器设备100可以包括集成电路(例如，专用集成电路asic)，该集成电路可以与电连接部分520连接。继而，asic(未示出)可以与mems声音换能器管芯 130电连接。如上所述，参考图1，多层组件板110的最上层115可以包括铜迹线，该铜迹线可以提供电连接部分520、集成电路(未示出)与mems声音换能器管芯130之间的电连接迹线。
143.电连接部分520可以包括外部电连接部分521，例如绝缘电线、柔性电路等。尽管已经参考图5示例性地描述了电连接部分520，但是上述电连接部分520的特征当然可以应用于如本文中讨论的每个实施例。
144.图6示出了根据本文中描述的创新原理的声音换能器设备100的另一非限制性示
例性实施例。该实施例与参考图5的上述实施例类似。因此，下面将讨论不同之处。
145.例如，如图6所示的实施例另外包括如上面参考图3所述的另外的膜结构310(例如，ptfe膜)。上述另外的膜结构310可以包括防水特性。另外的膜结构310可以设置在形成在多层组件板110的第二侧面102处的第一凹部510内部。如上所述，第一凹部510可以包括大于声音端口120的直径d
x
的直径d1(图5)。因此，第一凹部 510可以形成相对于声音端口120的台阶或凹口，其中上述台阶形成围绕声音端口120周向延伸的安装部分610。另外的膜结构310可以布置在上述安装部分610处。另外的膜310可以通过胶水或任何其他类型的粘合剂320附接到上述安装部分610。
146.根据该实施例的声音换能器设备100还可以包括网状结构150。在该特定示例中，网状结构150可以包括横向延伸的凸缘630，凸缘 630充当用于支撑网状结构150的穿孔部分220的支撑结构。特别地，上述支撑结构630可以包括凹进部分640，网状结构150的穿孔部分 220设置在该凹进部分640中。
147.凹进部分640可以延伸到第一凹部510中，使得穿孔部分220布置在第一凹部510内部。网状结构150可以通过将横向延伸的凸缘630 附接到多层组件板110的(多层组件板110的第一侧面101或第二侧面102)来布置在多层组件板110上。网状结构150、并且特别是横向延伸的凸缘630可以通过焊料、胶水或任何其他类型的粘合剂321 附接到多层组件板110。上述粘合剂321可以在横向围绕第一凹部510 的外围部分处粘附到多层组件板110的第二侧面102，如图5中示例性地描绘的。
148.可以以面板形式提供多个网状结构150，该多个网状结构150包括具有横向延伸的凸缘的支撑结构630以及形成在其间的凹进部分 640。上述面板形式的多个网状结构150可以附接到同样为面板形式的多层组件板110。在将网状面板与板面板附接之后，可以对个体声音换能器设备100进行切单。
149.网状结构150可以是(不锈钢)钢金属网状结构或半导体网状结构。在这种情况下，金属网状结构可能是优选的，因为与在刚性半导体材料中相比，在金属网状结构内部形成凹进部分640可能更容易。此外，金属网状结构可以提供用于接地或esd保护的电位。
150.网状结构150、特别是网状结构150的穿孔部分220可以在上述另外的膜结构310安装在第一凹部510内部的安装部分610处之后应用。因此，另外的膜结构310可以定位在网状结构150与mems声音换能器管芯130之间。
151.第一凹部510和声音端口120处于功能关系并且彼此流体连接，从而提供从环境通过布置在第一凹部510内部的网状结构150通过布置在第一凹部510内部的另外的膜结构310并且通过声音端口120到达mems声音换能器管芯130的连续流体通道。
152.在图6所示的实施例中，也可以省略另外的膜结构310。此外，在图5的实施例中，可以提供附加的另外的膜结构310并且将其定位在网状结构150与mems声音换能器管芯130之间。
153.图7示出了根据本文中描述的创新原理的声音换能器设备100的另一非限制性示例性实施例。除了先前描述的实施例，图7的实施例还包括设置在多层组件板110的第二侧面102处的第二凹部710。
154.上述第二凹部710设置在设置有声音端口120和第一凹部510的区域中，使得第一凹部510位于声音端口120与第二凹部710之间。声音端口120、第一凹部510和第二凹部710
具有功能关系并且彼此流体连接，从而提供从环境到mems声音换能器管芯130的连续流体通路。
155.特别地，声音换能器设备100包括布置在第一凹部510内部的另外的膜结构310(例如，ptfe膜)，如上面参考图6所述。即，另外的膜结构310可以附接到安装部分610，安装部分610源于第一凹部510的直径d1大于声音端口120的内径d
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从而产生台阶或凹口这一事实。
156.以类似的方式，网状结构150可以布置在第二凹部710内部。第二凹部710的直径d2大于第一凹部510的直径d1，从而产生台阶或凹口。上述台阶或凹口可以形成用于安装网状结构150的安装部分 720。例如，网状结构150可以通过焊料、胶水或任何其他种类的粘合剂附接到上述安装部分720。
157.网状结构150可以完全布置在第二凹部710内部，这表示，网状结构150不会突出到多层组件板110的第二侧面102之上。
158.另外地或备选地，另外的膜结构310可以完全布置在第一凹部 510内部，这表示，另外的膜结构310不会突出到第二凹部710的安装部分720之上。
159.在一些实施例中，诸如图7所示，另外的膜结构310可以稍微突出到第二凹部710的安装部分720之上，只要它不与网状结构150的相邻穿孔部分220碰撞。
160.网状结构150可以是(不锈钢)钢金属网状结构或半导体网状结构。在该特定实施例中，网状结构150可以为另外的膜结构310提供机械环境保护，因为网状结构150覆盖上述另外的膜结构310。
161.第一凹部510、第二凹部710和声音端口120具有功能关系并且彼此流体连接，从而提供从环境通过布置在第二凹部710内部的网状结构150通过布置在第一凹部510内部的另外的膜结构310并且通过声音端口120到达mems声音换能器管芯130的连续流体通道。
162.图8示出了根据本文中描述的创新原理的声音换能器设备100的另一非限制性示例性实施例。该实施例类似于以上参考图7描述的实施例。然而，网状结构150和另外的膜结构310的位置被交换。
163.即，网状结构150可以布置在第一凹部510内部，而另外的膜结构310可以布置在第二凹部710内部。网状结构150可以附接到安装部分610，该安装部分610是由于上述第一凹部510的直径d1和声音端口120的d
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不同而形成凹口或台阶而产生的。另外的膜结构310 可以附接到安装部分720，该安装部分720是由于上述第一凹部510 的直径d1和第二凹部710的d2不同而形成凹口或台阶而产生的。
164.网状结构150可以是(不锈钢)钢金属网状结构或半导体网状结构。在该特定实施例中，另外的膜结构310可以为网状结构150提供机械环境保护，因为另外的膜结构310覆盖上述网状结构150。
165.总之，本文中描述的创新概念涉及声音换能器设备100和腔体封装中的硅mems结构的环境保护方法。
166.本文中描述的创新原理在硅mems之上提供屏障，该屏障允许声音传输，但防止水、灰尘或其他小物体的物理进入。因此，本文中描述的创新原理的目的中的一个是防止水和异物进入硅mems声音感测芯片的脆弱区域。本文中描述的创新原理的另一目的是防止损坏在声音换能器管芯(例如，simic)封装内部位于声音端口120的顶部处的硅mems膜140。
167.实施例可以包括位于声音端口120的顶部或底部处的网状结构 150。本文中描述
的所有实施例都可以通过在交付到装配线之前集成/ 转换材料或者组合材料来进行批量制造。然后可以轻松使用成熟的组装工艺。
168.根据本文中描述的创新原理的声音换能器设备100至少包括以下优点：
169.·
以最小的声学衰减来传输声音
170.·
信号没有声学失真
171.·
坚固耐用，足以成为移动设备外部的主要屏障
172.o防止水和灰尘进入
173.o防止尖锐物品插入麦克风端口和膜从而损坏麦克风或禁用防水 /防尘保护
174.o在移动设备的整个生命周期内不会从基板上脱落或分层
175.o可以承受真空清洁或(略)高于环境空气压力
176.o提供对溶剂或清洁液、可乐型汽水的耐受性
177.o经受住温度循环、湿度、冲击和跌落事件。
178.尽管已经在装置的上下文中描述了一些方面，但显然，这些方面也表示对对应方法的描述，其中框或设备对应于方法步骤或方法步骤的特征。类似地，在方法步骤的上下文中描述的方面也表示对对应装置的对应框或项目或特征的描述。
179.尽管已经参考说明性实施例描述了本公开，但本描述并非旨在解释为限制性的。在参考说明书时，对本领域技术人员来说，说明性实施例以及本公开的其他实施例的各种修改和组合将是很清楚的。因此，所附权利要求旨在涵盖任何这样的修改或实施例。