光调制器的制作方法

技术特征：
1.一种光调制器，其特征在于，具备基板、形成于所述基板上的光波导、经由第一缓冲层而形成于所述光波导上且对所述光波导施加调制信号的信号电极、以及经由第二缓冲层而形成于所述光波导上且对所述光波导施加dc偏压的偏压电极，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层以在所述第一缓冲层和所述第二缓冲层的边界部上，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层中的任意的一方的缓冲层覆盖另一方的缓冲层的端面的方式形成。2.如权利要求1所述的光调制器，其特征在于，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层以在所述边界部上，从所述基板的厚度方向观察具有重叠的方式形成。3.如权利要求1所述的光调制器，其特征在于，所述另一方的缓冲层的端面相对于所述基板倾斜地形成。4.如权利要求1所述的光调制器，其特征在于，所述另一方的缓冲层的端面形成为曲面状。5.如权利要求2～4中任一项所述的光调制器，其特征在于，在所述边界部上，所述第一缓冲层形成于所述第二缓冲层上，或者所述第二缓冲层形成于所述第一缓冲层上。6.如权利要求2～4中任一项所述的光调制器，其特征在于，所述另一方的缓冲层的端面的、沿着所述基板的厚度方向投影到所述基板的长度相对于所述另一方的缓冲层的厚度为2～100倍。7.如权利要求1～4中任一项所述的光调制器，其特征在于，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层由不同的组成形成。8.如权利要求1～4中任一项所述的光调制器，其特征在于，所述第一缓冲层为m-si-o系化合物，m是选自al、zr、hf、la、ba、bi、ti、ca、mo、in的至少任一种以上。9.如权利要求1～4中任一项所述的光调制器，其特征在于，构成所述第二缓冲层的元素包含构成所述第一缓冲层的元素中的至少任一种以上。

技术总结
本发明公开一种光调制器。光调制器(100)具备基板(1)、形成于基板上的光波导(2)、经由第一缓冲层(41A)而形成于光波导上且对光波导施加调制信号的信号电极(7a、7b)、以及经由第二缓冲层(42A)而形成于光波导上且对光波导施加DC偏压的偏压电极(9a、9b)，第一缓冲层和第二缓冲层以在第一缓冲层和第二缓冲层的边界部上，第一缓冲层和第二缓冲层中的任意的一方的缓冲层覆盖另一方的缓冲层的端面的方式形成。根据本发明，能够提供一种可靠性高的光调制器。制器。制器。


技术研发人员：田家裕 长瀬健司 A
受保护的技术使用者：TDK株式会社
技术研发日：2021.03.31
技术公布日：2022/11/18