一种超低功耗超宽带低噪声放大器

技术特征：
1.一种超低功耗超宽带低噪声放大器，包括依次连接的输入级放大器（100）和输出级放大器（200），其特征在于，输入级放大器（100）包括由第一电容（101）、第一电感（102）和第二电感（103）组成的输入匹配网络，第一晶体管（104）、第二晶体管（105）和第三晶体管（106）组成的mos反馈共源结构，以及第三电感（107）和第二电容（108）组成的级间匹配网络；输出级放大器（200）包括第四电感（201），第四晶体管（202）、第五晶体管（203）和第六晶体管（204）组成的mos反馈共源结构，以及第五电感（205）和第三电容（206）组成的输出匹配网络；输入级放大器（100）和输出级放大器（200）为单层mos管架构。2.根据权利要求1所述的一种超低功耗超宽带低噪声放大器，其特征在于，所述输入级放大器（100）中第一晶体管（104）采用共源结构；所述第二晶体管（105）源极与第一晶体管（104）栅极相连接，第二晶体管（105）的漏极与第一晶体管（104）的漏极相连接，其栅极电压为单独偏置电压；第三晶体管（106）源极与第一晶体管（104）的衬底相连接，第三晶体管（106）的漏极与第一晶体管（104）的源极相连接，其栅极与地相连接；第一电容（101）的一端与输入端相连接，第一电容（101）的另一端与第一电感（102）的一端相连接；第一电感（102）的另一端与第一晶体管（104）的栅极相连接；第二电感（103）的一端与第一晶体管（104）的源极相连接，第二电感（103）的另一端与地相连接；第三电感（107）的一端与第一晶体管（104）的漏极相连接，第三电感（107）的另一端与电源电压相连接；第二电容（108）的一端与第一晶体管（104）的漏极相连接，第二电容（108）的另一端与第四电感（201）相连接。3.根据权利要求1所述的一种超低功耗超宽带低噪声放大器，其特征在于，所述输出级放大器（200）中第四晶体管（202）采用共源结构；所述第五晶体管（203）源极与第二电容（108）相连接，第五晶体管（203）的漏极与第四晶体管的（202）的漏极相连接，其栅极电压为单独偏置电压；第六晶体管（204）源极与第四晶体管（202）的衬底相连接，第六晶体管（204）的漏极与第四晶体管（202）的源极相连接，其栅极与地相连接；第四电感（201）一端与第二电容（108）相连接，第四电感（201）的另一端与第四晶体管（202）的栅极相连接；第五电感（205）一端与第四晶体管（202）的漏极相连接，第五电感（205）的另一端与电源电压相连接；第三电容（206）的一端与第四晶体管（202）的漏极相连接，第三电容（206）的另一端与输出端相连接。4.根据权利要求1所述的一种超低功耗超宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第一电感（102）、第三电感（107）和第四电感（201）组成交错调谐技术，缓解第二电感（103）导致的高频增益下降，获得宽带平坦增益和宽带匹配。5.根据权利要求1所述的一种超低功耗超宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第二晶体管（105）、第三晶体管（106）、第五晶体管（203）和第六晶体管（204）的衬底接地。6.根据权利要求1所述的一种超低功耗超宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第三晶体管（106）和第六晶体管（204）的栅极接地。

技术总结
一种超低功耗超宽带低噪声放大器，包括依次连接的输入级放大器和输出级放大器；所述输入级放大器由输入匹配网络、MOS反馈共源结构、级联匹配网络组成；所述输出级放大器由谐振电感、MOS反馈共源结构、输出匹配网络组成。通过上述方式，本发明能够通过功耗优化技术，在保证增益和噪声等性能的情况下，大幅降低放大器的功耗，另一方面，优化降噪技术，降低噪声系数，使用交错调谐技术获得宽带平坦增益。使用交错调谐技术获得宽带平坦增益。使用交错调谐技术获得宽带平坦增益。


技术研发人员：齐晓斐 崔珂瑜 胡一博 孙旭涛 丁聪
受保护的技术使用者：西北大学
技术研发日：2022.08.30
技术公布日：2022/11/18