具有斜坡结构的半导体器件的制造方法及半导体结构与流程

技术特征：
1.一种具有斜坡结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上包括至少一个器件区和至少一个测试区；在所述器件区和所述测试区上形成功能结构层；在所述功能结构层上形成牺牲层；对所述牺牲层的位于所述器件区的部分和位于所述测试区的部分同步进行刻蚀，以在所述器件区形成第一沟槽，在所述测试区形成第二沟槽；其中，所述第一沟槽用于填充支撑结构；位于至少一个所述测试区内的所述第二沟槽的数量为多个，多个所述第二沟槽将所述牺牲层的位于所述测试区的部分分割成多个重复结构；所述第一沟槽和所述第二沟槽的侧壁的底部与所述功能结构层的上表面之间具有大于90度的倾斜角度，以使所述牺牲层在对应的位置处形成斜坡结构；通过对所述多个重复结构进行光学测量，得到所述斜坡结构的几何尺寸参数。2.根据权利要求1所述的具有斜坡结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，位于至少一个所述测试区内的所述重复结构的数量大于等于4个。3.根据权利要求1所述的具有斜坡结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，相邻两所述重复结构之间的间距在2微米～15微米的范围内；各所述重复结构的底部线宽在2微米～15微米的范围内。4.根据权利要求1所述的具有斜坡结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述通过对所述多个重复结构进行光学测量，得到所述斜坡结构的几何尺寸参数，包括：通过对所述多个重复结构进行光学测量，得到所述斜坡结构的角度；所述斜坡结构的角度与所述倾斜角度之和等于180度。5.根据权利要求4所述的具有斜坡结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：判断所述斜坡结构的角度是否属于预设角度范围；如果判断结果为属于，则执行后续工序。6.根据权利要求5所述的具有斜坡结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述预设角度范围为20度～45度。7.根据权利要求5所述的具有斜坡结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述执行后续工序，包括：在所述第一沟槽内填充所述支撑结构；去除所述牺牲层，以在所述牺牲层的位置处形成空腔。8.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上包括至少一个器件区和至少一个测试区；功能结构层，形成在所述器件区和所述测试区上；支撑结构，形成在所述功能结构层上，所述支撑结构的侧壁的底部与所述功能结构层的上表面之间围成具有第一角度的空腔，所述第一角度小于90度；位于至少一个所述测试区内的多个重复单元，各所述重复单元平行排列，沿排列方向各所述重复单元的两侧壁的底部与所述功能结构层的上表面之间具有第二角度，所述第二角度与所述第一角度相等。9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，位于至少一个所述测试区内的所述
重复单元的数量大于等于4个。10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，相邻两所述重复单元之间的间距在2微米～15微米的范围内；各所述重复单元的底部线宽在2微米～15微米的范围内。

技术总结
本申请实施例涉及一种具有斜坡结构的半导体器件的制造方法及半导体结构，其中，方法包括：提供包括器件区和测试区的衬底；在器件区和测试区上形成功能结构层；在功能结构层上形成牺牲层；对牺牲层的位于器件区的部分和位于测试区的部分同步进行刻蚀，以在器件区形成第一沟槽，在测试区形成第二沟槽；第一沟槽和第二沟槽的侧壁的底部与功能结构层的上表面之间具有大于90度的倾斜角度，以使牺牲层在对应的位置处形成斜坡结构；通过对多个重复结构进行光学测量，得到斜坡结构的几何尺寸参数。如此，解决了器件区的斜坡结构的几何尺寸参数难以量测的问题，量测简便、快速，准确度高，为判断工序是否继续进行以及评价半导体器件的性能提供重要依据。性能提供重要依据。性能提供重要依据。


技术研发人员：汪志玉 姚阳文 方羊 胡永宝 闾新明
受保护的技术使用者：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.08.22
技术公布日：2022/11/15