芯片遇冷时长的预测方法与流程

1.本技术属于集成电路技术领域，涉及芯片遇冷时长的预测方法。


背景技术：

2.芯片遇冷时长指将芯片置于芯片遇冷设备内，使芯片结温温度从初始温度降低至所需温度的时间，因此只有能精确监控到芯片在芯片遇冷设备内每一时刻的结温温度，才能确定芯片结温温度从初始温度降低到所需温度的时长。
3.传统的芯片测温技术手段是通过芯片中的传感器直接读取芯片的结温温度，缺点是应用范围小，因为其不能应用于内部不存在传感器的芯片；此外传统的芯片测温技术手段还包括使用热电偶对芯片测温和使用红外测两芯片温度，前者的缺点是测试精度低，且只能测量芯片壳温，测不了芯片结温；后者的缺点是只能测量芯片表面温度，无法测出芯片内部温度；因此在使用热电偶测温技术或使用红外测温技术测量芯片结温时，还需要通过其他手段以获取芯片结温温度；由于传统的芯片测温技术手段无法确定芯片由结温温度降低到所需温度的时长，因此为了确保芯片在芯片遇冷设备中结温温度能降低到所需温度，只能尽可能地延长芯片在芯片遇冷设备内的遇冷时长，但实际上芯片的结温温度可能早已经降低到了所需温度，此时芯片依然在芯片遇冷设备内进行遇冷，芯片结温温度降低到所需温度后，依然在芯片遇冷设备内的遇冷时间完全属于无效时间，极大降低了芯片遇冷设备的效率。


技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种芯片遇冷时长的预测方法，以解决芯片在芯片遇冷设备内遇冷时长不能确定的技术问题。
5.为解决上述技术问题，本技术的技术方案如下：
6.本技术提供一种芯片遇冷时长的预测方法，该方法包括：
7.构建芯片的简化模型；
8.构建芯片遇冷设备的热仿真模型，所述芯片遇冷设备的热仿真模型包括所述芯片的简化模型；
9.对所述芯片遇冷设备的热仿真模型进行网格划分；
10.根据所述芯片在芯片遇冷设备中遇冷的工作环境，设置所述芯片遇冷设备的热仿真模型的初始条件和边界条件；
11.对所述芯片在芯片遇冷设备中遇冷进行仿真，根据所述仿真结果预测所述芯片在芯片遇冷设备中遇冷所需要的时间。
12.进一步地，所述构建芯片的简化模型的步骤，包括：
13.根据所述芯片的实际参数构建所述芯片的热仿真模型；
14.根据所述芯片的热仿真模型获取所述芯片的热阻参数；
15.根据所述芯片的热阻参数构建所述芯片的简化模型，所述芯片的简化模型参数只
包括热阻参数。
16.进一步地，所述构建芯片遇冷设备的热仿真模型的步骤，包括：
17.根据所述芯片遇冷设备腔体的实际参数构建所述芯片遇冷设备腔体的热仿真模型；
18.根据所述芯片遇冷设备腔体内测试盘的实际参数构建所述芯片遇冷设备腔体内测试盘的热仿真模型。
19.进一步地，所述根据所述芯片遇冷设备腔体内测试盘的实际参数构建所述芯片遇冷设备腔体内测试盘的热仿真模型的步骤，包括：
20.构建所述芯片遇冷设备腔体内一个测试盘的热仿真模型；
21.根据所述一个测试盘的热仿真模型构建单元测试盘的热仿真模型，所述单元测试盘为所述芯片遇冷设备腔体内层叠设置的两个测试盘；
22.重复构建所述单元测试盘的热仿真模型直至所述单元测试盘的热仿真模型数量与所述芯片遇冷设备腔体内单元测试盘数量相同；
23.将所述芯片的简化模型设置于所述芯片遇冷设备腔体内每一个测试盘的热仿真模型上。
24.进一步地，所述芯片遇冷设备的热仿真模型将所述芯片遇冷设备腔体内测试盘的运动条件简化为所述测试盘和所述芯片遇冷设备腔体内环境气体的对流换热。
25.进一步地，所述芯片遇冷设备的热仿真模型的初始条件包括：
26.所述芯片的简化模型的初始温度、所述芯片遇冷设备腔体的热仿真模型的初始温度以及所述芯片遇冷设备腔体内测试盘的热仿真模型的初始温度；
27.所述芯片遇冷设备的热仿真模型的边界条件包括：
28.对流、层流、辐射、重力加速度、环境压强、缺省流体、缺省固体、缺省表面。
29.进一步地，所述对所述芯片遇冷设备的热仿真模型进行网格划分的步骤后，根据所述芯片在芯片遇冷设备中遇冷的工作环境，设置所述芯片遇冷设备的热仿真模型的初始条件和边界条件的步骤前，还包括：
30.对所述芯片遇冷设备的热仿真模型添加流体边界层。
31.进一步地，所述对所述芯片遇冷设备的热仿真模型添加流体边界层的步骤，包括：
32.设置所述流体边界层的厚度；
33.设置所述流体边界层与所述芯片遇冷设备的热仿真模型之间的网格的密度。
34.进一步地，所述根据所述仿真结果预测所述芯片在芯片遇冷设备中遇冷所需要时间包括：
35.获取所述仿真过程芯片的简化模型的温度时间曲线，根据所述温度时间曲线确定所述仿真过程芯片的简化模型由初始温度降低到设定温度的时间。
36.本技术的有益效果：
37.本技术提供的芯片遇冷时长的预测方法，通过仿真软件构建芯片的简化模型和设置有芯片的芯片遇冷设备的热仿真模型；对芯片遇冷设备的热仿真模型进行网格划分；根据芯片在芯片遇冷设备中遇冷的工作环境，设置芯片遇冷设备的热仿真模型的初始条件和边界条件；最后芯片在芯片遇冷设备中遇冷进行仿真，根据仿真结果预测芯片在芯片遇冷设备中遇冷所需要时间；解决了实际工作环境下，芯片在芯片遇冷设备中遇冷无法确定遇
冷时长的问题，提高了芯片遇冷设备利用效率。
附图说明
38.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
39.图1为本技术实施例的芯片遇冷时长的预测方法流程图。
40.图2为本技术实施例的handler设备中测试盘和芯片槽以及测试盘和测试盘之间排列的示意图。
41.图3为本技术实施例的handler设备的热仿真模型的示意图。
42.图4为本技术实施例的handler设备一个单元测试盘的温度时间曲线图。
43.图5为本技术实施例的handler设备遇冷仿真的芯片降温图。
44.图6为本技术实施例的实际测试中对handler设备设置不同遇冷时长的芯片降温图。
具体实施方式
45.下面结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。应当明确，本技术所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
46.本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例能够在除了这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
47.本技术实施例提供一种芯片遇冷时长的预测方法，如图1所示，该方法包括：
48.步骤s1：构建芯片的简化模型；
49.在一些可能的实施方式中，步骤s1：构建芯片的简化模型的步骤，具体包括：
50.步骤s10：根据芯片的实际参数构建芯片的热仿真模型；将芯片的实际参数导入仿真软件，构建该芯片的热仿真模型；
51.步骤s11：根据芯片的热仿真模型获取芯片的热阻参数；根据芯片的热仿真模型在仿真软件中的计算该封装芯片的热阻参数，具体地，构建热仿真模型的仿真软件中有相应的求解模块，热阻参数的计算使用该求解模块进行计算，对应的计算功能属于仿真软件的功能，本技术实施例在此不做叙述；
52.步骤s12：根据芯片的热阻参数构建芯片的简化模型，芯片的简化模型参数只包括热阻参数；根据芯片的热阻参数在仿真软件中构建芯片的简化模型，本技术实施例通过仿真芯片在芯片遇冷设备中的遇冷工作以预测出实际的遇冷时间，其中，在仿真过程中，通过监控芯片仿真时结温温度随时间的变化以得到芯片结温温度降低到所需温度的时间；因此本技术实施例提供的芯片的仿真模型只需要包含结温特征，通常以热阻参数表示芯片的结
温特征，即本技术实施例构建的芯片的简化模型只需要包含热阻参数，不需要芯片的其余参数，其中，热阻参数根据芯片的热仿真模型在仿真软件中计算。
53.步骤s2：构建芯片遇冷设备的热仿真模型，其中该芯片遇冷设备的热仿真模型为已设置芯片的芯片遇冷设备，即该芯片遇冷设备的热仿真模型包括有芯片的简化模型；
54.在一些可能的实施方式中，步骤s2：构建芯片遇冷设备的热仿真模型的步骤，具体包括：
55.步骤s20：根据芯片遇冷设备腔体的实际参数构建芯片遇冷设备腔体的热仿真模型；将芯片遇冷设备腔体的实际参数导入仿真软件，使用仿真软件构建芯片遇冷设备腔体的热仿真模型；
56.步骤s21：根据芯片遇冷设备腔体内测试盘的实际参数构建芯片遇冷设备腔体内测试盘的热仿真模型；将芯片遇冷设备腔体内测试盘的时间参数导入仿真软件，使用仿真软件构建芯片遇冷设备腔体内测试盘的热仿真模型。
57.在一些可能的实施方式中，步骤s21：根据芯片遇冷设备腔体内测试盘的实际参数构建芯片遇冷设备腔体内测试盘的热仿真模型的步骤，具体包括：
58.步骤s210：构建芯片遇冷设备腔体内一个测试盘的热仿真模型；
59.步骤s211：根据一个测试盘的热仿真模型构建单元测试盘的热仿真模型，单元测试盘为芯片遇冷设备腔体内层叠设置的两个测试盘；
60.步骤s212：重复构建单元测试盘的热仿真模型直至单元测试盘的热仿真模型数量与芯片遇冷设备腔体内的单元测试盘数量相同；
61.步骤s213：将封装芯片的简化模型设置于测试盘的热仿真模型上。
62.其中，上述步骤s210—s213均是使用仿真软件进行构建。
63.在一些可能的实施方式中，芯片遇冷设备的热仿真模型将芯片遇冷设备腔体内测试盘的运动条件简化为测试盘和芯片遇冷设备腔体内环境气体的对流换热。因为测试盘在芯片遇冷设备腔体内的运动条件过于复杂，因此芯片遇冷设备的热仿真模型中，会将运动条件简化为测试盘和芯片遇冷设备的腔体内环境气体的对流换热，具体地，后续设置边界条件时，将芯片遇冷设备的热仿真模型的对流换热系数设为25w/m-2k-1来达到该目的。
64.步骤s3：对芯片遇冷设备的热仿真模型进行网格划分；芯片遇冷设备的热仿真模型划分网格，具体设置有网格数量和网格质量，其中，对于网格数量的设置没有固定要求，如可以设置为100万、90万、150万等，对于网格质量设置，只要满足贴体程度、体积、网格扭曲程度的设置即可。
65.步骤s4：根据芯片在芯片遇冷设备中遇冷的工作环境，设置芯片遇冷设备的热仿真模型的初始条件和边界条件；
66.在一些可能的实施方式中，芯片遇冷设备的热仿真模型的初始条件包括：
67.芯片的简化模型的初始温度、芯片遇冷设备腔体的热仿真模型的初始温度以及芯片遇冷设备腔体内测试盘的热仿真模型的初始温度；
68.芯片遇冷设备的热仿真模型的边界条件包括：
69.对流、层流、辐射、重力加速度、环境压强、缺省流体、缺省固体、缺省表面。
70.应当明确的是，不同的芯片遇冷设备的初始温度和边界条件也会有所不同，本技术实施例只要根据芯片在芯片遇冷设备的实际工作环境设置初始温度和边界条件即可，该
初始温度和边界条件也并不是固定不变。
71.在一些可能的实施方式中，步骤s3之后，步骤s4之前，还包括：
72.对芯片遇冷设备的热仿真模型添加流体边界层。
73.在一些实施例中，对芯片遇冷设备的热仿真模型添加流体边界层的步骤，具体包括：
74.设置流体边界层的厚度；
75.设置流体边界层与芯片遇冷设备的热仿真模型之间的网格的密度。
76.在一些实施例中，将流体边界层的厚度设为1mm，并根据流体边界层内流体的热传导对温度场的影响，设置流体边界层与芯片遇冷设备的热仿真模型之间的网格的密度。
77.应当明确的是，对于本技术实施例，设置流体边界层并非必要条件，如果不考虑流体边界层，对于整个仿真结果，只可能会导致计算精度有所损失，相比于传统测试时芯片在芯片遇冷设备中遇冷设置的时间，该计算精度几乎可以忽略不计。
78.步骤s5：对芯片在芯片遇冷设备中遇冷进行仿真，根据仿真结果预测芯片在芯片遇冷设备中遇冷所需要的时间的步骤。
79.在一些可能的实施方式中，通过仿真软件中对所芯片在芯片遇冷设备中遇冷进行仿真；获取仿真过程芯片的简化模型的温度时间曲线，根据温度时间曲线确定仿真过程芯片的简化模型由初始温度降低到设定温度(所需温度)的时间。
80.本技术实施例通过对芯片在芯片遇冷设备中遇冷进行仿真，获取了仿真时芯片结温从初始温度降低到测试温度所需要的时间，进而根据仿真结果设置实际芯片在芯片遇冷设备中遇冷的时间，相比于传统方案中设置长时间遇冷，本技术实施例大幅度节省了芯片在芯片遇冷设备中遇冷的时间，解决了芯片在芯片遇冷设备中遇冷的时间无法确定的技术问题，提高了芯片遇冷设备利用效率。
81.应当明确的是，本技术实施例的目的是通过对芯片在遇冷设备中遇冷进行仿真，以得到相应的遇冷时间，在此基础上，本技术实施例对于步骤s1-s4的执行没有相应的顺序要求，即只需要能在仿真前完成步骤s1-s4的全部步骤即可。
82.下面以芯片在遇冷设置handler设备中的遇冷进行仿真，对本技术实施例提供的芯片遇冷时长预测方法进行说明。
83.芯片在封装工作的最终测试(final test)时进行遇冷使用的遇冷设备为handler设备，此时芯片处于封装状态，本技术实施例中，选取封装类型为pbga676，pcb类型为jedec standard51-9的封装芯片，选取单元测试盘数量为8组的handler设备。
84.本技术实施例对封装芯片在hander机台中进行遇冷，具体包括：
85.构建芯片的简化模型；
86.其中，构建芯片简化模型的具体如下：
87.将封装芯片的实际参数导入仿真软件，构建封装芯片的热仿真模型；该封装芯片的实际参数存储于封装设计文件中，实际构建时只需将包含有封装芯片实际参数的封装设计文件导入仿真软件，封装芯片的实际参数包括封装芯片中的封装信息、芯片信息、pcb信息以及封装芯片的材料热物性参数。
88.根据封装芯片的热仿真模型在仿真软件中的计算该封装芯片的热阻参数，具体地，仿真软件中有相应的求解模块，热阻参数的计算使用该求解模块进行计算，对应的计算
功能属于仿真软件的功能，本技术实施例在此不做叙述；
89.根据封装芯片的热阻参数在仿真软件中构建封装芯片的简化模型，本技术实施例通过仿真封装芯片在handler设备中的遇冷以预测出实际的遇冷时间，其中，在仿真过程中，通过监控封装芯片仿真时结温温度随时间的变化以得到芯片结温温度降低到测试温度所需要的时间；因此本技术实施例提供的封装芯片的仿真模型只需要包含结温特征，通常以热阻参数表示封装芯片的结温特征，即本技术实施例构建的封装芯片的简化模型只需要包含热阻参数，不需要封装芯片的其余参数，其中，热阻参数的计算是使用封装设计文件构建封装芯片的热仿真模型，根据该热仿真模型在仿真软件中计算热阻参数。
90.本技术实施例得到的封装芯片的简化模型是与该封装芯片实际大小等同的一个长方体模型，该长方体模型的六个面都设置有计算得到的热阻参数。
91.本技术实施例选取的封装芯片的实际参数如下述表1、表2和表3所示：
92.表1：pcb信息
93.pcb类型jedec standard 51-9pcb layers2s2ppcb尺寸101.6*114.3*1.6mm^3package ball676外侧铜厚0.07mm内层铜厚0.035mm各层铺铜率1via diameter0.3mm散热孔数量297
94.表2：封装信息和芯片信息
95.[0096][0097]
表3：材料热物性参数
[0098][0099][0100]
构建handler设备的热仿真模型；
[0101]
其中，构建handler设备的热仿真模型具体如下：
[0102]
根据handler设备腔体的实际参数在仿真软件中构建handler设备腔体的热仿真模型；
[0103]
根据handler设备腔体内测试盘的实际参数在仿真软件构建handler设备腔体内测试盘的热仿真模型；具体地：根据handler设备腔体内一个测试盘的热仿真模型在仿真软件中构建单元测试盘的热仿真模型，单元测试盘为handler设备腔体内层叠设置的两个测试盘；重复构建八组单元测试盘的热仿真模型；将封装芯片的简化模型设置于在每一个测试盘的热仿真模型上；测试盘在handler设备的腔体内测试盘的运动条件在handler设备的热仿真模型中被简化为测试盘和handler设备腔体内环境气体的对流换热。
[0104]
本技术实施例中，每个测试盘上设置有4个芯片槽，用于放置封装芯片，芯片槽在测试盘上的排列以及测试盘和测试盘之间的排列如图2以及表6所示，芯片槽以两行两列的格式排列在测试盘上，本实施例中，对测试盘的外形进行了简化，忽略了测试盘上的弧面、倒角以及其他的不规则面，将测试盘简化为了一个带有凹槽的长方体模型；其中，handler设备的热仿真模型如图3所示，单元测试盘的热仿真模型如图4所示，hander的实际参数如表4－表7所示：
[0105]
表4：handler设备腔体实际参数
[0106][0107][0108]
表5：测试盘实际参数
[0109]
单位cm长宽高厚度芯片槽深材料材料热导率测试盘16.5142.0/5.00.80.4铝合金铝237(w/m*k)
[0110]
表6：测试盘与测试盘上的芯片槽、测试盘与测试盘之间的排列方式
[0111]
单位cmx1x2x3y1y2y3排列方式1.635.303.93.32.8
[0112]
其中，如图2所示，其中图2中上下设置的两个测试盘表示该测试盘实际是层叠设置，x1表示每一列芯片槽距离测试盘边缘的最近距离，x2表示每列芯片槽之间的距离，x3表示同一层设置的两个测试盘之间的距离，y1表示每行芯片槽与测试盘边缘的最近距离，y2表示每行芯片槽之间的距离，y3表示层叠设置的测试盘之间的距离。
[0113]
表7：环境气体参数
[0114][0115]
测试盘在handler设备的腔体内的运动条件过于复杂，因此在热仿真模型中，根据表7的环境气体参数将该运动条件简化为测试盘和handler设备腔体内环境气体的对流换热，具体地，通过后续设置边界条件时，将handler设备的热仿真模型的对流换热系数设为25w/m-2k-1来达到该目的。
[0116]
应当明确的是，本技术实施例中，上述如表4－表7的handler设备的实际参数并不
代表所有的handler设备的参数，根据不同的handler设备的不同参数，向仿真软件导入的参数也不同。
[0117]
对handler设备的热仿真模型进行网格划分；具体包括设置网格数量和网格质量，其中，对于网格数量没有固定要求，如可以设置为100万、90万、150万等，对于网格质量设置，只要满足条件即可，本技术实施例中条件为：贴体程度大于0.05，体积大于10^-12
，网格扭曲程度大于0.2。
[0118]
根据封装芯片在handler设备遇冷的工作环境，设置handler设备的热仿真模型的初始条件和边界条件；
[0119]
handler设备的热仿真模型的初始条件包括：
[0120]
封装芯片的简化模型的初始温度、handler设备腔体的热仿真模型的初始温度以及handler设备腔体内测试盘的热仿真模型的初始温度。
[0121]
handler设备的热仿真模型的边界条件包括：对流、层流、辐射、重力加速度、环境压强、缺省流体、缺省固体、缺省表面。
[0122]
将封装芯片的简化模型的初始温度设置为25℃，将handler设备腔体的热仿真模型的初始温度以及handler设备腔体内测试盘的热仿真模型的初始温度设置为－50℃，具体包括腔体内的流体，测试盘，测试盘之间的连接件的初始温度设为－50℃；封装芯片的简化模型设置于测试盘的热仿真模型上，两个模型相互接触，包括一个共用面，其中，两个模型的初始温度不同，且没有温度梯度过渡，导致温度结果存在较大偏移，且仿真软件中不能在同一个面设置两个温度；本技术实施例将封装芯片的简化模型的温度也设置为－50℃，给该封装芯片的简化模型加载一个瞬态高功率热源，将封装芯片的简化模型的温度加载到25℃后卸载热源，此时封装芯片的简化模型的温度为25℃，而handler设备的腔体和测试盘热仿真模型的温度为－50℃，巧妙地实现了在handler设备的热仿真模型中设置不同初始温度；并且该设置方法创造出了封装芯片和测试盘之间的温度梯度，更接近真实环境；设置边界条件时，采用自然对流布辛尼斯克假设(boussinesq假设)设置对流和层流，设置辐射温度与环境温度相同、重力加速度选取地球重力加速度，环境压强设为0.5mpa、缺省流体选取n2、缺省固体选取铝型材、缺省表面设置为发射率为0.8，粗糙度为0.0的氧化表面。
[0123]
应当明确的是，对于不同类型的封装芯片和handler设备，其初始条件和边界条件也会根据实际情况作出相应改变，同时上述有关初始条件和边界条件的设置的具体操作，均可以使用仿真软件一一实现，本技术实施例在此不多叙述。
[0124]
在handler设备的热仿真模型中添加流体边界层，分别设置流体边界层的厚度以及流体边界层与handler设备的热仿真模型之间的网格的密度。将该边界层的厚度设为1mm，并根据边界层内流体的热传导对温度场的影响，设置流体边界层与handler设备的热仿真模型之间的网格的密度。
[0125]
对封装芯片在handler设备中遇冷进行仿真，预测封装芯片在handler设备中遇冷所需要的时间；在仿真软件中对封装芯片在handler设备遇冷执行仿真操作；获取封装芯片的简化模型的降温曲线，根据降温曲线确定封装芯片的简化模型由初始温度降低到设定温度(即测试温度)的时间。
[0126]
本技术实施例中，选取handler设备内其中一个单元测试盘8个封装芯片(指仿真)的温度时间曲线，该温度时间曲线如图5所示，图5的纵坐标表示芯片结温温度，横坐标表示
时间，参见图5可知，17s时表示高功率热源加载完成，封装芯片的简化模型温度达到初始温度25℃，即17秒时表示仿真开始，在图5的50秒即仿真开始的33秒时芯片结温降低至－20℃，仿真开始后的第50秒(即横坐标对应的67秒)时芯片的结温温度降低至－25℃，后续降温曲线逐渐趋于平稳，图5为一个单元测试盘上8个封装芯片的简化模型的降温曲线，其中8个封装芯片的瞬态降温曲线接近重合，两层测试盘的封装芯片温度相差在0.5℃-1℃之间，因此在图5中无法直观看出八条降温曲线；封装芯片在遇冷50秒时结温温度已降低到所需的测试温度，即预测的遇冷时长为50秒。
[0127]
在实际测试中对该类型封装芯片在handler设备中进行遇冷，分别设置遇冷时间为60秒、90秒、120秒、150秒、180秒，实际结果如图6所示，60秒之前封装芯片已达到稳定，最终结温温度稳定在－27℃左右，对比实际遇冷过程和仿真过程，可以发现两者时间基本符合，在50秒时仿真的结温温度和实测的结温温度均已降到－25℃，且实际遇冷上层测试盘和下层测试盘的封装芯片温度相差也是在0.5℃-1℃左右，与仿真结果相同；即表示本技术实施例提供的handler设备遇冷时间预测的方法预测的时间与实际测试中handler设备遇冷所需要的时间相同；因此在本实施例中，通常在实际测试时将handler设备遇冷时间设置为180秒，但其中有130秒完全属于无效时间。
[0128]
本技术实施例通过对芯片在芯片遇冷设备中遇冷进行仿真，获取了仿真时芯片结温从初始温度降低到测试温度所需要的时间，进而根据仿真结果设置实际芯片在芯片遇冷设备中遇冷的时间，相比于传统方案中设置长时间遇冷，本技术实施例大幅度节省了芯片在芯片遇冷设备中遇冷的时间，解决了芯片在芯片遇冷设备中遇冷的时间无法确定的技术问题，提高了芯片遇冷设备利用效率。
[0129]
应当明确的是，本技术实施例的芯片遇冷设备既可以是只有芯片结温遇冷功能的设备，也可以是多功能的设备，该多功能的设备包含芯片结温遇冷功能，对于多功能的设备，本技术实施例提供的遇冷设备的热仿真模型只需要包括芯片结温遇冷模块即可；本技术实施例中，测试盘(socket)的作用是放置芯片，对于一些芯片遇冷设备，放置芯片的结构可能会有所改变，对于本技术实施例而言，只需要构建相应的热仿真模型即可；此外，不论芯片处于制备过程还是封装过程，只要需要对芯片的结温温度进行遇冷，本技术实施例提供的芯片遇冷时长的预测方法都适用。
[0130]
以上内容是结合具体的实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应视为本技术的保护范围。