芯片遇冷时长的预测方法与流程

技术特征：
1.一种芯片遇冷时长的预测方法，其特征在于，包括：构建芯片的简化模型；构建芯片遇冷设备的热仿真模型，所述芯片遇冷设备的热仿真模型包括所述芯片的简化模型；对所述芯片遇冷设备的热仿真模型进行网格划分；根据所述芯片在芯片遇冷设备中遇冷的工作环境，设置所述芯片遇冷设备的热仿真模型的初始条件和边界条件；对所述芯片在芯片遇冷设备中遇冷进行仿真，根据所述仿真结果预测所述芯片在芯片遇冷设备中遇冷所需要的时间。2.如权利要求1所述的芯片遇冷时长的预测方法，其特征在于，所述构建芯片的简化模型的步骤，包括：根据所述芯片的实际参数构建所述芯片的热仿真模型；根据所述芯片的热仿真模型获取所述芯片的热阻参数；根据所述芯片的热阻参数构建所述芯片的简化模型，所述芯片的简化模型参数只包括热阻参数。3.如权利要求1所述的芯片遇冷时长的预测方法，其特征在于，所述构建芯片遇冷设备的热仿真模型的步骤，包括：根据所述芯片遇冷设备腔体的实际参数构建所述芯片遇冷设备腔体的热仿真模型；根据所述芯片遇冷设备腔体内测试盘的实际参数构建所述芯片遇冷设备腔体内测试盘的热仿真模型。4.如权利要求3所述的芯片遇冷时长的预测方法，其特征在于，所述根据所述芯片遇冷设备腔体内测试盘的实际参数构建所述芯片遇冷设备腔体内测试盘的热仿真模型的步骤，包括：构建所述芯片遇冷设备腔体内一个测试盘的热仿真模型；根据所述一个测试盘的热仿真模型构建单元测试盘的热仿真模型，所述单元测试盘为所述芯片遇冷设备腔体内层叠设置的两个测试盘；重复构建所述单元测试盘的热仿真模型直至所述单元测试盘的热仿真模型数量与所述芯片遇冷设备腔体内单元测试盘数量相同；将所述芯片的简化模型设置于所述芯片遇冷设备腔体内每一个测试盘的热仿真模型上。5.如权利要求4所述的芯片遇冷时长的预测方法，其特征在于，所述芯片遇冷设备的热仿真模型将所述芯片遇冷设备腔体内测试盘的运动条件简化为所述测试盘和所述芯片遇冷设备腔体内环境气体的对流换热。6.如权利要求1所述的芯片遇冷时长的预测方法，其特征在于，所述芯片遇冷设备的热仿真模型的初始条件包括：所述芯片的简化模型的初始温度、所述芯片遇冷设备腔体的热仿真模型的初始温度以及所述芯片遇冷设备腔体内测试盘的热仿真模型的初始温度；所述芯片遇冷设备的热仿真模型的边界条件包括：对流、层流、辐射、重力加速度、环境压强、缺省流体、缺省固体、缺省表面。
7.如权利要求1所述的芯片遇冷时长的预测方法，其特征在于，所述对所述芯片遇冷设备的热仿真模型进行网格划分的步骤后，根据所述芯片在芯片遇冷设备中遇冷的工作环境，设置所述芯片遇冷设备的热仿真模型的初始条件和边界条件的步骤前，还包括：对所述芯片遇冷设备的热仿真模型添加流体边界层。8.如权利要求7所述的芯片遇冷时长的预测方法，其特征在于，所述对所述芯片遇冷设备的热仿真模型添加流体边界层的步骤，包括：设置所述流体边界层的厚度；设置所述流体边界层与所述芯片遇冷设备的热仿真模型之间的网格的密度。9.如权利要求1所述的芯片遇冷时长的预测方法，其特征在于，所述根据所述仿真结果预测所述芯片在芯片遇冷设备中遇冷所需要时间包括：获取所述仿真过程芯片的简化模型的温度时间曲线，根据所述温度时间曲线确定所述仿真过程芯片的简化模型由初始温度降低到设定温度的时间。

技术总结
本申请属于集成电路技术领域，公开了一种芯片遇冷时长的预测方法。该方法包括：构建芯片的简化模型；构建包括所述芯片的简化模型芯片遇冷设备的热仿真模型；对所述芯片遇冷设备的热仿真模型进行网格划分；根据所述芯片在芯片遇冷设备中遇冷的工作环境，设置所述芯片遇冷设备的热仿真模型的初始条件和边界条件；对所述芯片在芯片遇冷设备中遇冷进行仿真，根据所述仿真结果预测所述芯片在芯片遇冷设备中遇冷所需要的时间。本申请通过对芯片在芯片遇冷设备中遇冷进行仿真，根据仿真结果设置实际测试中芯片在芯片遇冷设备中遇冷所需要的时间，解决了芯片在芯片遇冷设备中遇冷时间无法确定的技术问题，提高了芯片遇冷设备利用效率。率。率。


技术研发人员：罗闯 冯杰 夏君
受保护的技术使用者：深圳市紫光同创电子有限公司
技术研发日：2022.07.29
技术公布日：2022/11/15