薄膜层转印用层叠体的制作方法

技术特征：
1.一种薄膜层转印用层叠体，其特征在于，依次层叠有脱模性基材薄膜、薄膜层、掩蔽薄膜，所述薄膜层转印用层叠体满足下述式(1)、(2)和(3)，0.01≤y/x≤0.7
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(1)x：脱模性基材薄膜与薄膜层的剥离强度y：薄膜层与掩蔽薄膜的剥离强度sku≤40
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(2)sku：脱模性基材薄膜的脱模面的峰度sq≤20nm
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(3)sq：脱模性基材薄膜的脱模面的均方根粗糙度。2.根据权利要求1所述的薄膜层转印用层叠体，其满足下述式(4)，-1.0≤ssk≤2.0
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(4)ssk：脱模性基材薄膜的脱模面的偏斜度。3.根据权利要求1或2所述的薄膜层转印用层叠体，其满足下述式(5)，0.005n/25mm≤y≤2.0n/25mm
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(5)。4.根据权利要求1～3所述的薄膜层转印用层叠体，其中，所述薄膜层包含液晶化合物经取向的层。

技术总结
提供：能形成针孔、转印不良等坏点的发生被抑制的转印物的薄膜层转印用层叠体。一种层叠体，其依次层叠有脱模性基材薄膜、薄膜层、掩蔽薄膜，所述层叠体满足下述式(1)、(2)和(3)。0.01≤Y/X≤0.7(1)(X：脱模性基材薄膜与薄膜层的剥离强度、Y：薄膜层与掩蔽薄膜的剥离强度)Sku≤40(2)(Sku：脱模性基材薄膜的脱模面的峰度)Sq≤20nm(3)(Sq：脱模性基材薄膜的脱模面的均方根粗糙度)。模面的均方根粗糙度)。


技术研发人员：中谷充晴 柴野博史
受保护的技术使用者：东洋纺株式会社
技术研发日：2021.03.05
技术公布日：2022/11/11