一种刻蚀系统及太阳能电池片生产系统的制作方法

1.本实用新型涉及硅太阳能电池制造设备技术领域，尤其涉及一种刻蚀系统和太阳能电池片生产系统。


背景技术：

2.太阳能电池制作过程中，因可以改善与银浆的接触并产生高低结，激光重掺已经成为perc电池生产的必要工序。现有的硅片生产系统中，se激光重掺杂后没有对硅片质量进行测量，而se激光重掺杂后质量的变化会影响硅片的整体性能，因而硅片的质量难以得到有效的保障。


技术实现要素：

3.本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种刻蚀系统，能够有效检测硅片的重量变化情况，节省人力及时间，有效提高生产效率及产能，有效把控硅片质量。
4.本实用新型还要解决的技术问题在于，提供一种太阳能电池片生产系统。
5.为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种刻蚀系统，用于磷扩散后的硅片，包括se激光单元、第一检测单元、刻蚀单元、第二检测单元和控制模块；
6.所述se激光单元用于对硅片进行激光重掺杂；
7.所述第一检测单元与se激光单元连接，用于对se激光单元激光重掺杂后的硅片进行称重；
8.所述刻蚀单元与第一检测单元连接，用于对第一检测单元称重后的硅片进行刻蚀；
9.所述第二检测单元与刻蚀单元连接，用于对刻蚀单元刻蚀后的硅片进行称重；
10.所述se激光单元、第一检测单元、刻蚀单元和第二检测单元与控制模块电连接。
11.作为上述方案的改进，第一检测单元设有第一称重设备，所述第一称重设备用于称量经所述se激光单元激光重掺杂后的硅片的重量。
12.作为上述方案的改进，所述第二检测单元设有第二称重设备，所述第二称重设备用于称量经所述刻蚀单元刻蚀后的硅片的重量。
13.作为上述方案的改进，所述第一称重设备和第二称重设备为皮带秤。
14.作为上述方案的改进，所述第一检测单元设有第一红外定位传感器，所述第一红外定位传感器用于定位所述硅片。
15.作为上述方案的改进，所述第二检测单元设有第二红外定位传感器，所述第二红外定位传感器用于定位所述硅片。
16.作为上述方案的改进，还包括第一回收单元和第二回收单元；
17.所述第一回收单元设于第一检测单元和刻蚀单元之间，用于对控制模块判断不合格的硅片进行回收；
18.所述第二回收单元与所述第二检测单元连接，用于对控制模块判断不合格的硅片
进行回收；
19.所述第一回收单元和第二回收单元与所述控制模块电连接。
20.作为上述方案的改进，所述第一回收单元和第二回收单元设有机械手。
21.作为上述方案的改进，还包括设于第一检测单元之后的拍摄模块，所述拍摄模块用于对se激光单元激光重掺杂后的硅片进行拍摄；所述拍摄模块与控制模块电连接。
22.相应地，本实用新型还提供了一种太阳能电池片生产系统，包括如上所述的刻蚀系统。
23.实施本实用新型实施例，具有如下有益效果：
24.本实用新型的刻蚀系统能够有效检测硅片的重量变化情况，节省人力及时间，有效提高生产效率及产能，有效把控硅片质量。
25.本实用新型的刻蚀系统，在se激光单元之后设第一检测单元，一者能够对激光重掺杂后硅片进行重量测量，二者配合刻蚀单元之后设有第二检测单元，这样能够有效检测刻蚀前后硅片的减重情况，节省人力及时间，有效提高生产效率及产能，有效把控硅片质量；再者，通过在se激光单元之后设有第一回收单元、以及在第二检测单元之后设有第二回收单元，这样能够在保障刻蚀系统正常运行的过程的情况下，将经控制模块判断不合格的硅片进行回收，有效排出刻蚀系统上的不合格硅片，更进一步地提高生产效率及产能，更进一步地把控硅片质量，降低硅片不良率，且同时对刻蚀工艺进行调整，从而有效提高硅片的合格率。
附图说明
26.图1是本实用新型的一个实施例的流程示意图；
27.图2是本实用新型的一个实施例的结构示意图；
28.图3是本实用新型的另一个实施例的流程示意图；
29.图4是本实用新型的另一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
30.为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。仅此声明，本实用新型在文中出现或即将出现的上、下、左、右、前、后、内、外等方位用词，仅以本实用新型的附图为基准，其并不是对本实用新型的具体限定。
31.如图1-2所示，本实施例提供了一种刻蚀系统，用于磷扩散后的硅片，包括se激光单元1、第一检测单元2、刻蚀单元3、第二检测单元4和控制模块5；
32.所述se激光单元1用于对硅片100进行激光重掺杂；
33.所述第一检测单元2与se激光单元1连接，用于对se激光单元1激光重掺杂后的硅片100进行称重；
34.所述刻蚀单元3与第一检测单元2连接，用于对第一检测单元2称重后的硅片100进行刻蚀；
35.所述第二检测单元4与刻蚀单元3连接，用于对刻蚀单元3刻蚀后的硅片100进行称重；
36.se激光单元1、第一检测单元2、刻蚀单元3和第二检测单元4与所述控制模块5电连
接。控制模块5将第一检测单元2和第二检测单元4传送来的称重数据进行相减计算，得到硅片100减重的重量，然后减重的重量与设定标准范围值比对，若减重的重量不在设定值范围区间的，系统就会自动报警，将此硅片100移出刻蚀系统，并对刻蚀单元3工艺进行调整，使得刻蚀后的减重达到标准要求；若减重的重量在设定值范围区间的，刻蚀系统正常运行。具体的，控制模块5优选为单片机，单片机的型号如stm32f103c8t6，不仅限于此。
37.所述硅片100在本实用新型的刻蚀系统中是通过传送辊200传送。
38.本实用新型的刻蚀系统能够有效检测硅片的重量变化情况，节省人力及时间，有效提高生产效率及产能，有效把控硅片质量。
39.具体的，第一检测单元2设有第一称重设备21，第一称重设备21用于称量经se激光单元1激光重掺杂后的硅片100的重量，并将该数据通过电信号传送给控制模块5。第二检测单元4设有第二称重设备41，第二称重设备41用于称量经刻蚀单元3刻蚀后的硅片100的重量，并将该数据通过电信号传送给控制模块5。控制模块5将硅片100刻蚀前后的重量相减得到减重的重量，然后减重的重量与设定标准范围值比对，若减重的重量不在设定值范围区间的，系统就会自动报警，将此硅片100移出刻蚀系统，并对刻蚀单元3工艺进行调整，使得刻蚀后的减重达到标准要求；若减重的重量在设定值范围区间的，刻蚀系统正常运行。第一检测单元2和第二检测单元4设有第一称重设备21和第二称重设备41，这样能够有效检测刻蚀前后硅片100的减重情况，有效提高生产效率及产能，有效把控硅片质量。进一步的，第一称重设备21和第二称重设备41为皮带秤，皮带秤的型号如善安sacw-100g，以此满足在持续运行的系统中，对需要检测的硅片100进行有效的称重，从而保障生产效率和产能。
40.为了进一步提高第一检测单元2中第一称重设备21对硅片100的称重的灵敏性和准确性，第一检测单元2设有第一红外定位传感器22，第一红外定位传感器22用于定位硅片100，当第一红外定位传感器21监测到硅片100的距离≤设定值时，表明硅片100经传送完全置于第一称重设备21，第一红外定位传感器22刚好能够定位到硅片100，此时第一红外定位传感器22触发第一称重设备21对硅片100进行称量，并将称量的数据通过电信号传送给控制模块5。
41.为了进一步提高第二检测单元4中第二称重设备41对硅片100的称重的灵敏性和准确性，第二检测单元4设有第二红外定位传感器42，第二红外定位传感器42用于定位硅片100，当第二红外定位传感器42监测到硅片100的距离≤设定值时，表明硅片100经传送完全置于第二称重设备41，第二红外定位传感器42刚好能够定位到硅片100，此时第二红外定位传感器42触发第二称重设备41对硅片100进行称量，并将称量的数据通过电信号传送给控制模块5。
42.具体的，第一红外定位传感器21和第二红外定位传感器42为松下hg-c1000l系列，不仅限于此。
43.若只在系统中设置第一检测单元2和第二检测单元4，当控制模块5判断硅片100不合格时，就需要停止刻蚀系统去将不合格的硅片100取出，这样会严重影响生产效率，拖慢生产的进度，不利于生产效率最大化。因此，为了更加有效地保障刻蚀系统的正常运行，本实用新型还包括第一回收单元6和第一回收单元7，所述第一回收单元6设于se激光1和刻蚀单元2之间，用于对控制模块5判断不合格的硅片100进行回收；所述第一回收单元7与所述第二检测单元4连接，用于对控制模块5判断不合格的硅片100进行回收；所述第一回收单元
6和第一回收单元7与所述控制模块5电连接。这样能够在保障刻蚀系统正常运行的过程中，将经控制模块5判断不合格的硅片进行回收，有效排出刻蚀系统上的不合格硅片100，更进一步地提高生产效率及产能，更进一步地把控硅片质量，降低硅片不良率，且同时对刻蚀工艺进行调整，从而有效提高硅片的合格率。具体的，第一回收单元6和第一回收单元7设有机械手9，机械手9能将控制模块5判定不合格的硅片100移出刻蚀系统，以此更有效的排出刻蚀系统上的不合格硅片100。
44.为了不影响系统的正常运行及生产效率，第一称重设备21和第二称重设备42每间隔10～30min对硅片100进行称重一次，这样能够在有效把控硅片的质量的前提下，不影响系统的正常生产运作，有效提高生产效率，减少硅片不良率。
45.如图3-4所示，在本实用新型的另一个实施例中，本实用新型还包括拍摄模块8，拍摄模块8设于第一检测单元2和第一回收单元6之间，拍摄模块8与所述控制模块5电连接，拍摄模块8用于对se激光单元1激光重掺杂后的硅片100进行拍摄，然后将拍摄的图片通过电信号传送给控制模块5，控制模块5中配置有图像比对功能，将拍摄的图片与系统的标准图片进行比对，若所拍摄的照片与标准图片不符合标准要求，如出现漏打某条激光线的情况，系统就会自动报警，将此硅片100移出刻蚀系统，并对se激光单元1的工艺进行调整，使其达到激光重掺杂后的标准要求；若所拍摄的照片与标准图片在标准范围内，刻蚀系统正常运行。拍摄模块8设于第一检测单元2和第一回收单元6之间，这样能够检测经se激光单元1激光重掺杂后的硅片100是否达标，从而有效防止印刷银浆后产生的el黑线，防患于未然，这样能够及时检测se激光单元1的激光重掺杂效果，更进一步地提高生产效率及产能，更进一步地把控硅片质量。
46.为了不影响系统的正常运行及生产效率，拍摄模块8每间隔1～2.5h对硅片100进行拍摄照片一次，这样能够在有效把控硅片的质量的前提下，不影响系统的正常生产运作，有效提高生产效率，减少硅片不良率。
47.本实用新型还提供了一种太阳能电池片生产系统，包括如上实施例所述的刻蚀系统。
48.综上所述，本实用新型的刻蚀系统能够有效检测硅片的重量变化情况，节省人力及时间，有效提高生产效率及产能，有效把控硅片质量。
49.本实用新型的刻蚀系统，在se激光单元之后设第一检测单元，一者能够对激光重掺杂后硅片进行重量测量，二者配合刻蚀单元之后设有第二检测单元，这样能够有效检测刻蚀前后硅片的减重情况，节省人力及时间，有效提高生产效率及产能，有效把控硅片质量；再者，通过在se激光单元之后设有第一回收单元、以及在第二检测单元之后设有第二回收单元，这样能够在保障刻蚀系统正常运行的过程的情况下，将经控制模块判断不合格的硅片进行回收，有效排出刻蚀系统上的不合格硅片，更进一步地提高生产效率及产能，更进一步地把控硅片质量，降低硅片不良率，且同时对刻蚀工艺进行调整，从而有效提高硅片的合格率。
50.以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。